‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

CL'
h i
К -E
5.3-rasm. Dinistomi ikkita tuzilmaga ajratilishi (a) va almashtirish
sxemasi (b).
Agar anodga katodga nisbatan m usbat kuchlanish berilgan b o ‘lsa,
J, va J 3 p-n o ‘tish la r to ‘g ‘ri siljitilgan b o ‘ladi, J 2 o ‘tish esa teskari
siljitiladi, shu sababdan m anba E ning barcha kuchlanishi J 2 o ‘tishga
tu sh a d i. T l va T2 tra n z isto rla rn in g e m itte r to k la rin i u za tish
koeffitsientlari mos ravishda a, va a 2 b o ‘lsin.
5.3, b-rasm ga muvofiq tiristor orqali oqayotgan tok ikkala tranzistor
kollektor toklari va sizilish toki IK0 yig'indisiga teng b o ‘ladi:
I = a J E] + a 2I E2+ I K0 . (5.1)
Tashqi zanjirdagi tok IE = IE2= /, shuning uchun / ni (5.1) ga qo‘yib:
/(1 - a , - a 2) = I K0 deb yozish mumkin. Bundan tashqi tok I qiymati
/ =
1 -(a, - a 2)
(5.2)
ekanini topam iz.www.ziyouz.com
kutubxonasi
(cr, + a 2) < 1 shart bajarilganda dinistor orqali oqadigan tok IK0 ni
tashkil etadi. ( a t + a 2) >1 b o ‘lganda dinistor ochiladi va to k o ‘tkaza
boshlaydi. D inistorning ulanish sharti shundan iborat.
D in isto rd aa! yokior2 tok uzatish koeffitsienti a rni oshirishning
yagona usuli uning anodida kuchlanishni oshirishdan iborat. K uchlanish
ortishi bilan U = UULAN dan tranzistorlam ing biri to ‘yinish rejim iga
o ‘tadi. U shbu tranzistorning kollektor toki, ikkinchi tranzistorning
baza zanjirida oqib uni ochadi, o ‘z navbatida, birinchi tranzistorning
baza tokini oshiradi. N atijada tranzistorlam ing kollektor toklari ular
to ‘yinish rejimiga o ‘tm aguncha k o ‘chkili ortadi.
a)
b)