“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Ion-molekulyar usul.
Bu usulga asosan, yuzaga o’tkazilgan atomlarning ma’lum bir qismi ionlashtiriladi va ularga energiya beriladi. Bu tushayotgan ionlar asos va o’tkazilgan atomlarning aralashib ketishini tezlashtiradi va nisbatan kichik temperaturalarda kerakli plyonkalar olishni ta’minlaydi.


Ion implantatsiya usuli.
Bu usulda kerakli element atomlari to’laligicha ionlarga aylantiriladi va ularga elektr maydoni yordamida energiya byerilib, asosning yuzasiga tushiriladi. Bu energiyaning hisobiga ionlar asosning ichiga kirib borib joylashadi. Ko’pincha, jarayonning o’zida kerakli birikmalar hosil bo’ladi. Masalan, BaSi yoki BaSi₂ birikmasini olish uchun kremniyning yuzasiga bariy ionlari bilan uriladi. Bunda bariyning ko’p qismi kremniyning yuza osti qatlamlariga joylashib, kerakli birikmalarni hosil qiladi. Ion implantatsiya usulida monokristallarning yuzasi buziladi, ko’p hollarda hosil bo’layotgan plyonka amorf bo’ladi, uni kristall holga aylantirish uchun qizdirish kerak bo’ladi. Ion implantatsiya usulining eng asosiy afzalligi shundan iboratki, bu usul bilan har qanday materialga turli xil atomlarni kiritishi mumkin.
Tayanch so’zlari:
Ion-aktivatsion usul, temperatura, plyonkani qalinligi, chegaraviy qatlam, bir jinsli tarkib, aralashmalar aktivlashishi, diffuziya, chegaraviy qatlam, asosning yuzasi, ion-molekulyar usul, ion implantatsiya, effekt maydoni.


Savollar

1. 
   Yupqa plyonkalar olishda ion-aktivatsion usullarni qo’llash va bundagi muammolar.
   
2. 
   Ion-molekulyar usul.
   
3. 
   Ion-implantatsiya usuli.
   
4. 
   VaSi, BaSi₂, NaSi yupka plyonkalarini ion-implantatsiya usuli bilan hosil qilish.
   
5. 
   VaSi, BaSi₂, birikmalari qanday olinadi?
   
6. 
   Ion-implantasiya usulining eng asosiy afzalligi nimadan iborat.
   
7. 
   Plyonka qalinligini oshirish jarayonida temperaturaning ko’tarilishi qanday muammolarni yuzaga keltiradi?
   
8. 
   Nima hisobiga ion implantasiya usulida ionlar asosning ichiga kirib borib joylashadi?