Z. M. Bobur nomidagi andijon davlat universiteti magistratura bo‘limi

Arsenid galliyasosidagi injeksion lazeri.  

 

 

Lazer  fizikasi  va  texnologiyasi  kashf  etilgandan  keyin  qisqa  vaqt  ichida 

qattiq  jismli,  gazli  va  yarimo`tkazgichli  materiallar  asosida  optik,  elektronli  

injeksion  va    boshqa  turdagi    damlashlar  asosida  ishlovchi  turli  lazerlar  yaratilib, 

texnika  va  ishlab  chiqarishning  ko`plab  sohalarida  qo`llanilib  kelinmoqda.  

Lazerlarning amaliyotda bunday keng  qo`llanilishiga ularning asosiy xususiyatlari 

–  nurlanishini  kogarentligi,  yo`nalishini  boshqarish  imkoniyati  borligi  va  yuqori 

quvvatligidadir.    Yarimo`tkazgichli    lazer  qattiq  jismli  lazerlarning  o`ziga  xos 

xususiyatlaridan  biridir.    Dastlabki    yarimo`tkazgichli  lazerlar  1962  yilda  arsenid 

galliy  (GaAs)  ning  p-n  o`tishlari  asosida  yaratilgan  edi.  Keyinchalik  boshqa 

materiallar  va  yarimo`tkazgichlarni  uyg’otishni  boshqa  usullaridan  foydalanish 

yo`lga qo`yildi. 

 

 

Hozirgi  vaqtda  injeksion  yarimo`tkazgichli  lazerlar    ko`p  tarqalgan 

(nomuvozanat  zaryadlarning  injeksiyasi  p  –  n  o`tishlar  orqali  amalga  oshiriladi). 

Dastlabki  injeksion  lazer  (



  si  0,84  mkm  atrofida)  arsenid  galliy  (GaAs)  

---

 

61 

yarimo`tkazgichida ishga tushirilgan edi. Hozirgi vaqtda GaAs diodiga asoslangan 

yarimo`tkazgichli  lazerlar  keng  tarqalgan.  Arsenid  galliy  kulrang  mo`rt  kristall 

bo`lib 1510 K da eriydi. Sindirish ko`rsatkichi 3,6 ga teng bo`lib GaAs da p – n –

o`tishlar bir necha usul bilan hosil qilinishi mumkin. Odatda silliq  p – n –o`tishlar 

donor  kirishmalar  (  Te,  Se  va  boshqalar)  bilan  legirlangan  materialga  akseptor 

kirishmalarni  (Zn,  Cd  va  hokazalarni)  diffuziya  qilish  yo`li  bilan  hosil  qilinadi. 

Lazer materiali sifatida GaAs da nurlanish rekombinatsiyasi katta ahamiyatga ega. 

Shu tufayli uning yordamida birinchi yarimo`tkazgichli lazer yaratilgan edi.  

Hamma yarimo`tkazgichli lazer materiallar, shu jumladan, GaAs ning eng muhim 

xususiyati shundan iboratki, ular boshqa lazer materiallariga  (ion kristalli, shisha, 

suyuqlik,  xususan  gaz  muhitlari)  qaraganda  elektromagnit  nurlanishi  yuqori 

darajada  kuchaytiradi.  Shuning  uchun  juda  kichik  na’munalarda  ham  generasiya 

shartini bajarish mumkin. Odatda GaAs lazeri uzunligi millimetrning bo`laklaridan 

millimetrgacha  bo`lgan  to`g’ri  burchakli  paralellopiped  shaklida  yasaldi.Ammo 

chiziqli  o`lchamlari  bir  necha  o`n  mikrometr  bo`lgan  GaAs  lazer  diodlari  ham 

yasaladi. 25-rasmda arsenid galliy lazerining sxemasi keltirilgan. p-n o`tishlarning 

tekisligiga  perpendikulyar  bo`lgan  yon  tomonlari  yaxshilab  silliqlanadi  va  ochiq 

rezonatorning ko`zgusi vazifasini bajaradi.  

 

 

 

 

 

 

     25-rasm. Arsenid galliy lazerining sxematik tasviri: 1 – silliqlangan uch tomonidagi yuzalar; 2 -