«vismut-surma telluridlari asosidagi yarimo’tkazgichli plyonkalarning tenzorezistiv xususiyatlarini tadqiq etish»

Qotishma (ishlab chiqilgan yili)	Legirlovchi element
Kirishma, dan katta emas
Zn	Mg	Cu	Mn	Cr	Zr	Fe	Si
B95 (1944)		1,8-2,8	1,4- 2,0	0,2-0,6	0,1-0,25	-	0,5	0,5
B96S (1956)	8,0-9,0	2,3-3,0	2,0-2,6	-	-	0,1-0,2	0,4	0,3
B96S-1 (1968)	8,0-9,0	2,3-3,0	2,0-2,6	0,3-0,8	-	0,1-0,16	0,3	0,3
B96S-3 (1970)	7,6-8,6	1,7-2,3	1,4-2,0	-	-	0,1-0,2	0,2	0,1
V93 1957)	6,5-7,3	1,6-2,2	0,8-1,2	-	-	-	0,2-0,4*	0,2
V95pch (1971)	5,0-6,5	1,8-2,8	1,4-2.0	0,2-0,6	0,1-0,25	-	0,25	0,1
V95och (1969)	5,0-6,5	1,8-2,8	1,4-2,0	0,2-0,6	0,1-0,25	-	0,15	0,1
V95pch (1967)	6,5-7,3	1,6-2,8	0,8-1,2	-	-	-	0,2-0,4	0,1

Biroq sistemaning o‘ziga xosligi shundaki, Al-Mg-Zn va Al-Cu-Mg sistemaning hosil bo‘lgan izomorf intermetalli fazalarida erituvchanlik ixtiyoriy bo‘lish mumkinligi kuzatilgan va yyetarli darajadagi qattiq eritmalar olish mumkin. Bunda strukturaviy fazalarning o‘lchamlari 1 va 30 nm (10^-7 dan 3·10⁶ sm gacha) va masalan, V-95 qotishma uchun fazalarning formalari sharsimondan ignasimonga qadar o‘zgaradi.

Yuqoridan qayd qilinganidek, tenzoo‘zgartirgichlar bunday konstruksiyalar sirtiga deformatsiya ta’sirini o‘rganish (o‘lchash)da qo‘llaniladi. Spectroscan spektrometr yordamida yupqa plyonkali yarim o‘tkazgichlarning atomli tarkibi o‘rganilgan.
Ular to‘plangan charchashni yoki ichki strukturaviy emirilishni tekshirishda polikristalli alyuminiy qotishmalardan tayyorlangan datchiklar ishlatiladi. Jadvaldan ko‘rinayaptiki, datchik tarkibi asosiy Bi, Te, Sb elementlardan tashqari boshqa Sc, Ba, Nb, V, La, Cd, Cu, Mo, Re elementlardan ham foydalaniladi va ular hisobiga datchik sezgirligi va ishlatish texnologiyasi o‘zgartiriladi.
To‘plangan charchash hisobiga emirilishni o‘lchash aniqligini orttirish maqsadida polikristalli alyuminiy qotishmalardan tayyorlangan strukturada qotishma va geterogen polikristalli yarim o‘tkazgichli muhitlar strukturalari xossalari bir biriga yaqin bo‘lishi talab etiladi. Biroq amalda ayniy strukturlarni, masalan, alyuminiy qotishmali va (Bi-Sb-Te) asosida nanokristalli yarim o‘tkazgichli yupqa plyonkalar olish olish mumkin emas.
Xususan bitta eksperimental nuqtaga mos keladigan holga bir xil sharoitda o‘stirilgan alyuminiy qotishmalarining charchash egriliklarini topish uchun 10-12 marta namunalar olish talab etiladi.
Bir xil kattaliklar (masalan, σ_max va N) tekshirilgan eksperimental nuqtalarning bir biridan farqi juda katta: 10-30 karrali farq qiladi. Shu sabab individual (konkret) konstruksion qotishmalarning charchashga nisbatan sezgir elementlarni-namunalar tanlashni talab qiladi.
Bunday tur muammoalarni echish birinchi navbatda talab darajadagi yupqa plyonkalarni olish texneologiyasini yaratishni talab etadi va ularning sifatliligini tanlash ham talab etiladi.
Bu holda nanokristalli yupqa plyonkalarning elektrofizik xususiyatlari bug‘latish hamda kondensatsiya temperaturasiga, shuningdek namuna tayyorlanadigan shixta va taglik materiallariga, shuningdek taglik va bug‘latgichlar orasidagi masofaga, texnologik kameradagi vakuum darajasiga bog‘liq bo‘ladi. (Bi-Sb-Te) asosida tayyorlangan yupqa plyonkali tenzoo‘zgartirgichlarning atomli tarkibi
1.4-jadval

l 10^-11cm	929	942	1144	1314	1334	1392	1418	1432
I Imp/sek	108	111	18699	1548	294	921	450	830
Corresp onding element	Cd 930.66 KB2	Sb 940.71 KA1	Bi 1143.86 LA1	Bi 1316.10 L1	Nb 1331.52 KB1,3	Cu 1392.22 KB1,3	Mo 1418.60 KA1	Re 1432.90 LA1
l 10^-11cm	1490	1540	2284	2408	2568	2776	3077	3031
I Imp/sec	733	1573	163	28	79.5	41.8	162	306
Corresp onding element	Nb KA1	Cu 1540.56 KA	V 2284.4 KB1,3	La 2410.5 LB3	Ba 2568.2 LB1	Ba 2776 LA1	Te 3076.8 LB1	Sc 3030.9 KA

Bu parametrlar, o‘z navbatida, nanokristalli yupqa plyonkalarning strukturasi va fazaviy tarkibiga o‘z ta’sirini ko‘rsatadi.
1.4§ Tenzorezistorlar turlari va ularda o’lchash mexanizmlari
Texnikaning turli sohalarida konstruksiya va detallari tadqiq etishda tenzometr va turli prinsiplarda ishlaydigan deformatsiya o‘zgartkichlardan keng foydalaniladi. Hozirgi paytda inshootlar, qurilish konstruksiyalari va detallarini sinashda deformatsiyalari o’lchashda tenzorezistorlar keng qo’llaniladi.
Tenzorezistorlar deformatsiyalari masofadan turib o’lchaydigan asboblar sirasiga kiradi. Lotincha «tenzum» (kuchlantirmoq, cho‘zmoq) va grekcha «metreo» (o’lchayman) so‘zlaridan olingan. Tenzorezistor termini lotincha «rezisto» (qarshilik) so‘zidan olingan bo’lib, hozirda avalgi «tenzometr» yoki «tenzouzatkich» terminlari o‘rniga qo’llaniladi. Tenzorezistorlarning ishlash prinsipi o'tkazgich va yarim o'tkazgichlarni deformatsiya jarayonida qarshiliklari R o'zgarishiga asoslanadi. Tenzorezistorning asosiy xarakteristikasi uning tenzosezuvchanlik koeffitsientidir.
K=(_{ }R/R)/_{ }(_{ }/l)  (1.5)
Bu koeffitsient tenzorezistor elektr nisbiy o'zgarishi _{ }R/R ni shu o'zgarishning vujudga kelishiga sababchi bo'layotgan material nisbiy deformatsiyasiga ε=_{ } /l nisbatiga tengdir, bu yerda l - o'tkazgichning uzunligi.
Tenzorezistorlari yasashda odatda mis va nikelning qotishmasidan foydalaniladi. Qurilish konstruksiyalarini sinashda sim, folga va yarimo'tkazgichlardan tayyorlangan tenzorezistorlardan foydalaniladi.
Halqali sim tenzorezistorlar (1.4-rasm, a) diametri 12-30 mk bo'lgan ingichka simdan tayyorlanib, inshootlari sinashda tenzorezistorlarning asosiy turlaridan biri sanalgan. Bunday tenzorezistorlarning bazasi 5 dan 100 mm gacha bo'lib, ulari yasash ham, ishlatish ham qulay. Biroq ularda ko'ndalang sezuvchanlikning mavjudligi bo'ylama o'q bo'ylab sezuvchanlikning pasayishiga olib keladi. Tenzorezistorning to'g'ri chiziqli simlarini bir-biriga bog'laydigan yarim halqa ko'rinishidagi qismida ko'ndalang deformatsiya ta’sirida ko'ndalang sezuvchanlik paydo bo'ladi, bu esa o'z navbatida tenzorezistorning bo'ylama o'qi bo'ylab yo'nalgan simlar sezuvchanligiga salbiy ta’sir etadi. [3]