технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями

VАФН, В	14	28	100	85
110

При хранении в воздухе кремниевых образцов фотонапряжение и сопротивление увеличивались.

Показано /63/, что V_АФН, возникающий при освещении с фронта, обычно меньше, чем при освещении с тыла. В работе /75/данный процесс связывается с подложкой. Наши опыты показали, что в этих случаях важную роль играет толщина слоя. При сравнительно тонких пленках V_АФН всегда больше при освещении с тыла, а в разных подложках меняется коэффициент поглощения света, изменяющий величину V_АФН. Этот процесс можно объяснить, как и в работе /82/тем, что активный слой расположен вблизи фронтальной поверхности пленки. Когда часть света достигает активного слоя, фотонапряжение увеличивается.
Пленки Ge и Si. Пленки Ge были изготовлены испарением кристаллического германия (p-или n-типа) в вакууме 10^-4÷10^-5 мм.рт.ст. Температура подложки варьировалась от комнатной до 400°С, оптимальный угол напыления был 40°. Для испарения исходного германия использовали тигели из окиси бериллия. Подложкой служили стекло, кварц, слюда, LiF. Температура тигеля при испарении была 1200°С.
Во всех работах отмечено, что для возникновения высоковольтного фотонапряжения недостаточно одного наклонного напыления, необходимо присутствие кислорода.
В наших опытах свежеприготовленные образцы токе не обладали АФН-эффектом. Высоковольтное фотонапряжение возникало при хранении на воздухе и достигало максимального значения в течение 10-20 дней. Параллельно увеличивалось сопротивление образцов. Для получения аномально высоких фотонапряжений температура подложки должна быть не ниже 100°С. Однако в наших опытах установлено, что АФН-эффект может быть формирован при осаждении Ge при комнатной температуре /3/. Кроме твердых основ (примененных всеми авторами), нами получен АФН-эффект из германия при осаждении на полиэтилентерофталантную ленту /3, 104/. Приведем основные параметры АФН-пленок германия
Таблица 1.10