‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

-EM va +EU, sxemaga korreksiyalovchi kuchlanish manbayi ulangan
elektrod UKOR.
9.16-rasm. Uch kaskadli OK prinsipial sxemasi.
Kirish kaskadi VTl va VT2 tranzistorlarda tuzilgan klassik DK
sxemasi bo‘lib, yuklama sifatida RKI va /?^2rezistorlar q o ‘llanilgan.
Ularning em itter toklari o ‘zgarmasligini VT3 va VT4 tranzistorlarda
qurilgan BTG ta ’minlaydi. Kuchaytirgichda sochilayotgan quw atniwww.ziyouz.com
kutubxonasi
kamaytirish maqsadida, BTGning Rs/L siljitish rezistori OKning bitta
kuchlanish m anbayidan ( ~EM) ta ’m inlanadi. RE] va RE^ rezistorlar
yuklama toki bo‘yicha mahalliy ketma-ket manfiy TAni tashkil etadilar
va DKning kirish qarshiligini oshiradilar.
Muvofiqlashtiruvchi kaskad p—n—p turdagi VT5 va VT6 tranzistorlar
asosidagi DKda hosil qilingan. Qarama-qarshi o'tkazuvchanlikka ega
bo'lgan p—n—p turdagi tranzistorlarning qo‘llanilishi chiqish kaskadi
chiqishidagi kuchlanishni deyarli nolgacha siljitish imkonini beradi.
Birinchi kaskad chiqishida kirish signalining sinfaz tashkil etuvchisi
deyarli mavjud bo‘lmaganligi sababli, ikkinchi kaskadda uni so‘ndirish
talab qilinmaydi. Shuning uchun VT5 va VT6 tranzistorlarning em itter
zanjirlarida BTG qo‘llanilmaydi. Bu holat ikkinchi kaskad toklarini
milliamper darajaga ko‘tarish va kuchaytirish koeffitsientini yana 30
marta va undan yuqori qiymatga oshirish imkonini beradi. Ikkinchi
kaskad nosimmetrik chiqishga ega. Bu.iing natijasida VT5 tranzistor
kollektor zanjirida rezistor q o ‘llanilmaydi.
Ikkinchi avlodga mansub K544UD1 turli ikki kaskadli OKning
soddalashtirilgan sxem asi 9.17-rasm da keltirilgan b o ‘lib, unda
muvofiqlashtiruvchi kaskad qoilanilm agan. Shu sababli kuchaytirish
koeffitsienti qiymatini yuqori olish uchun kirish D K ida rezistorli
yuklama differensial yuklamaga almashtirilgan. Bunday sxemotexnik
yechimga, ISning umumiy asosda bir xil xarakteristikalarga ega bo‘lgan
9.17-rasm. K544UD1 turli ikki kaskadli OK prinsipial sxemasi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
egizak n — p — n va p — n — p BTlarni yasash texnologiyasi
o'zlashtirilgandan so‘ng erishildi. Bundan tashqari, DKlarda ВТ o'rniga
n — kanalli VT2 va VT5 M Tlar ham qo'llanilgan. Ular kuchaytirish
va chastota xususiyatlari BTlarga nisbatan past bo'lishiga qaramasdan,
kirish toklarini keskin kam aytirish va kirish qarshiligi ortishini
ta’minlaydilar. VT1, VT3 va VT4 tranzistorlarda hosil qilingan BTG
dinam ik yuklam a hisoblanadi. DK ning kirish toki VT6 va VT7
tranzistorlar asosidagi tok generatori yordamida barqarorlashtirilgan.
Chiqish kaskadi ikki bosqichdan iborat. Birinchi bosqich UE ulangan
VT8 tranzistor asosida hosil qilingan bo‘lib, unga yuklama toki bo'yicha
ketma-ket manfiy TA zanjiri kiritilgan. Ikkinchi bosqich VT10 va VT11
komplementar tranzistorlarda hosil qilingan AB sinfiga mansub ikki
taktli quw at kuchaytirgichdan iborat. Yuqori chastotalarda har bir
kaskad fazani siljitadi. M a’lum chastotalarda manfiy TAli OKlarda
natijaviy faza siljishi 360° ga teng bo'lib, kuchaytirgich turg'unligini
yo'qotadi. Turg'unlikni oshirish uchun VT8 tranzistor kollektor o'tishini
shuntlovchi ichki yoki tashqi CK0R kondensator ulanadi.
Hozirgi kunda OKlarning turli seriyalari ikki va uch kaskadli
sxemalar asosida ishlab chiqarilmoqda.