‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev


Kanali induksiyalangan M D Y — tranzistor



Download 0,72 Mb.
bet91/276
Sana20.06.2023
Hajmi0,72 Mb.
#952614
1   ...   87   88   89   90   91   92   93   94   ...   276
Bog'liq
‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X.

6.4. Kanali induksiyalangan M D Y — tranzistor
Tuzilishi va ishlash prinsipi. n — kanali induksiyalangan M D Y —
tranzistor tuzilm asi 6.7, a-rasm da, shartli belgilanishi esa 6.7 , b
rasm da ko‘rsatilgan.
p — turli krem niydan iborat asos sust legirlangan bo‘lib, akseptorlar
konsentratsiyasi taxm inan 1015s n r 3 ni tashkil etadi. Asos sirtida diffuziya
9 s,rt = 2<^7. In -
(6.10)
(6.11)
cpSIRr = 2 ( W , - W i).www.ziyouz.com
kutubxonasi
yoki ion legirlash usullari bilan qalinligi 1 m km ga yaqin n+
o ‘tkazuvchanlikka ega bo'lgan c h o ‘ntaksim on istok va stok sohalar
hosil qilingan. Istok va stok orasidagi uzunligi £ = 0 ,1 - 1 0 m km ni
tashkil etuvchi soha kanal uzunligini tashkil etadi. Y arim o‘tkazgich
sirtida qalinligi 0,05—0,1 mkm ni tashkil etuvchi dielektrik (SiO ,)
qatlam hosil qilingan. D ielektrik sirtiga zatvor deb ataluvchi m etall
elektrod o ‘rnatilgan. Istok va stok sohalari bilan asos orasida ikkita
/)+— p o ‘tishlar hosil b o ‘ladi. M D Y tuzilm aga istok va stokni q o ‘shish
invers qatlam (n — kanal) hosil qilish jarayoniga keskin ta ’sir etadi.
0 ‘tishlarning kam bag‘allashgan sohalari rasm da shtrixlab k o ‘rsatilgan.
Z atvor m etali bilan yarim o‘tkazgich orasidagi solishtirma sig4m
S 0 q a itc h a lik k a tta b o 4 s a , z a tv o r d a g i
UZI k u c h la n is h
y arim o‘tkazgichning sirti yaqinida shunchalik ko‘p solishtirm a zaryad
induksiyalaydi. N atijada, zatvor bilan kanalning solishtirm a sig‘imi
kanal о‘tkazuvchanligining modulatsiyalanish darajasini belgilaydi,
ya’ni zatvorning boshqarish xususiyatini aniqlaydi. S huning uchun
kanal bilan zatvor hosil qilgan solishtirm a sig‘im M D Y — tranzistorning
m uhim param etrlaridan birini tashkil etadi. U quyidagi ifoda bilan
aniqlanadi:
bu yerda: d — dielektrik qalinligi (6.6, a - r a s m ) , ^ - dielektrik
singdiruvchanlik.
6.7-rasm . n — kanali induksiyalangan M DY — tranzistor tuzilmasi
(a) va n — ham da p — M DY tranzistorlarning grafik shartli belgilanishi
(6.12)
b)
(b).www.ziyouz.com
kutubxonasi
Solishtirma sig'imni oshirish uchun dielektrik qalinligi kamaytiriladi.
Bunda dielektrikning teshilishi sodir b o iish i m um kin.
Invers qatlam (kanal) hosil qiluvchi UZI kuchlanish bo'sag'aviy U0

Download 0,72 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   87   88   89   90   91   92   93   94   ...   276




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish