“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Tayanch so’zlar
Kristallografik nuqsonlar, monokristall, kubik panjara, kremniy plyonkasi, kremniy yuzasi, avtoepitaksiya, gomogen sistema, geteroepitaksial plyonka, yuqori vakuum, atomlar manbasi, kristall panjara, temperaturaviy kengayish koeffitsienti, joylashishga bog’liq bo’lgan nuqsonlar (defektû upakovki), ikkilanishlarning paydo bo’lishi (proyavlenie dvoynikov), nuqtaviy nuqsonlar, dislokatsiya, epitaksial o’stirish, myetall plyonkalari, silitsid, fizik parametrlar, kristallografik parametrlar, solishtirma qarshilik, amorf jism, monokristall, polikristall, tekstura.
Savollar

1. 
   Kremniy epitaksial qatlamida kristallografik nuqsonlar.
   
2. 
   Avtoepitaksiya nima? Gomogen sistema nima?
   
3. 
   Geteroepitaksiya plyonka nima?
   
4. 
   Epitaksial plyonkalar o’stiriladigan asoslarga qo’yiladigan asosiy talablar.
   
5. 
   Kremniy yuzasi CoSi₂ ni epitaksial o’stirish.
   
6. 
   CoSi₂/Si tizimi uchun solishtirma qarshilikning plyonka qalinligi va temperaturaga bog’liqligi.
   
7. 
   Asosga qo’yiladigan talablar.
   
8. 
   Si va CoSi₂ larning fizik parametrlari va kristallografik parametrlari.
   

Adabiyotlar

1. 
   [2] 219-245 betlar
   
2. 
   [1] Iq 120-127 betlar
   

25-ma’ruza


Reja

1. 
   Epitaksial qatlamlarning profil bo’yicha tarkibi.
   
2. 
   Xona haroratida Co/Si uchun chegaraviy qatlamida So atomlari kontsentratsiyasining o’zgarishi.
   
3. 
   CoSi₂/Si(100) tizimi uchun S_So va C_Si kontsentratsiyalarning profil (chuqurlik) bo’yicha joylashishi.
   

EPITAKSIAL QATLAMLARNING PROFIL BO’ÉIChA KIMYoVIÉ TARKIBI.
Biror monokristallning yuza qismida plyonkalar hosil qilganimizda ma’lum bir optimal temperaturagacha qizdirmaguncha plyonkani chuqurlik bo’yicha tahlil qilganimizda uning tarkibi har xil bo’ladi. Masalan, QF” usuli bilan CoSi₂ plyonkasini hosil qilish uchun Si ning yuzasiga So




25.1-расм. Хона температураси Co/Si шароити учун чегаравий ќатламида Со атомлари концентрациясининг ўзгариши.

o’tkaziladi. Ammo, xona haroratidayoq diffuziya hisobiga plyonkada ham, asosning yuza va yuza osti qismlarida ham elementar hamda kimyoviy tarkib har xil bo’lishi mumkin.

25.1-rasmdan ko’rinadiki, ideal holda 500 E gacha faqat So bo’lib, keyin uning kontsentratsiyasi tezda 0 ga teng bo’lishi kerak. Real holda esa plyonkadagi So atomlari o’rnining bir qismini Si atomlari egallaydi, asosning bir qismini esa So atomlari egallaydi. Bunda atomlar aralashib ketgan qismda kimyoviy tarkib ham har xil bo’lishi mumkin. Masalan, ... Co₃Si, Co₂Si, CoSi, CoSi₂, CoSi₃ ... . Qizdirilgan holda esa, kimyoviy birikmalarning hosil bo’lishi ko’payadi. Faraz qilaylikki, ma’lum haroratda epitaksial plyonka hosil bo’lsin. Masalan, CoSi₂ uchun epitaksial plyonka hosil qilish uchun optimal temperatura 650 ⁰S bo’ladi.

2
25.2-расм. CoSi₂/Si<100> учун С_со ва С_si концентрацияларнинг профил (чуšурлик) бўйича жойлашиши



5.2-rasmdan ko’rinadiki, eng idealga yaqin holatda kimyoviy tarkib uch qismdan iborat bo’ladi:

1. 
   ma’lum bir qalinlikdagi mukammal epitaksial plyonka,
   
2. 
   o’tish qatlami (u ham epitaksial, ammo tarkibi o’zgarib boradi),
   
3. 
   asos, ya’ni Si (podlojka).
   

Plyonkalarning kimyoviy va elementar tarkibini chuqurlik bo’yicha aniqlash uchun ko’p hollarda OES metodi yuzalarni ionlar bilan edirish metodi bilan birga ishlatiladi.
Bu usulda ion bilan yuza ediriladi, buning uchun qancha vaqtda qancha edirish oldindan kalibrovka qilinadi, edirilgan joyga elektron dastasi tushirilib, OES usuli yordamida elementar va kimyoviy tarkib aniqlanadi. Bu holda to’g’ri informatsiya olish uchun edirilgan yuzaning kattaligi elektron dastasining diametridan kamida 5—6 marta katta bo’lishi kerak.