Urganch Davlat Universiteti Fizika-matematika fakulteti fizika yo’nalishi 191-guruh talabasi Salayeva Hilolaning ” “ fanidan kurs ishi mavzu: Topshirdi

16
6-rasm.
Tok o ‘zgarishlarining inersiyaliligi M D Y — tranzistorlam iki kabi
uchib o ‘tish vaqti TVCHbilan ifodalanadi. U shbu param etr ham kanal
qarshiligini zatvor — kanal qarshiligiga ko‘paytirilganiga teng va
quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:
_uch= ( 3.4)

Shunday qilib , M T va M D Y — tranzistorlarning chastota

xususiyatlari prinsipda bir xil bo'lishi m um kin. A m m o am alda M T lar
kanali uzunligi L ni zam onaviy M DY — tranzistorlarnikidek kichik
qilib b o ‘lmaydi. Shu sababli M Tlarning tezkorligi anchagina past.
M TIarning m uhim afzalligi xarakteristikalarining vaqt davom ida
baqarorligidan va ichki shovqinlari sathining pastligidan iborat.


17
Xulosa

Kurs ishini bajarish davomida quyidagi natijalarga erishildi:

Global internet tarmog’i va boshqa turli adabiyot manbalarini tahlil qilish orqali
elektronikada qo‘llaniladigan MOSFET tranzistorlarining asosiy hossalari bilan
chuqur tahlil qilindi.
Adabiyotlar tahlili orqali elektronikaning asosiy elememtlaridan biri bo‘lgan
maydoniy transistorlar, xususan n-turdagi transistor va zatvori izolyatsiyalangan
maydoniy tranzistor tuzilishi va ishlash prinsipi bilan tanishish.
MDYA tranzistorning metal qismi kengayishining o‘tish xarakteristikasiga
bog‘lanishini o‘rganishda kantakt qismi kengligi kanal kengligining yarmiga teng
qilib olinganda tranzistor parametrlari eng optimal qiymatga erishi aniqlandi


18

Foydalanilgan adabiyotlar

• 
  X.Aripov “Elektronika”
  
• 
  A.Abdullayev “Elektronika”
  
• 
  Nig’matov.K “Radioelekronika asoslari”
  
• 
  Internet materiyallari
  
• 
  www.ziyouz.comkutubxonasi
  
  

19