‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

T 2TDK 2L • (ЗЛ5)
1 = 1 0 mkm ni tashkil etganda f = 5 GGs bo‘ladi. Hisoblab topilgan
chastota uchib o'tish chastotasi, ko‘rilgan rejim esa uchib o'tish rejimi
deb ataladi.
Generatsiyalovchi diodlarning boshqa turini Gann diodlari tashkil
etadi.
Gann diodlari (GD) — bir jinsli yarimo'tkazgichda Gann effekti
hisobiga MDQka ega yarimo'tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga
ulangan GD O'YCHli garmonik tebranilar generatsiyalashga qodir.
Diod uzunligi 10~2-M0~3 smli bir jinsli yarimo'tkazgich plastinadan
iborat. Plastinaning qarama-qarshi tomonlarida katod К va anod A deb
ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish
uchun n — turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi.
Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi
3 • 103 V/sm ga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish
berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo'lgan elektr
tebranishlar hosil bo'ladi. Elektr tebranishlar quwati 10-ь 15 Vt gacha
bo'ladi, diodning FIKi esa 10-H2 % ni tashkil etadi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
GD asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quwati
2 Vtga yaqin (FIK 9-H5%). Chastota ortishi bilan \\M f 1 qonun
bo'yicha kamayib boradi. Bunday natijalar nobarqaror hajmiy zaryad
sohasi rejimida olingan.
GDlari ko'chma radiolokatorlarda, aloqa tizimlarida, shuningdek
mantiqiy elementlar sifatida va boshqa qurilmalarda keng qo'llaniladi.
Bir jinsli, n — turli GaAs va InP kristalarida Gann effekti asosini
vohalararo o'tish deb ataluvchi davriy tok impulslari hosil bo‘lishiga
olib keluvchi o'tish tashkil etadi. Qutbli yarim o'tkazgichlarda
o'tkazuvchanlik zonasi energiyalar oralig'i bilan bir-biridan ajratilgan
bir nechta minimumga yoki “vohaga” ega. Soddalashtirish uchun,
o'tkazuvchanlik zonasi bosh voha 1 va ekvivalent voha 2 dan iborat
deb hisoblanadi (3.14-rasm). GaAs uchun ДЖ ;=0,36 eV, Д W = 1,43
eV.
Elektronlar (kovaklar) effektiv massasi material turiga, kristall
tuzilishiga hamda zaryad tashuvchilar energiyasiga bog'liq, chunki
kristall panjara xususiy elektr maydoni tezlanishiga ushbu zarrachalar
ta’sir etadi. GaAs kristalida elektronlarning yuqori — 2 vohadagi effektiv
massasi mEF = \,2m, pastki voha 1 dagisi esa mEF=0,07m ni tashkil
etadi, bu yerda m — vakuumdagi erkin elektronning massasi. Ikkinchi
tom ondan, elektronlar effektiv massasi ortgani sayin ularning
harakatchanligi f i к, ( m Ef ) 3/2 • T U2 qonunga binoan kamayadi,
bu yerda: T — kristalning absolut temperaturasi. Shuning uchun yuqori
voha “ og'ir’' elektronlarining harakatchanligi = 100 sm2/[V -s],
pastki voha “yengil” elektronlarining harakatchanligi esa /л{ = 5000
sm2/[V -s] ni tashkil etadi. Shunday qilib, berilgan temperaturada
o'tkazuvchanlik zonasida bir vaqtning o'zida “yengil” va “og'ir”
elektronlar mavjud. Bolsman taqsimotiga (1.5-formulaga qarang)
muvofiq xona temperaturasida elektronlarning ko'p qismi pastki vohada
to'planadi.
Agar diodga katta bo'lmagan potensiallar farqi berilsa, unda
elektronlarni tezlatuvchi maydon hosil bo'ladi (3.15-rasmda 1—2 soha).
E le k tro n la r Sdr= / j.xE tezlikka e rish a d ila r va d io d d a