Узбекское агентство связи и информатизации



Download 4,05 Mb.
bet6/12
Sana23.02.2022
Hajmi4,05 Mb.
#170138
TuriЛабораторная работа
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12
Bog'liq
Электроника. 2 рус.

Лабораторная работа № 5


Исследование статических ВАХ БТ в схеме включения с ОЭ

Цель работы: Исследовать основные статические характеристики и параметры биполярных транзисторов в схеме включения с ОЭ, познакомиться с методикой измерения характеристик и обработкой экспериментальных данных.


1. Подготовка к лабораторной работе:


Статическими характеристиками транзистора называются связи между токами и напряжениями, представленные в графической форме. В схеме с общим эмиттером в качестве независимых переменных выбирают ток базы IБ и напряжение коллектор-эмиттер UКЭ, тогда:


(5.1)

В графической форме функции двух переменных изображают в виде семейств характеристик.


Семейство входных характеристик БТ показано на рис. 5.1. а, а семейство выходных характеристик – на рис. 5.1. б.



Рис. 5.1. Семейство входных (а) и выходных (б) характеристик БТ


в схеме с ОЭ.
Каждая из характеристик представляется зависимостью
, при (5.2)
, при (5.3)
При работе с сигналами малой амплитуды IБm , UБЭm , IKm , UКЭm нелинейные зависимости (5.1–5.3) в окрестности произвольной рабочей точки, задаваемой значениями IБ (0) и UБЭ (0), могут быть линеаризированы, например с использованием h- параметров транзистора:
(5.4)
где , при
, при
, при (5.5)
, при
h - параметры в соответствии с формулами (4.5) можно определить с помощью семейств характеристик (h11Э и h12Э - по семейству входных, а h21Э и h22Э - по семейству выходных характеристик).
В практических расчетах часто используется и кусочно-линейная аппроксимация статических характеристик БТ см. рис.5.2.



а) б)

Рис. 5.2. Кусочно-линейная аппроксимация входного (а) и выходного (б) статических характеристик БТ.


Для аппроксимированных входных характеристик имеем


(5.6)

а для выходных




(5.7)

В формулах 5.6 и 5.7


UПОР - пороговое напряжение эмиттерного перехода,
- усредненное входное сопротивление транзистора ( ),
- выходное сопротивление транзистора в режиме насыщения (в начальной области).
, при и (5.8)
- усредненное выходное сопротивление транзистора в активном режиме.
при и 5.9)

2. Задание на выполнение лабораторной работы:


2.1. Провести подготовку к эксперименту:


Ознакомиться со структурой и предельными параметрами транзистора, данные транзистора занести в протокол; заготовить таблицы для измерений.
Таблица 5.1
Входные и управляющие характеристики



ЕБ

В




UБЭ

В




IБ

мкА




IK

мА




Таблица 5.2
Выходные характеристики транзистора



IБ, мкА







UКЭ

В







IK

мА







UКЭ

В







IK

мА







UКЭ

В







IK

мА




и т.д.










Собрать схему для измерений (рис. 5.2), схема цоколевки транзистора представлена на рис. 5.3. Сопротивление резистора R1= (5–10 ) кOм и R2= (510–1000 ) Oм.



Рис. 5.2. Схема измерения семейства статических характеристик БТ
в схеме с ОЭ.



Рис. 5.3. Схема цоколевки измеряемого образца.


2.2. Снять входную и управляющие характеристики транзистора при постоянном напряжении UКЭ = 5 В. Результаты измерений и расчетов занести в табл. 5.1.

2.3. Снять семейство выходных характеристик:


Семейство выходных характеристик снимать начиная от тока базы IБ =0мкА и далее с шагом 50 мкА. Ток коллектора при этом не должен превышать допустимого значения; шаг изменения напряжения UКЭ должен быть выбран так, чтобы в активном режиме (UКЭ>UБЭ) снять 3-5 точек и в режиме насыщения (UКЭ<UБЭ) - 2-3 точки.

3. Обработка результатов эксперимента:


3.1. Построить на графиках входную и управляющую характеристики, а также семейство выходных характеристик.


В точке UКЭ =5 В, IБ =100мкА определить параметры транзистора
, ,
3.2. Построить выходную характеристику при токе базы, равном 100 мкА. Провести ее линейно-кусочную аппроксимацию и определить UКЭ.НАС , IК.НАС, rК.НАС , rК..

4. Содержание отчета:


1. схемы измерений;


2. таблицы и графики снятых зависимостей;
3. результаты расчетов.

5. Контрольные вопросы.


1. Поясните принцип работы БТ в схеме включения с ОЭ, функции эмиттерного и коллекторного р-n перехода, области базы.


2. Назовите составляющие тока эмиттера и укажите его направление в транзисторах n-p-n и p-n-p.
3. Назовите составляющие тока базы и укажите его направление в транзисторах n-p-n и p-n-p.
4. Что такое токи IКБ0 и IКЭ0 ? Движением каких носителей они определяются?
5. Укажите на семейство выходных характеристик БТ в схеме ОБ активную область, области отсечки и насыщения.
6. Нарисуйте идеализированную электрическую модель БТ и объясните физическую смысл его параметров.
7. Что такое инверсный режим БТ ?

Download 4,05 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish