31 USI = const bo'lgandagi S = — — ;
dU a ichki (differensial) qarshilikwww.ziyouz.com
kutubxonasi
Uz = const bo'lgandagi R = л- ; (6.20)
З/.s
kuchlanish b o ‘yicha kuchaytirish koeffitsienti
dUa
L = const b o ‘lgandagi M = ' . (6.21)
K ichik signal param etrlari o ‘zaro /и = SRt ifoda bilan bog‘langan.
S tok-zatvor xarakteristika tikligi USI kuchlanishning o'zgarm as
q iy m atlarid a to p ila d i. T o ‘yinish so h asid a tiklik (6.16) ifo d ad an
aniqlanadi.
S = B ( U ZI- U 0) , (6.22)
(Uz l — U0)= IV b o ‘lg an d a S=B , sh u n in g u c h u n В p a ra m e tr
solishtirma tiklik deb ataladi.
(6.22) va (6.16) ifodalardan S=f{Is) bog‘lanishni
5 = p B I s (6.23)
ko'rinishda topam iz.
Ic h k i q a r s h ilik n in g e n g k ic h ik q iy m a tla r i c h iq is h
xarakteristikalarning tik sohalariga m os keladi. T o ‘yinish rejim ida
qarshilik (6.16) ni e ’tiborga olgan holda
R .= — L l2qNAUs
SI (6.24)
ifodadan topiladi.
6.8. Stok tokining temperaturaga bog‘liqligi M D Y - tranzistorning stok toki Is o'zgarm as bo‘sag‘aviy kuchlanish
£/0 qiym atida (6.14) ifodaga muvofiq solishtirm a tiklik В ga, u esa
(6.15) ifodaga m uvofiq kanaldagi zaryad tashuvchilar harakatchanligi
ц ga proporsional. Z aryad tashuvchilar harakatchanligi tem p eratu ra
ortishi bilan kam ayadi va o ‘z navbatida stok tokining kam ayishiga
olib keladi. Ikkinchi to m o n d an , tem peratura ortishi bilan b o ‘sag‘aviy
kuchlanish £/0kamayadi. Shunday qilib, ikkala omil stok tokiga qaram a
qarshi ta ’sir k o ‘rsatadi va b ir-b irin i kom pensatsiyalashi m um kin.
N atijada, M D Y — tranzistorning stok-zatvor xarakteristikasida stok
toki tem peraturaga b o g iiq b o ‘lm agan ishchi nuqta m avjud b o ‘lishi
kerak. Bunday nuqta termobarqaror nuqta deyiladi. T erm obarqarorwww.ziyouz.com
kutubxonasi
nuqtaning mavjudligi kanali p-n o ‘tish bilan boshqariluvchi M T lar
uchun ham tegishlidir.
M T odatda katta stok toklarda ishlagani m unosabati bilan tranzistor
kuchaytirgich kaskadida ishlaganda bunday ishchi nuqtani ham m a
vaqt ham topib b o ‘lm aydi.
U m u m a n , M T la rn in g te m p e r a tu r a k o e ffitsie n ti B T la rn in g
tem peratura koeffitsientiga nisbatan ancha yaxshi va odatda tem peratura
bir gradusga o ‘zgarganda 0,2 % dan oshm aydi. T em peratura ortishi
bilan stok toki kam ayadi. B uning sababi tushunarli. BTlarda noasosiy
zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi tem peratura ortishi bilan eksponensial
qonuniyat bo‘yicha ortuvchi tok bilan aniqlanadi. M Tlarda tem peratura
t a ’sirid a asosiy zaryad ta sh u v c h ila rn in g k o n sen tratsiy asi deyarli
o ‘zgarmaydigan harakati tokni belgilaydi.
M D Y — tranzistorlarda tem peratura ortishi bilan stok toki kamayadi.
Bu zaryad tashuvchilar harakatchanligi kam ayganda yarim o‘tkazgich
qarshiligining ortishi bilan tushuntiriladi. Tem peraturaning ortishi zaryad
tashuvchilar konsentratsiyasining ortishiga, u esa, stok tokining ortishiga
olib keladi. Stok tokining absolut qiym ati bularning birgalikdagi ta ’siri
bilan aniqlanadi. K atta stok toklar rejim ida tem peraturaning ortishi
stok tokining kamayishiga olib keladi.