Silindrik magnit domen (SM D )lar asosidagi funksional elektronika
asboblarining tuzilish va ishlash prinsipi bilan tanishamiz.
Barcha m agnitoelektron qurilm alarda dom enlar ishtirokidagi
jarayonlar ishlatiladi, qurilmalarning o ‘zi esa ikkilik sanoq tizim ida
aks ettirilgan axborotni qayta ishlash va saqlash uchun ishlatiladi.
SM D m a’lum sharoitda umumiy formulasi RFeO, bo‘lgan monokristall
plastinalar yoki ba’zi ferritlarning yupqa pardalarida hosil bo‘ladi.
Agar formuladagi R — yer ishqoriy elem ent bo‘lsa, modda ortoferrit deb, agar ittriy bo‘lsa granat deb ataladi. Qalinligi h = 3T0_5-M T 0-3
smli ortoferrit plastina yoki granat pardasi tashqi magnit maydon
mavjud bo'lmagan holda m agnitlanganlik vektorlari qaram a-qarshi
yo‘nalgan chiziqli dom enlardan tuziladi. Keltirilgan qalinliklarda
dom enlar materialning butun ko‘ndalang kesimini egallaydi va turli
shaklga ega bo‘ladi. Yettita chiziqli dom enga ega parda (kristal)ning
bir qismi 13.21, a-rasm da ko‘rsatilgan. Parda sirtiga tik yo‘nalgan
tashqi magnit maydon NTASH ta ’sir etganda maydon vektori yo'nalishi
tashqi m aydonniki bilan b ir xil dom enlar kattalashadi, m aydon
vektoriga teskari yo‘nalgan dom enlar esa kichiklashadi va tashqi magnit
maydonning m a’lum qiymatida SM Dlarga aylanadi (13.21, b-rasm).
Tashqi magnit maydon ortgan sari dom enlar diametri ular yo‘qolib
ketgunicha kamayadi va parda bir tekis magnitlanadi, ya’ni bitta
yaxlit domen hosil bo‘lgandek bo‘ladi.
a) b)www.ziyouz.com
kutubxonasi
SM Dlar diam etri ferrit materialiga qarab 50-H mkm bo‘ladi.
SM Dlarning turg'un saqlanishi tashqi magnit maydon borligi hisobiga
amalga oshadi. SM Dlarnig borligi (yoki yo‘qligi) ikkilik sanoq tizimida
aks ettirilgan axborotning saqlanishiga teng deb qaralishi mumkin.
Ushbu holat katta hajmga ega xotira qurilmalarni hosil qilish uchun
ishlatiladi, chunki ortoferrit kristalining 1 sm2 yuzasida chamasi 107
bit axborot saqlanishi mumkin.
Boshqa tom ondan yondoshilganda, agar kristalning m a’lum
pozitsiyalarida SM Dlar generatsiyasi ta ’minlansa, ular diskret siljitish
axborotlarni yozish va o ‘qish, hamda o'chirish uchun ishlatilishi
mumkin.
Xotira qurilmasining magnit ISlarida SM Dlar tokli sim sirtmoq
ko‘rinishidagi dom enlar generatori yordamida hosil qilinadi (13.22,
a-rasm). Tokli sirtmoq 1 asos 4 sirtida joylashgan asosiy ferrit parda 3
sirtidagi izolyasiyalovchi parda 2 ga purkash bilan hosil qilinadi.
M o n o k ris ta ll p a rd a la r ( fe r ritla r, g ra n a tla r) b u g 1 fa z a d a n
m agnitlanm aydigan, m asalan, gadoliniy — galliyli granat asosga
kimyoviy o ‘tkazish yo‘li bilan olinadi.
SM D halqa orqali pardaning lokal sohasini qayta magnitlash uchun
yetarli amplitudasi yuzlarcha mAni tashkil etuvchi / tok impulsi
o'tkazilganda hosil bo‘ladi. Domenlarni o ‘chirish davomiyligi 1 mks,
amplitudasi 200 mA va yo‘nalishi SM D hosil qiluvchi tok yo‘nalishiga
teskari tok o ‘tkazish bilan amalga oshiriladi.
Musbat (+) va manfiy (-) ishoralar bilan mos ravishda SM Dning
janubiy va shimoliy qutblari belgilangan.
SM Dni yupqa pardaning m a’lum sohasida fiksatsiya qilish uchun
magnitostatik tutgichlardan foydalaniladi. Tutgich maxsus magnit
yum shoq m aterial p erm o llo y d an yasalgan m a’lum shakldagi
applikatsiyalardan iborat. Applikatsiya ostidagi sohada tashqi magnit
maydon ekranlanadi va potensial chuqur — tutgich hosil bo ‘ladi.
Shuning uchun SM D chuqurga tushib istalgancha uzoq vaqt saqlanishi
mumkin.
SM Dning ma’lum nuqtaga (manzilga) siljitilishi quyidagicha amalga
oshiriladi. Asosiy yupqa parda sirtida applikatsiyalarga aylanish o ‘qi
asosiy parda sirtiga tik yo‘nalgan aylanib turuvchi tashqi NB0ShQmaydon
ta’sir etadi. Aylanib turuvchi magnit maydon bir-biriga nisbatan 90°
ga burilgan, ikki fazali tok bilan ta’minlanuvchi ikkita g‘altak yordamidawww.ziyouz.com
kutubxonasi
hosil qilinadi. Bu holda natijalovchi maydon NBOShQvektori soat strelkasi
bo'ylab со burchak tezlik bilan tekis buraladi. NBOShQ maydon SM Dga
amaliy ta ’sir ko'rsatmaydi, lekin permalloyli applikatsiyalarda magnit
zaryadlar qutblarining davriy qayta taqsimlanishini hosil qiladi. Aytib
o ‘tiIgan qutblarning SM Dga ta ’siri uni chapdan o‘ngga siljishiga olib
keladi.
13.22-rasm. SMD asosidagi xotira qurilmasi:
ustidan ko‘rinishi (a) va qirqimi (b).
SMDlaming siljishi T-simon yoki shevronli permalloy applikatsiyalar
orqali am alga oshishi m um kin. Shevronli applikatsiyalar keng
qo'llaniladi. Ular zich joylashishi va diametri 1 mkm amtroflda bo‘lgan
dom enlar siljishini ta ’minlaydi. Uchta shevronli applikatsiyadan tashkil
topgan tuzilma, NB0ShQ yo‘nalishi, applikatsiyalarda magnit qutblar
holati va maydonning turli holatlarida SM D holati 13.23-rasmda
ko‘rsatilgan. Applikatsiyalar dom enning janubiy qutbiga tegadi deb
faraz qilinadi.
Applikatsiyalar bir-biridan _ 1 mkm masofada joylashib registrni
hosil qiladi. SM D asosidagi xotira qurilmalarida 8 ta yoki 16 ta bir
biriga yaqin joylashgan dom enlar generatorlari hosil qilinadi va ular 8
yoki 16 razryadli sonlarni yozuvchi registrni tashkil etadi. D om enlar
siljish tezligi sekundiga yuzlarcha m etrni tashkil etishi m um kin,
axborotni yozish tezligi esa 105-И 0 6 bit/s ni tashkil etadi. Axborotni
o ‘qish uchun magnitorezistiv effektga ega yarim o‘tkazgich halqadan
foydalaniladi. Magnitorezistiv effekt sodir bo‘lganda yarim o‘tkazgichwww.ziyouz.com
kutubxonasi
ostidan SM D o'tganda uning elektr qarshiligi o ‘zgaradi. Buning uchun
halqa (datchik) orqali o ‘zgarmas tok o'tkaziladi. Agar datchik ostidan
SM D o ‘tsa halqadagi magnit maydon o'zgaradi. U bilan birgalikda
halqa qarshiligi va undan o ‘tadigan tok qiymati ham o'zgaradi.
Mantiqiy ko'prik sxemaga ulangan bunday mikrovoltli datchikning
signali keyinchalik kuchaytiriladi.
