Вазирлиги муҳаммад ал-хоразмий

ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ ВА КОММУНИКАЦИЯЛАРИНИ РИВОЖЛАНТИРИШ ВАЗИРЛИГИ

МУҲАММАД АЛ-ХОРАЗМИЙ НОМИДАГИ

ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ

Электроника ва радиотехника кафедраси

“ЭЛЕКТРОНИКА ВА СХЕМАЛАР 2” фанидан МУСТАҚИЛ ИШ

МАВЗУ: УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛИ КУЧАЙТИРГИЧ КАСКАДИНИ

ҲИСОБЛАШ

Гуруҳ: CAE003 Бажарди: Комилов Бунёд Текширди: Х.A. Саттаров

Тошкент 2022

УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛИ КУЧАЙТИРГИЧ КАСКАДИНИ ҲИСОБЛАШ


Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган BC549BP биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш.

Вариантлар ва дастлабки маълумотлар:

Вариант- лар	Транзистор тури	База сокин токи ^Iбп^,мкА	Манба кучланиши ^Ек^, В	Коллектор қаршилиги ^Rк^,^Ом	Кучайтиргичнинг қуйи чегаравий ^частотаси^fН^,^Гц
37	BC549BP	75	12	700	50

1. BC549BP транзисторининг параметрларини ҳисоблаш

1. 
   УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.
   

УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни U_кэ = 0 Вва U_кэ = 10 В бўлганида I_б = f(U_бэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади. 1- расм

1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш Аниқланган I_Б ва U_БЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу
қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда U_кэ = 0 В ва U_кэ=10 В бўлганда I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи
1- жадвал

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	605	25	696
50	626	50	720
75	638	75	735
100	647	100	747
125	654	125	757
150	659	150	766
175	664	175	774
200	668	200	781
250	675	250	793
300	680	300	804
350	684	350	814
400	688	400	823

Берилган қийматлар асосида I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм).

2- расм. BC549BP транзисторининг I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи графиги

УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни I_б = const бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.

Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)

3. 
   расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш
   

База токининг I_б = 25 мкА; I_б = 50 мкА; I_б = 75 мкА; I_б = 100 мкА; I_б = 125 мкА; I_б = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи I_к ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш U_кэ олинган қийматларини 2- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_б = const бўлганда I_к = f(U_кэ) графиги тузилади.

BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи I_к= f(U_кэ)

2- жадвал

^UКЭ	^IБ^=25^мкА бўлганда ^IК	^IБ^=50мкА бўлганда ^IК	^IБ^=75^мкА бўлганда ^IК	^IБ^=100мкА бўлганда ^IК	^IБ^=125 мкА бўлганда ^IК	^IБ^=150мкА бўлганда ^IК
0	0,29779	0,74952	0,124567	0,175934	0,227462	0,278503
0,5	7,314	14,441	21,103	27,333	33,209	38,776
1,0	7.362	14,537	21,244	27,517	33,43	39,035
2,0	7.46	14,729	21,525	27,881	33,872	39,552
3,0	7.557	14,92	21,805	28,245	34,315	40,069
4,0	7.654	15.112	22,086	28,609	34,757	40, 585
5,0	7.751	15,304	22,367	28,973	35,2	41,102
6,0	7.848	15,496	22,648	29,337	35,642	41,619
7,0	7.945	15,688	22,928	29,7	36,085	42,136
8,0	8.042	15,88	23,209	30,064	36,527	42,653
9,0	8.139	16,072	23,49	30,428	36,936	43,17
10	8,236	16,264	23,771	30,792	37,412	43,686
15	8.721	17,223	25,174	32,612	39,624	46,271
20	9.206	18.183	26,578	34,432	41,836	48,855

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) графигини тузамиз (4- расм).

4. 
   расм. BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) графиги
   

2. 
   BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.
   

BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи I_б = f(U_бэ) дан, h_11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи U_кэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи I_бп=75 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.

^h11э
 ^ΔUбэ , U ΔI_б
 const.

кэ
“А” нуқтанинг координаталри: I_бп=75 мкА, U_бэп=685мВ.
“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔI_б ва оралиқ кучланиш ΔU_бэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::

5. 
   расмдан I_б1=50 мкА, I_б2=100 мкА, U_бэ1=694 мВ, U_бэ2=673мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h_11эқуйидагича аниқланилади:
   

_{h } ΔU _бэ
 ^Uбэ2 ^Uбэ1
_ 694мВ  673мВ _{ 420Ом}

11э
ΔI _б
^Iб 2

• 
  I_б1
  

100мкА  50мкА

5- расм. h_11э параметрини график усулда аниқлаш

BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи

I_б = f(U_бэ) дан, h_12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун U_кэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. BC549BP транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1=10В – 0В=10В

ΔU_кэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:

ΔU_бэ= U_бэп4 – U_бэ3=685мВ – 578мВ=107мВ

6. 
   расм. h_12э параметрни график усулда аниқлаш h_12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
   

^h12э
_ U_бэ
U _кэ
 107мВ
10В
 10,710^3

BC549BP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи I_к =f(U_кэ) (I_б = const) дан h_21э параметрини аниқлаймиз. I_бп = 75 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Е_к = 10В, R_к = 400 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз

I_к токи ўқи бўйича Е_к/ R_к = 25 мА қийматини ажратиб оламиз. U_кэ кучланиши ўқи бўйича Е_к = 10В қийматини ажратиб оламиз.

6. 
   расм. h_21э параметрини гарфик усулда аниқлаш
   

“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: I_кп =14 мА, U_кэ=4,6В. I_б2 = 50 мкА ва I_б4 = 100 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.

Берилган I_бпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔI_б база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

ΔI_б = I_б4 – I_б2=100 мкА – 50 мкА=50мкА

Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔI_б база токи орттирмасига мос келади:

ΔI_к = I_к2 – I_к1=18,624мА – 9,427мА = 9,197 мА

h_21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

^h21э
_ I_к
I_б
 9,197мА
50мкА

 184

BC549BP A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_б = 50 мкА бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқликдан h_22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун I_бп = 75 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:

6. 
   расм. h_22э параметрини график усулда аниқлаш ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1= 6,42В – 2,66В = 3,66 В
   

Бу U_кэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради: ΔI_к=I_к4 – I_к3=14мА – 7,5мА = 6,5 мА


У ҳолда h_22э параметри қуйидагига тенг:

^h22э
_ I_к
U _кэ
 ^6,5мА  17 10^4 (См) 3,66В

3. 
   BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:
   

^Rвых
_ 1

Т
^h22э
_ 1

1710^4

 0,588 10³  0,588кОм

Т
^Rвх
^{ h}11э
 660Ом

3. 
   BC549BP транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:
   

  h_21э
 184

1.