‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

RK ,R = 2[(p + X)rK+ r R\
f3 = 100, rE = 250 Om va rB = 150 Om bo'lsin, bunda Rkir = 5,35
kOm bo‘ladi.
P ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga / BWbog‘liq. Shuning uchun
kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish
kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsienti va DK kirish qarshiligini sezilarli
oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq
Darlington sxemasi ishlatiladi (9.10-rasm).
Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:
к , - K e = P 2 ■www.ziyouz.com
kutubxonasi
+ ■
и .
KIR 2
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
^ _ U HI- _ U HE l ^ Hi: 2 _
1H I H\
bo'ladi. 0 ‘zgartirishlarni kiritib:
K
ir = K
iri + (/? + 1) R kir2 ~ P R
Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi
P marta ortar ekan.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo‘llab
ham oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda p — n o ‘tish
bilan boshqariluvchi M Tlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteris
tikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali p - n o ‘tish bilan boshqariladigan n — kanalli M Tlar
asosidagi DKning an ’anaviy sxemasi 9.11-rasmda keltirilgan. Tok
belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan Rt rezistor asosida hosil qilingan.
9.11 -rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi.
rez isto rla r VT1 va VT2 tra n z isto rla r zatvoriga
boshlang‘ich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi
R sili v a R s / uwww.ziyouz.com
kutubxonasi
teskari siljitilgan p — n o ‘tishning differensial qarshiligidan iborat
bo‘ladi va 108н-1010 Om ni tashkil etadi.
Ba'zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun /; — kanalli p — n
o‘tish bilan boshqariladigan M T va n—p —n tuzilmali BTlardan tashkil
topgan tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi.
DKlarning barcha ko‘rilgan turlari har xil OKlaming kirish kaskadlari
sifatida ishlatiladi.