Tema : Mikrosxemalar. Mikrosxema elementleri. Mikrosxemalardi belgilew. Elektron ásbaplardıń dinamikalıq jumıs rejimi

Tema : Mikrosxemalar. Mikrosxema elementleri. Mikrosxemalardi belgilew. Elektron ásbaplardıń dinamikalıq jumıs rejimi.
Mazmuni
Kirisiw.
I.Tiykarǵı bólim.
1.1. Mikrosxemalar hám olardıń elementleri.
1.2. Mikrosxemalardi belgilew hám qollanılıw túrleri.
1.3. Elektron ásbaplardıń dinamikalıq jumıs rejimi.
II.Juwmaqlaw;
III. Paydalanılǵan ádebiyatlar.

Kirisiw
Radioelektron apparatlar júdá kóp sandaǵı elektron ásbaplardan dúziledi. Pán texnikanıń rawajlanıwı menen olardıń sanı hám túri jáne de artıp barıp atır. Sol sebepli radioelektron apparattıń bekkemligi, uzaq múddetli isenimli xızmet ete alıw qábileti hám basqa qásietlerin asırǵan halda olardıń kólemin kishreytiriw, salmaǵı hám sariplaytugin quwatın kemeytiw sıyaqlı máseleler ortaǵa qóyılıp atır
Yarım ótkeriwshiler texnikasınıń rawajlanıwı yarım ótkeriwshili múmkinshilikti jaratadı. Bunday ásbaplar modulsxemalar yamasa mikromodullar dep ataladı. Olarda oǵada ıqsham qabıqsız yarım ótkiziwshilikli ásbaplar, plyonkali (paradasimon) qarsılıq hám kondensatorlar málim sxema tiykarında bir qabıq ishine jıynaladı hám qandayda bir element apparattıń tolıq sxemasın quraydı. Sol sebepli olar mikrosxemalar dep ataladı.
Mikrosxemalarning 1 sm³ kólemde keminde 5 element (tranzistor diod rezistor, sıyımlılıq hám induktivlik) qatnasıp, olar qandayda bir element apparattıń pıtken sxemasın shólkemlestiriw kerek. Házir integral mikrosxema (IMS) dep atalatuǵın yarım ótkizgishli ásbaplar keń qollanıladı. Olar apparattıń ulıwma kólemin 20000 retten artıq kishreytiriw imkaniyatın beredi. IMS sonday apparat, onıń barlıq elementleri yamasa olardıń bir bólegi ajıralmaytuǵın etip baylanısqan boladı. Olar bir-biri menen sonday tutasqan, nátiyjede bir pútkil apparat bolıp xızmet etedi.
Mikrosxema ne? Bul juqa kremniy gofretlardan tayarlanǵan sonday kóp qatlamlı bólek. Olardıń hár birine málim bir naǵıs qollanıladı. Usi sızılma fotolitografiya basqıshında jaratılǵan. Plitalar ıqtıyatliq penen 700 dárejeden joqarı temperaturalı arnawlı úskenelerge jaylastırıladı. Ótiwden keyin olar suw menen juwıladı.
Kóp qatlamlı plastinka jaratıw processi eki háptege shekem dawam etedi. Fotolitografiya qálegen nátiyjege erisemen degenge shekem bir neshe ret ámelge asıriladı.
Mikrosxemalar o'nlaģan yamasa júzlegen jıllar dawamında aktual bolıp qaladı. Olardıń tiykarǵı waziypası Jer júzinde hám odan sırtda paydalı boliwi.
Zamanagóy dúnya oǵada kompyuterlesken, turmısımızdı turmısımızdıń hám jumısımızdıń barlıq tarawlarında biz menen birge keletuǵın elektron apparatlarsız sawlelendirip bolmaydı, hám rawajlanıw toqtamaydi, biraq turaqlı túrde jaqsılaniw dawam etpekte: apparatlar qisqaradı hám jáne de kúshlilew, kólemli hám natiyjelilew boladı. Bul process texnologiyaǵa tiykarlanǵan mikrosxemalardi islep shıǵarıw, bul ápiwayılastırılgan versiyada bir neshe diodlar, triodlar, tranzistorlar, rezistorlar hám basqa aktiv elektron komponentlerdiń paketsiz jalǵanıwı (geyde olardıń bir mikrosxemadagi sanı bir neshe millionǵa jetedi), bir sxema menen birlestirilgen.
Eki texnologiya ortasındaǵı tiykarǵı parq ne ekenligin túsiniw ushın qisqa ekskurciya zamonaviy protsessorlar yamasa integral mikrosxemalar islep shıǵarıw texnologiyasına.
Mektep fizika kursinan belgili, zamanagóy elektronikada integral mikrosxemalar tiykarǵı komponentlerdi p-tipli hám n-tipli yarım ótkeriwshiler (ótkezgishlik túrine qaray). Yarım ótkezgish - ótkezgishligi boyınsha dielektriklardan joqari bolǵan, biraq metallardan tómen bolǵan element. Yarım ótkezgishlerdiń eki túri de kremniyga (Si) tiykarlanǵan bolıp, ol óziniń sap formasında (ishki yarım ótkezgish dep ataladı ) jaqsı ótkermeydi. Elektr tokı, biraq kremniyga málim bir nopoklikni qosıw onıń ótkezgishlik qásiyetlerin tupten ózgertiw imkaniyatın beredi. Eki turli aralaspalar bar: donor hám qabıl etiwshi.