Тиббий асбоб-ускуналарнинг електр хавфсизлиги ва ишончлилиги

Кучайтиргичларда бузилиш.

Кучайтиргичларда турли хил бузилишлар мавжуд.

Частота distortion. Одатда кучайтиргич томонидан кучайтирилади тебраниш частоталар кенг диапазони, камроқ бузилиш. Ideal кучайтиргич керак, бунинг учун мўлжалланган частота оралиғида, тенг оширмоқ. Деярли ҳар бир кучайтиргич турли частотали тебранишларни турлича амплификация қилади, натижада турли частотали товушлар орасидаги тўғри нисбатнинг бузилиши юзага келади. Турли частоталардаги тебранишларнинг тенг бўлмаган кўпайтмаси частота (ёки чизиқли) бузилишлардан келиб чиқади.
Частотанинг бузилиш кўрсаткичи амплитуда-частотали жавоб, ёки қисқа қилиб айтганда частотали жавоб бўлиб, амплитудали тебранишлар ф частотасидан кучайтиргичнинг даромад к портативлигини тасвирлайди.
Частотали бузилишлар сигнални қайта ишлаш ва узатиш тизимининг амплитуда-частотали жавобининг номукаммаллигидан келиб чиқади. Ҳар қандай қурилмада содир бўладиган частотанинг бузилиш даражаси кўрсаткичи унинг амплитуда-частота характеристикасининг нотекислиги бўлиб, signal спектрининг ҳар қандай муайян частотасида миқдорий кўрсаткич частотанинг бузилиш коеффициенти ҳисобланади.
Ночизиқли distortions. Агар кучайтиргичнинг киришига sinusoidal кучланиш қўлланилса, кучайтирилган чиқиш кучланиши sinusoidal емас, балки мураккаброқ бўлади. У оддий sinusoidal тебранишлар қатори-асосий ва олий гармоникалардан иборат. Шундай қилиб, кучайтиргич кучайтиргич киришида мавжуд бўлмаган қўшимча гармоникаларни қўшади.
Фазанинг бузилиши сигнални қайта ишлаш ва узатиш тизимининг фаза-частотали жавобининг номукаммаллигидан келиб чиқади. Сигналнинг алоҳида спектрал компонентлари орасидаги фазавий муносабатларнинг бузилиши натижасида юзага келган бузилишлар електрон орқали узатиш пайтида.
Динамик бузилиш динамик характеристикаларнинг номукаммаллиги (тезлик, ошириб юбориш ва бошқалар.) сигналларни қайта ишлаш ва узатиш тизимининг. Кириш кучланишининг тез ўзгариши билан чиқиш кучланишининг чекланган кўтарилиш тезлиги туфайли тўлқиннинг бузилиши.
Намоён бўлиш хусусиятига қараб УБС нинг кириш схемаларида содир бўладиган барча интерференсиялар фарқ (дифференсиал) ва умумий-режимга бўлинади. Фарқ интерференсияси бу интерференсия таъсирида келиб чиққан УБС нинг кириш ўтказгичлари орасидаги потенсиаллар фарқи бўлиб, уларнинг частота спектрлари устма-уст тушса фойдали сигналдан ажратиб бўлмайди. Common-моде аралашиш иккала УБС киришлар да бир хил потенциал ифодалайди.
Кириш микросхемаларига аралашиш юзага келиш хусусиятига қараб турли сабабларга кўра келиб чиқиши мумкин:
Индуксияланган аралашиш. Биоелектрик сигналлар (биопотенциаллар) одатда жуда кичик даражага ега (МВ ёки мв буйруғи билан). Бундан ташқари, електродлар ички қаршилиги юқори бўлган ва фазода сезиларли ҳажмни егаллаган signal манбаига нисбатан узун симлар ёрдамида уланади. Турли келиб чиқиши сабабли (асосан сочилиш майдонлари туфайли) алоқа линиясига електр сигнали қўзғатилиб, у ёпиқ биопотенциядан ўнлаб ёки юзлаб marta юқори бўлиши мумкин. Симметрик УБС киришига нисбатан унинг структурасида бу индуксияланган signal антифазали фойдали (normal) сигналдан фарқли равишда одатда ин-фаза бўлади. Умумий-хил аралашиш ҳидоят асосий нуқтаси УБП киритиш ҳисобланади.
Қизиқарли кучланиш манбаларидан олиб келади. Бир қатор физиологик параметрларни ўзгартирганда (нафас олиш, босим, ҳарорат ва бошқалар.), турли хил сенсорлар қўшимча қўзғалиш манбалари билан ишлатилади, бу ҳам аралашувга олиб келиши мумкин. Бунга мисол қилиб, електр манбаининг (генераторнинг) нол симига нисбатан ўлчаш қурилмасига уланган терминалларда манбанинг ярим кучланишига тенг кучланиш содир бўладиган кўприк ўлчаш схемасини кўрсатиш мумкин. Галваник ЕМФ ва електрод қутбланиши. Електрод-қўрғошин сирт интерфейсида галваник-қутбланган ЕМФ юзага келади. Бу ЕМФ сигналда ҳам," замин " електродларда ҳам пайдо бўлиши мумкин, бу еса халақит берувчи signal кўринишига олиб келади.
Физиологик аралашиш. Ушбу турдаги аралашув, юқорида таъкидланганидек, тананинг кўп алоқаси билан боғлиқ, натижада фойдали сигналдан ташқари, қўшни органлар ва тўқималарнинг аралашуви ҳар доим олиб чиқиш нуқталарида мавжуд.
Бу кўриб аралашиш енг (тери салоҳияти каби физиологик аралашиш, шу жумладан) умумий-хил сигналлари англатади таъкидлаш лозим, яъни. симметрик алоқа линияси нисбатан амплитуда ва босқичида ҳам бир хил бўлади сигналлари (бу ҳолда, УБС киритиш нисбатан). Бундай аралашувдан фарқли ўлароқ, фойдали signal дифференциал ҳисобланади.

Хулоса.

Кўп касалликларни даволашда физиотерапия усуллари кенг қўлланилади. Физиотерапия махсус хусусияти жисмоний ва физик-кимёвий ҳодисалар ва жараёнлар бир қатор ёрдамида айланади енергия турли турдаги бемор таъсир таъминлаш жуда мураккаб физиотерапия қурилмалар, бир қатор фойдаланиш ҳисобланади.
Физиотерапия қурилмаларининг чиқиш хусусиятлари шаклида бемор ва тиббиёт ходимларига таъсир қилувчи жисмоний омилларнинг таъсири одатда жисмоний миқдор, параметр, куч, зичлик (ўзига хос куч) таъсирини ва дозанинг (сўрилган енергия миқдори) қийматини белгилаш орқали тиббий усуллар (кўрсатмалар) билан нормаллашади.
Таъсир нормаларига риоя қилмаслик физиотерапия таъсирининг пасайишига олиб келади ва (ёки) зарарли ва ҳатто хавфли бўлиши мумкин.
Бундан ташқари, муайян жисмоний омиллардан фойдаланганда беморларга (камроқ даражада) ва тиббий ходимларга (кўпроқ даражада) зарарли таъсир кўрсатадиган ён таъсирлар пайдо бўлади. Ушбу таъсирларнинг максимал рухсат етилган даражалари (МПД) санитария қоидалари ва меъёрлари (Санпин) ва гигиена стандартлари (ГН) билан тартибга солинади.

Адабиётлар рўйхати.

1. А. Н. Ремизов ... Тиббий биологик физика.:Бустард, 2004, боб 1-18.
2. А. Н. Тиббий ва биологик физика, 1999,2003,Боб 20-22 3 Ремизов. Баизаков У. А.....Тиббий ускуналар.Алматяқин.:Билим,2005, боб.
3.Суздалев И.П. Физико – химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. - М.:Комкнига, 2006.
4.Неволин В. Зондовые нанотехнологии в электронике. .М.: Техносфера, 2006.
5.Драгунов В.П., Неизвестный И.Г. Основы наноэлектроники. Учебное пособие. -М.:Логос, 2006.
6. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. Учебное пособие. - СПб: Питер, 2003.

7. 
   Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009.
   
8. 
   Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие. – Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010.
   
9. 
   Коваленко А.А., Петропавловский М.Д. Основы микроэлектроники. -М.: Академия, 2006.
   
10. 
    Гатчин Ю.А., Ткалич В.Л., Виволанцев А.С., Дудников Е.А. Введение в микроэлектронику. Учебное пособие. - СПб.: СПбГУ ИТМО, 2010.