Tatu qarshi filiali kumpiyuter injiniring fakultiteti 2-bosqich ki 11-20 guruh talabasi Murodjonov Lutfullaning 4- mustaqil ishi

Ташқи кучланиш мавжуд бўлмаганда канал узунлиги бўйлаб затвор остидаги каналнинг кўндаланг кесим юзаси бир хил бўлади. Берилган қутбланишда затвор ва исток оралиғига ташқи кучланиш берилса UЗИ р–n ўтиш тескари йўналишда силжийди, канал томонга кенгаяди, натижада канал узунлиги бўйлаб каналнинг кўндаланг кесим юзаси бир текис тораяди. Канал қаршилиги ортади, лекин чиқиш токи IС = 0 бўлади, чунки UСИ=0 (5.2 а - расм).

• Ташқи кучланиш мавжуд бўлмаганда канал узунлиги бўйлаб затвор остидаги каналнинг кўндаланг кесим юзаси бир хил бўлади. Берилган қутбланишда затвор ва исток оралиғига ташқи кучланиш берилса UЗИ р–n ўтиш тескари йўналишда силжийди, канал томонга кенгаяди, натижада канал узунлиги бўйлаб каналнинг кўндаланг кесим юзаси бир текис тораяди. Канал қаршилиги ортади, лекин чиқиш токи IС = 0 бўлади, чунки UСИ=0 (5.2 а - расм).

MDYa – tranzistorlar. IMSlarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanali induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari r- va n– turli bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar

• MDYa – tranzistorlar. IMSlarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanali induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari r- va n– turli bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar
• sifatida ham qo‘llaniladi, ya’ni barcha sxema funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektrik sifatida SiO2 qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa – tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyatsiya qilish operatsiyasi mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga yo‘nalgan tomonda ulangan r-n o‘tishlar bilan izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni ta’minlaydi.

Р – n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардан фарқли равишда МДЯ–транзисторларда металл затвор канал ҳосил қилувчи ўтказгичли соҳадан доим диэлектрик қатлами ёрдамида изоляцияланган. Шу сабабли МДЯ–транзисторлар затвори изоляцияланган майдоний транзисторлар турига киради. Диэлектрик қатлами SiO2 диэлектрик оксиди бўлганлиги сабабли, бу транзисторлар МОЯ – транзисторлар (металл – оксид- ярим ўтказгичли тузилма) деб ҳам аталадилар

• Р – n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардан фарқли равишда МДЯ–транзисторларда металл затвор канал ҳосил қилувчи ўтказгичли соҳадан доим диэлектрик қатлами ёрдамида изоляцияланган. Шу сабабли МДЯ–транзисторлар затвори изоляцияланган майдоний транзисторлар турига киради. Диэлектрик қатлами SiO2 диэлектрик оксиди бўлганлиги сабабли, бу транзисторлар МОЯ – транзисторлар (металл – оксид- ярим ўтказгичли тузилма) деб ҳам аталадилар
• р – канали индукцияланган МДЯ - транзистор тузилмаси 5.4 а –расмда ва унинг шартли белгиси 5.4 б- расмда келтирилган