Urganch Davlat Universiteti Fizika-matematika fakulteti fizika yo’nalishi 191-guruh talabasi Salayeva Hilolaning ” “ fanidan kurs ishi mavzu: Topshirdi

15

E lektronlam ing istokdan stokka uchib o ‘tish vaqti T=L/v ifoda

bilan aniqlanadi. f « f s chastotalarda tiklikni o ‘zgarm as S₁ — S deb
hisoblash mumkin.
Agar L = 10 mkm µ_n=1500 sm /V - s, Us = 4 V b o ‘lsa, Ʈ _UCH = 0,5
ns ni tashkil etadi. Bunda f_S = 300 M G ts. Zamonaviy M D Y —
tranzistorlarda kanal uzunligi 4 mkm dan kichik. Bunda Ʈ _UCH < 0,01
ns va f_S >15 G G s. Natijada, tiklikning inersiyaliligini e ’tiborga olmasa
ham bo‘ladi.
Kuchaytirgichlarda ruxsat etilgan chastota fs dan tashqari chegaraviy
c hastota f_CHEG deb ataluvc hi chastota kiritilgan . MT asosidagi
kuchaytirgichning chegaraviy chastotasi kuchlanish bo‘y ic h a
kuchaytirish koeffitsienti moduli birga teng chastota sifatida aniqlanadi.
f_cheg=S/2πC_Chiq (3.3)
bu yerda C_chiq=C_sa+C _Yu
M T lar asosidagi kuchaytirgichlar chiqishiga sig‘imi S_ZIga yaqin S_Yu
kondensatorni ulash f_CHEG chastotani bir necha marta kamaytirishini
alohida ta ’kidlash kerak. S_Yu sig‘imning chegaraviy chastotaga katta
ta’sir ko‘rsatishining sababi, MTlarda BTlaiga nisbatan tiklik qiymatining
kichikligidadir.
p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning chastota
xususiyatlari. n —kanali r-n o ‘tish bilan boshqariladigan M T ning
soddalashtirilgan kichik signal ekvivalent sxemasi 6.12-rasm da keltirilgan.
U shbu sxema elem entlari M D Y — tranzistornikidek: R. —to'yinish
rejim ida kanalning differensial qarshiligi; |S| U_ZI — tranzistorning
kuchaytirish xossalarini aks ettiruvchi tok manbayi; C_ZI va C_ZS
p-n o ‘tish yon tomonlarining barer sig‘imlari.