Узбекистан высшее и среднее специальное образование министерство имени ислама каримова

Рисунок 4.1. Теоретический (1) и реальный (2) VAXi полупроводникового диода
Реальный полупроводниковый диод VAX показан на рисунке 4.5. Пунктирной линией показан идеальный VAX, соответствующий следующему уравнению:

- ОНА	-
я - я 0- е -1-
ОНАТ	-	(4.1)
-
-	-

T = 300 кДа UТ= 26 мВ.


Характеристики отражают основные свойства полупроводникового диода. В открытом состоянии определенная точность от полупроводникового диода


ток ( як'г 'ри - 0) потоки; это верно для полупроводникового диода


Напряжение онак'г 'ри предоставлено:

• 
  она > 0 -
  

Очень небольшой обратный ток от полупроводникового диода в закрытом состоянии яTesk (

• 
  - 0) потоки. Величина этого тока в германиевых диодах составляет 10-5 - 10- 6А, а
  

• 
  кремниевых диодах 10-9 - 10-12В нем есть аранжировка. Полупроводник
  

замкнутое состояние диода - обратное к нему напряжение онаTesk в результате выдачи:

22

• 
  она < 0+
  

Как видно из рисунка 4.1, настоящий полупроводниковый диод Правильная ветвь VAX относительно теоретической характеристики


представлен значением порогового напряжения онабо's сдвигается к гораздо более высокому полю постоянного напряжения, где генерируется значительный постоянный ток. В германиевых диодахонабо's - 0,25 -0,4 В, на кремниевых диодах -


онабо's - 0,68-0,8 В. ОНА -ОНАбесплатно правильной ветки VAX


сопротивление поля базы изгибного диода р'B определяется


Влияние внешней температуры на полупроводниковый диод VAX показано на рисунке 4.2. С повышением температуры увеличиваются прямой и обратный токи.


Рисунок 4.2 Влияние температуры окружающей среды на полупроводниковый диод VAX
Основными параметрами, учитывающими влияние температуры на полупроводниковый диод, являются: