|
2.1.Fan bo’yicha reyting jadvali
T/r
|
Kurs
|
Semestr
|
Haftalar soni
|
Semestrda fanga ajratilgan umumiy soat (reyting balli)
|
Ma’ruza
|
Tajriba ishlari
|
Amaliy mashg’ulotlar
|
Mustaqil ish soati
|
Ab-auditoriya ballari
Mb-mustaqil ish ballari
|
Nazorat turlari
|
Kurs loyihasi mavjud fanlarga
|
Jami soat % hisobida
|
JN
|
JN – 1
|
JN – 2
|
ON
|
ON – 1
|
ON – 2
|
∑JN+ON
|
Saralash balli
|
YaN
|
YaNni o’tkazish shakli
|
O’zlashtirish ko’rsatkichi
|
|
1
|
3
|
6
|
18
|
100
|
36
|
8
|
10
|
46
|
Ab
|
70
|
35
|
18
|
17
|
35
|
188
|
17
|
70
|
39
|
30
|
yozma
|
100
|
|
Mb
|
30
|
|
|
|
3. “ELEKTROTEXNIK MATERIALLAR” FANIDAN REYTING ISHLANMASI VA MEZONLARI
3.1. Reyting ishlanmasi (7-semestr uchun)
T/r
|
Nazorat turlari
|
Soni
|
Ball va soni
|
Jami ball
|
JN umumiy 35 ball
|
1.1.
|
Amaliy mashg’ulotlarni bajarish
|
5
|
3.8x5
|
19
|
1.2.
|
Laboratoriya ishini topshirish
|
4
|
3.9x4
|
16
|
1.3.
|
Mustaqil ish– referat tayyorlash*
|
|
|
|
ON umumiy 35 ball
|
2.1.
|
1 – oraliq nazorat, yozma ish (3 ta savol)
|
1
|
4,3x3
|
13
|
2.2.
|
2 – oraliq nazorat, yozma ish (3 ta savol)
|
1
|
4x3
|
12
|
2.3.
|
Mustaqil ish – referat tayyorlash
|
1
|
1х10
|
10
|
∑JN+ON
|
70
|
YaN
|
3.1.
|
Yakuniy nazorat, yozma ish (3 ta savol)
|
1
|
10x3=30
|
30
|
Jami
|
100
|
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ
Дан краткий обзор сегодняшнего состояния и описаны некоторые перспективы в области наноматериалов и нанотехнологий. Изложены основные представления о полупроводниковых, магнитных и молекулярных наноструктурах, рентгеновских многослойных зеркалах, фуллереноподобных и конструкционных наноматериалах. Рассмотрено применение наноструктур в электронике и открывающиеся в связи с этим перспективы в информационных технологиях, технике связи и др. Описаны основы нано- и микроэлектромеханики: технологии, элементная база, приборы и системы. Рассмотрены методы диагностики наноструктур.
Введение
Физика низкоразмерных структур ‑ актуальнейшая и наиболее динамично развивающаяся область современной физики твердого тела. Интерес к этой области связан как с принципиально новыми фундаментальными научными проблемами и физическими явлениями, так и с перспективами создания на основе уже открытых явлений совершенно новых квантовых устройств и систем с широкими функциональными возможностями для опто- и наноэлектроники, измерительной техники, информационных технологий нового поколения, средств связи и пр. Результатом исследований низкоразмерных систем стало открытие принципиально новых, а теперь уже широко известных явлений, таких как целочисленный и дробный квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе, вигнеровская кристаллизация квазидвумерных электронов и дырок, обнаружение новых композитных квазичастиц и электронных возбуждений с дробными зарядами, высокочастотных блоховских осцилляции, а также многое другое. Современные полупроводниковые лазеры на гетеропереходах также основаны на использовании низкоразмерных систем (структуры с квантовыми ямами, самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями). Наиболее выдающиеся достижения в этой области отмечены тремя Нобелевскими премиями по физике (1985 г. ‑ за открытие квантового эффекта Холла; 1998 г. ‑ за открытие дробного квантового эффекта Холла; 2000 г. ‑ за труды, заложившие основы современных информационных технологий).
Развитие этой области открыло возможности конструирования средствами зонной инженерии и инженерии волновых функций и последующего изготовления с помощью современных высоких технологий наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, точки и нити, квантовые контакты, атомные кластеры и т.д.) с электронным спектром и свойствами, требуемыми для обнаружения и изучения новых физических явлений или для соответствующих приложений. Сконструированные таким образом наноструктуры являются, по существу, искусственно созданными материалами с наперед заданными свойствами.
Вне всяких сомнений, элементная база, основанная на использовании разнообразных низкоразмерных структур, является наиболее перспективной для электронной техники новых поколений. Однако при переходе к системам нанометрового масштаба начинает отчетливо проявляться квантовомеханическая природа квазичастиц в твердом теле. В результате возникает принципиально новая ситуация, когда квантовые эффекты (размерное квантование, конфайнмент, туннелирование, интерференция электронных состояний и др.) будут играть ключевую роль в физических процессах в таких объектах и в функционировании приборов на их основе.
Достижения в разработке и изготовлении наноструктур различного назначения в наибольшей степени определяются уровнем развития технологий, которые позволяют с атомной точностью получать наноструктуры необходимой конфигурации и размерности, а также методов комплексной диагностики свойств наноструктур, включая контроль в процессе изготовления (in situ) и управление на его основе технологическими процессами. По многим прогнозам именно развитие нанотехнологий определит облик XXI века, подобно тому, как открытие атомной энергии, изобретение лазера и транзистора определили облик XX столетия.
Ниже дан краткий обзор сегодняшнего состояния и некоторых перспектив в области наноматериалов и нанотехнологий, который, как мы надеемся, позволит получить общее представление об этой области. В настоящее время это весьма обширная область, включающая в себя целый ряд направлений физики, химии, биологии, электроники, медицины и других наук. Поэтому более подробное изложение потребовало бы значительно увеличения объема этой статьи.
Наноматериалы
Если при уменьшении объема какого-либо вещества по одной, двум или трем координатам до размеров нанометрового масштаба возникает новое качество, или это качество возникает в композиции из таких объектов, то эти образования следует отнести к наноматериалам, а технологии их получения и дальнейшую работу с ними ‑ к нанотехнологиям. Подавляющее большинство новых физических явлений на наномасштабах проистекает из волновой природы частиц (электронов и т.д.), поведение которых подчиняется законам квантовой механики. Проще всего это пояснить на примере полупроводников. Когда по одной или нескольким координатам размеры становятся порядка и меньше длины волны де Бройля носителей заряда ‑ полупроводниковая структура становится резонатором, а спектр носителей заряда ‑ дискретным. То же самое с рентгеновскими зеркалами. Толщины слоев, способных отражать в фазе рентгеновское излучение, лежат в нанометровом диапазоне. В других случаях возникновение нового качества может быть связано с менее наглядными явлениями. Представляется, что такой подход позволяет составить достаточно полное представление о наноматериалах и возможных областях их использования.
Do'stlaringiz bilan baham: |
