‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

stok deb belgilanadi. U chinchi elektrod — zatvor yordam ida kanaldagi
tok qiym ati ko‘ndalang elektr m aydon bilan boshqariladi.
Tuzilm asi va kanal sohasi o ‘tkazuvchanligini boshqarish usuliga
ko‘ra M T lam ing bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor.
1. Zatvori izolatsiyalangan MTlarda m etall zatvor va kanal orasida
yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday M T m etall — dielektrik —
yarim o'tkazgich (M D Y ) tuzilm aga egaligi sababli M D Y — tranzistor
deb ham ataladi. U ning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan
turlari mavjud b o iib : birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi
texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa — kanal sohasi
zatvorga m a’lum qutbli va qiym atli kuchlanish berilganda hosil b o ‘ladi
(induksiyalanadi). K o‘ndalang elektr m aydon yupqa dielektrik orqali
o 'tib , kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi.
2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarim o‘tkazgichning bevosita
k o n ta k ti zatv o r sifatida ishlatiladi. Ish ch i rejim d a to ‘g ‘rilo v ch i
kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi
yarim o‘tkazgichning kam bag'allashgan sohasi qalinligini o ‘zgartirib,www.ziyouz.com
kutubxonasi
tok o'tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad tashuvchilar soni va
undan oqadigan tok qiym atini boshqaradi.
3.
p —n oltish bilan boshqariluvchi M llarda zatvor sifatida kanal
o ‘tk a z u v c h a n lig ig a n is b a ta n te s k a r i o 'tk a z u v c h a n lik k a eg a
y arim o‘tkazgichdan foydalaniladi. N atijada ular orasida p~n o ‘tish
hosil b o ‘lib, ishchi rejim da ushbu p —n o ‘tish teskari siljitiladi. B unda
zatvordagi kuchlanish boshqaruvchi p~ n o ‘tishning kam bag‘allashgan
sohasi kengligini va shu bilan to k o ‘tkazuvchi kanal sohasining
ko‘ndalang kesim ini, undagi zaryadlar sonini o ‘zgartiradi va natijada
kanaldagi to k qiym ati o ‘zgaradi. p —n o ‘tish kam bag‘allashgan sohasi
k e n g lig in in g o ‘z g a ris h i, S h o ttk i b a r e r b a la n d lig i va ik k a la
tranzistorlam ing asosiy xususiyatlari b ir xil b o ‘lgani sababli, bundan
buyon zatvor sifatida faqat p —n o ‘tishdan foydaianadigan M T lam i
o ‘rganam iz.
E lektr sxem alarda M Tning zatvori kirish elektrodi b o ‘lib xizm at
qiladi va kanaldan teskari ulangan p —n o ‘tish yoki dielektrik bilan
izolatsiyalanadi. S huning uchun M T lar B T lardan farqli ravishda
o'zgarm as to k d a katta kirish qarshiligiga (108н -1010 O m ) ega.
M D Y — tra n z is to rla r in teg ral m ik ro sx e m a la rn in g , ay n iq sa
0 ‘K ISlarning asosiy elem entini tashkil etadi. U lar m ikroprotsessorlar,
m ikrokontrollerlar, axborot sig‘imi katta xotira qurilm alari, elektron
soatlar, tibbiyot elektronikasi qurilm alari va boshqalarda q o ‘llaniladi.
K atta q u w a tli M D Y — tranzistor qayta ulovchi sxem alarda keng
q o ‘llaniladi. B oshqaruvchi elektrodi m etall-y arim o ‘tkazgich o 'tish d an
tashkil topgan arsenid galliy asosida tayyorlangan tranzistorlar o ‘ta
tez ishlovchi raqam li IM Slarni va 0 ‘Y CH li qurilm alarni yaratish uchun
ishlatiladi. K rem niy asosidagi p —n o ‘tish bilan boshqariluvchi M T lar
past chastotali diskret elektron asbob sifatida q o ‘llaniladi.