Узбекистан высшее и среднее специальное образование министерство имени ислама каримова

Т = 400S
Т = 800S

45

Таблица 7.6

ОНАZI , V	рCHIQ, кОм
	ОНАSI= 1 / 3UСИ ЧЁГ		ОНАSI= 0
ОНАZI= 0
ОНАZI= 0,25UChYeG
ОНАZI= 0,5UChYeG

На основе таблиц 7.5 и 7.6 мы строим соответствующие VAX.
Содержание отчета

1. 
   паспортная инструкция исследуемого транзистора;
   

2. 
   схема измерения;
   

3. 
   таблицы и графики измеренных зависимостей;
   

4. 
   аппроксимация управленческой характеристики, рассчитанная
   

вертикальность характеристики транзистора S и выходных характеристик рCHIQ


Результаты.
Контрольные вопросы

1. 
   Полевой транзистор, управляемый pn переходом.
   

описать и объяснить рабочий механизм.

2. 
   Опишите режимы работы полевого транзистора. В любом режиме
   

Какое соотношение напряжений между затвором транзистора и стоком?

3. 
   Какова система дифференциальных параметров в полевых транзисторах?
   

используется и почему?

4. 
   Полевой транзистор, управляемый pn переходом.
   

Опишите и объясните характеристики передачи.

5. 
   Полевой транзистор, управляемый pn переходом.
   

описать и объяснить семейство выходных характеристик.

6. 
   При прохождении вещества pn измеряется при разных температурах.
   

описывают сигнальные характеристики управляемого полевого транзистора. Чем объясняется наличие в этих характеристиках точек температурной стабильности?

46

8- лабораторные работы
Оптрон исследования
Цель работы: Изучение методов измерения характеристик и параметров оптронов.


Главная Информация:
Оптроны - Одно из современных направлений функциональной электроники является основным структурным элементом оптоэлектроники.


Простейший диодный оптрон (рис. 8.1) состоит из трех элементов: излучателя фотонов 1, излучателя света 2 и фотоприемника 3, помещенных в герметичный корпус, не принимающий свет. Когда на вход подается электрический сигнал, срабатывает фотонный осветитель. Свет попадает на фотоприемник через передатчик света,

• 
  вырабатывается выходной электрический сигнал. Главная особенность оптрона в том, что элементы в нем соединены светом, а входы и выходы электрически разделены. Благодаря этой особенности высоковольтные и низковольтные цепи легко согласовываются между собой. Обозначение диодного оптрона показано на рис. 8.2, а его конструкция - на рис. 8.3.
  

Рисунок 8.1. Структура диодно-оптрона Рис. 8.2. Условие диодного оптрона


значок
Фотодиоды (в основном фоторезисторы, фототранзисторы и фототиристоры) в основном используются для преобразования световых сигналов в электрические.


Фотодиод представляет собой простой np-переход и часто изготавливается из кремния или германия. Обратный ток в нем определяется скоростью генерации носителей заряда, возникающих в результате падения света. Это явление называется внутренним фотоэффектом.

47

Рисунок 8.3. Конструкция диодного оптрона