Узбекистан высшее и среднее специальное образование министерство имени ислама каримова

Граничные значения и положения выхода диодного оптрона, измеренные в лаборатории, приведены в приложении.


Задание на лабораторные работы:


Запишите принципиальную схему и граничные значения исследуемого оптрона.


Исследование оптронных характеристик диодов.


Соберите схему, показанную на рисунке 8.7. Данные из первоисточника


Установите значение предельного тока в соответствии с предельными значениями оптрона.


Входная характеристика оптрона при изменении E1 яКИР= f (UКИР) ni o „lchang. Входное сопротивление светодиодаR1 потому что оно намного меньше входного сопротивления яКИР= E1 / R1 возьми это.


Рисунок 8.7. Принципиальная схема исследования диодных оптронов
Введите результаты измерений в Таблицу 8.1.


Таблица 8.1


E1, V


ОНАКИР , V


яКИР= E1 / R1, мА


E2Возьмем = 0. E1 путем изменения характеристики пропускания оптрона для фотоэлектрического режима яCHIQ= f (IКИР) o „lchang.
Введите результаты измерения в Таблицу 8.2.

50

Таблица 8.2


E1, V


ОНАКИР , V


яКИР= E1 / R1, мА
E2= 5 В. Повторите вышеуказанные измерения для фотодиодного режима. Введите результаты измерений в Таблицу 8.3, как и в Таблицу 8.2.