Узбекистан высшее и среднее специальное образование министерство имени ислама каримова

а) б)


Рисунок 7.1. Канал p - это другой полевой транзистор

39

Рисунок 7.2. Канал p - характеристика различных полевых транзисторов


При соединении поля объемного заряда управляющего pn перехода и pn перехода между базой и каналом (сток ток) яS значение напряжения затвора, равное нулю) ОНАБО'С называется
Управляющие характеристики полевого транзистора, работающего в режиме насыщения, удобно аппроксимировать следующей зависимостью.

	- 1-ОНА	-	2
яS -	яS Максимум ^--	ZI -,	(7.1)
	- ОНАBO'S	-

здесь яSmax - максимальный сток ток затвор - напряжение питания нулевое ОНАZI знак равно Начальный ток запаса, соответствующий 0.
По контрольной характеристике (рис. 7.2) можно определить характеристическую крутизну.
S - dIS


dUZI USI - ^{const .}


При использовании приближения (7.1) крутизна следующая

определенный:


S - 2яS Максимум


ОНАBO'S

-	-
-1-		ОНА
		ZI	-,	(7.2)
-	ОНАBO'S -

Семейство выходных характеристик полевого транзистора показано на рисунке 7.3. Основная область характеристики (ОНАSISI.TO'Y) соответствует линейному режиму. В этом режиме канал доступен во всем стоковом ассортименте.

40

следовательно ОНАSI возрастает по линейному закону


сток токи я S - ОНАрSI также увеличивается.


K


ОНАSISI.TO'Y Транзистор переходит в режим насыщения, в этом случае ток запаса яS напряжение на складе ОНАSI не сильно зависит от Напряжение насыщения, которое является границей между двумя режимамиОНАSI.TO'YЗатвордаги
Напряжение ОНАZI и определяется по следующей формуле: ОНАSI.TO'Y = UZI -ОНАБО'С.. Выходное сопротивление можно определить по выходной характеристике (рисунок 7.3).


-ОНАSI
рЧИК - _-яS UZI -const


Рисунок 7.3. Канал p - это выходная характеристика различных полевых транзисторов.
Эта величина имеет большое значение при вычислении в режиме насыщения, поэтому, когда транзистор используется в качестве усилителя, в этом режиме выбирается тихая точка схемы. В линейном режиме выходным сопротивлением транзистора является напряжение на затворе.ОНАZI и примерно

• 
  выбранной рабочей точке ОНАSI Напряжение яS может быть определен в виде коэффициента текущей ликвидности или по формуле 7.3.
  

р -

рK 0

K

1-

ОНАZI,

(7.3)

ОНАBO 'S

здесь р -	K 0	ОНАBO'S .
		3яS Максимум

41. 
    год
    

Задание на лабораторные работы:


Схема, представленная на рисунке 7.4, в которой измеряются средства измерений.


Ознакомьтесь с инструкциями по паспорту полевого транзистора КП103. (смотри Приложение)


Изобразите Сокол и граничные параметры исследуемого


транзистора. ОНАSI.ChYeG, ЯС.ЧЁГ, ПChYeG записывать значения


брать Соберите схему, показанную на рисунке 7.4.


Напряжение на складе ОНАSI= 1 / 3USI.ChYeGи 2 / 3USI.ChYeG Измерьте две контрольные характеристики для значений (ОНАSI.ChYeG значение взято из паспортной инструкции). Введите результаты измерений в таблицу 7.1 и используйте их для построения контрольной характеристики. В эксперименте ОНАZI значение напряжения от 0 до правого напряжения ОНАБО'С


изменить на


Рисунок 7.4. Изучение МП в схеме подключения UI является фундаментальным.


схема
При трех значениях напряжения на клапане (ОНАZI= 0; 0,25ОНАBO „S; 0,5ОНАBO „S) семейство выходных характеристик яSзнак равнож(ОНАSI) ni o „lchang.


Перед экспериментом яS - ОНАSI определить допустимые режимы работы транзистора в системе координат (рисунок 7.4).

			Таблица 7.1
ОНАZI , V		яS, мА
	ОНАSI= 1 / 3UСИ ЧЁГ		ОНАSI= 2 / 3UСИ ЧЁГ

42

Примечание: рС.ЧЁГ построить линию ОНАSI напряжение от 0 ОНАSI.ChYeG В диапазоне значений выбирается произвольное количество значений, и в этих точках акции текущие. яS= PС ЧЁГ/ОНАSI является


Рисунок 7.4. рС.ЧЁГ построить линию
Введите точки, полученные в эксперименте, в таблицу 7.2 и отметьте их на подготовленном графике (рисунок 7.4). Будьте осторожны, чтобы не выйти за пределы допустимого диапазона для транзистора.


Таблица 7.2

ОНАSI , V			яS, мА
	ОНАZI= 0	ОНАZI= 0,25UБО'С		ОНАZI= 0,5UБО'С

Исследование влияния температуры на ток запаса транзистора. Поместите тестовый транзистор на термостат и установите соответствующее значение температуры, штатное напряжение.ОНАSI= 1 / 3USI.ChYeG стоит и Т = 40 0C и 80 0C две характеристики регулирования при температурах яS= f (UZI) ni o „lchang.


Введите результаты измерений в Таблицу 7.3 и используйте их. Т = 400 C и 80 0 C две характеристики регулирования при температурах яSзнак равнож(ОНАZI).

43. 
    год
    

Таблица 7.3

ОНАZI , V		яS, мА
	Т = 400C		Т = 800C

Обработка результатов, полученных в эксперименте.


Оцените контрольные характеристики, измеренные выше, с помощью выражения 7.1. Построены результаты аппроксимации. яS= f (UZI) на графике.


По характеристикам управления, вертикальность транзистора ОНАSI= 1 / 3USI.ChYeG определить рабочую точку
_{S -} -яS


-U USI -const


ZI
S определить значение для той же точки по формуле 7.2.

• 
  семействе измеренных выше выходных характеристик ОНАСИ СВАДЬБА= UZI - ОНАБО'С Укажите границу между линейным режимом и режимом насыщения, соответствующий интервалу.
  

Используя семейство выходных характеристик, определите выходное сопротивление транзистора для следующих рабочих точек:
- в режиме насыщения (ОНАSI= 1 / 3UСИ ЧЁГ, ОНАZI= 0,25 ед.ChYeG);

• 
  в линейном режиме ОНАSI= 0 и при трех значениях напряжения затвора
  

(ОНАZI= 0; 0,25UБО'С; 0,5UБО'С).


Введите результаты расчетов в таблицу 7.4 и используйте их для линейного режима. рCHIQ изОНАZI Создайте график зависимости от.


Таблица 7.4


ОНАZI , V рCHIQ, кОм

ОНАSI= 1 / 3UСИ ЧЁГ

ОНАSI= 0

ОНАZI= 0


ОНАZI= 0,25UChYeG


ОНАZI= 0,5UChYeG


Выше измеренный управление характеристики, разные