Узбекистан высшее и среднее специальное образование министерство имени ислама каримова

Таблица 8.3


E1, V


ОНАКИР , V


яКИР= E1 / R1, мА
Увеличение сигнала на выходе оптрона. торт. и снижение ткам.


измерить свое время.
Подсоедините схему, показанную на рисунке 8.8, к цепи светодиода.


подключить генератор импульсов. Установите на выходе генератора импульс амплитудой 5 В и частотой 1 кГц.R2 Подключите осциллограф к резистору через делитель напряжения 1:10. (Используйте другой канал осциллографа для измерения амплитуды импульса на выходе генератора).E2Установите = 5 В и увеличьте выходной ток по осциллограмме сигнала. торт. и снижение ткам. измерить свое время.


E2Установите = 0 и повторите измерения времени для фотоэлектрического режима.


Рисунок 8.8. Подключите генератор импульсов к цепи светодиода.

51

Исследование оптронных характеристик транзисторов.


Соберите схему, показанную на рисунке 8.9, E2= 5 В.


Рисунок 8.9. Исследование оптронных характеристик транзисторов.
(В этой схеме оптронный фотодиод и внешний транзистор имитируют фототранзистор).
Изменяя E1, яКИР= E1 / R1 и яCHIQ= ЯK с учетом транзисторной оптронной характеристики сигнала яCHIQ= f (IКИР) ni o „lchang. Введите результаты измерения в Таблицу 8.4, аналогичную Таблицам 8.2 и 8.3.