Ван дер Пау методи билан ўлчашда контактларнинг жойлашуви A, B, c va d kontaktlar hosil qilinadi

2 – ma’ruza

Яримўтказгич материаллари солиштирма электр қаршилигин Ван дер Пау, нуқтавий контакт қаршилигининг оқиб кетиши усуллари ёрдамида ўлчаш.
Яримўтказгич материаллари солиштирма электр қаршилигин Ван дер Пау усули ёрдамида ўлчаш.

Ван дер Пау методи билан ўлчашда контактларнинг жойлашуви

A, B, C va D kontaktlar hosil qilinadi

d – namuna qalinligi
f- tuzatma funksiya

Яримўтказгич материаллари солиштирма электр қаршилигини нуқтавий контакт қаршилигининг оқиб кетиши усули ёрдамида ўлчаш.

Методнинг моҳияти

а

Контакт радиуси 1 дан бир неча ўн мкм гача, оқиб кетиш қаршилиги (Ом) эса яримўтказгичнинг солиштирма электр қаршилигидан (Ом·м) тахминан 3 даража катта бўлади

Одатда ўлчашларда икки ва ҳатто уч зондли схемадан фойдаланилади

Икки зондли схемада кучланиш ёки ток кучи генератори мароми танланади ва биринчи ҳолда кучланиш, иккинчи ҳолда эса ток кучи ўлчанади. Уч зондли схемада эса четки 2 ва 3 зондлар орқали ток ўтказилади, кучланиш эса 1 ва 2 зондлар жуфти орасида ички қаршилиги катта бўлган вольтметр ёрдамида ўлчанади. Бундай ўлчаш схемасида марказий зонд оқиш қаршилигида кучланиш тушуви ўлчанади ва бошқа 3 зондда кучланиш тушуви йўқотилади.

Икки зондли схемада кучланиш ёки ток кучи генератори мароми танланади ва биринчи ҳолда кучланиш, иккинчи ҳолда эса ток кучи ўлчанади. Уч зондли схемада эса четки 2 ва 3 зондлар орқали ток ўтказилади, кучланиш эса 1 ва 2 зондлар жуфти орасида ички қаршилиги катта бўлган вольтметр ёрдамида ўлчанади. Бундай ўлчаш схемасида марказий зонд оқиш қаршилигида кучланиш тушуви ўлчанади ва бошқа 3 зондда кучланиш тушуви йўқотилади.

Контакт радиусини бевосита ўлчаш қийин бўлганлиги учун, унинг қиймати қаршилиги аниқ бўлган калибровка намуналарида оқиш қаршилиги ўлчаш натижаларидан фойдаланиб аниқланади.

Зонд материали сифатида вольфрам ёки осмий карбиди
ишлатилади, чунки бу материалларда қатламга ажралиш йўқ
Контак майдонининг амалага ошадиган даражадаги ҳолатини олиш
учун контакт нинаси учини жуда кўп марта (500 мартагача) намуна
сиртига туширилади
Бундай мақсадлар учун сирти донлари ўлчами 5 мкмдан катта
бўлмаган абразив билан қайта ишланган кремний пластинкалари
ишлатилади.
Хоссалари бўйича омик контктга яқин бўлган контакт ҳосил қилиш
учун зондга катталиги 102÷103 Н/см2 механик кучланиш берилиши
керак.
1 мм/с 5÷20 мВ ёки 10-2÷10-7 А 103÷104 В/см
К – кўпайтма
RБ – баръер қаршилиги
Ge va Si uchun RО >> 2RБ ва шунинг учун
RО ≈ Kρ/2a
Aksincha GaAs uchun RБ >> Kρ/2a ва шунинг
учун RО ≈ 2RБ
Bir xil solishtirma elektr qarshiligida GaAs uchun
RО Si qaraganda 3÷6 daraja katta bo’ladi