Tasdiqlayman’’ Oltiariq sanoat texnikumi direktori ­­­­­­­­ ­­­­­­­­­­­­­ U. Jomiyev

Maqsad va vazifaning belgilanishi:
(2.2-ilova)
Mashg’ulotning nomi, rejasi, maqsad va kutilayotgan natijalar bilan tanishtiradi va yozib olishlarini aytadi.



yANGI Mavzu: Tranzistorlarning ulasnish sxemasi va ish rejimlari
Reja:
1. Tranzistorning tuzilishi va ishlash prinsipi
2. Tranzistorning asosiy xarakteristikasi
3.Tranzistorlarning h parametrlari
4.Tranzistorlar zanjirga uch xil usulda ulanishi



O’quvchilar faoliyatini faollashtirish:
(2.3-ilova)
Tezkor so’rov usuli orqali bilimlarni faollashtiradi.



Tezkor so’rov uchun savollar

7. 
   Tranzistor nima?
   
8. 
   Tranzistorning ishlash prinsipi qanday?
   

Yangi o’quv materiali bayoni:
(2.4-ilova)
Nazariy darsning asosi bayon qilinadi.
(2.5-ilova)
Yangi o’quv materialining slaydli taqdimoti (alohida ilova qilinadi).

Tranzistorning statik tavsiflari

Statik tavsiflar bu tajriba asosida olingan trazistorda oqadigan toklar va Kyu=O bo‘lganda uning n-p o‘tishidagi kuchlanishlar o‘rtasidagi bog‘lash chizmalari. Yuqorida aytilganidek, tranzistorda oqadigan o‘zgarmas toklar, berilgan kuchlanishlar bilan bog‘lamasi nochiziqli, ya’ni statik volt-amperli tavsiflari nochiziqli. 10-rasmdan kelib chiqadiki, kirish va chiqish toklar va kuchlanishlar tranzistorni ulash har xil shemalar uchun har xildir. Ulanish shemalarni har qaysisi statik tavsiflarni to‘rt oilasmi bilan ifodalashi mumkin. Amalda umumiy baza (UB) va umumiy emitter (UE) shemalar uchun Odatda kirish va chiqish tavsiflari bilan foydalanishadi. UB shema bo‘yicha ulangan tranzistorning statik tavsiflarini ko‘rib chiqamiz, unga kirish zanjiri bo‘lib emitter zanjiri hisoblansa, chiqish zanjiri esa kollektor zanjiri, ya’ni:I_chiq=I_k; U_chiq=U_kb.

12-rasm.

Kirish tavsifi quyidagi nisbat bilan yoziladi:
I_e=F(U_be) | U_kb= const
Bunda ular 12-rasmda ko‘rsatilgan ko‘rinishga ega. U_kb bo‘lganda olingan tavsif ko‘rinishi yakka xol n-p o‘tishni volt-amperli tavsifini to‘g‘ri shoxiga tegishli.

U_kb=O bo‘lganida kirish tavsiflari koordinati boshlanishiga nisbatan chap tomonga suriladi. Buni shunday tushuntirsa bo‘ladi, agar KO‘ga teskari kuchlanish berilsa, bunda emitterli va kollektorli o‘tishlari oralig‘ida kuchlanish bo‘yicha teskari bog‘lama hosil bo‘ladi, ya’ni KO‘da teskari kuchlanishni o‘zgarishi EO‘da to‘gri kuchlanishni o‘zgarishiga olib keladi, va haqiqatda EO‘ (U_eb) beriladigan kuchlanishga teng emas. Bog‘lash elementi ya’ni e-B zanjiri va K-B zanjiri uchun umumiy elementi bo‘lib baza toki oqadigan bazaning hajmiy qarshiligi U_b xizmat qiladi. Bazaning hajmiy qarshiligi bo‘yicha oqib, bazali tok kuchlanishni pasayishini yaratadi va emitterli o‘tishga berilgan haqiqiy kuchlanish emitterli batareya kuchlanishidan I_b U_b miqdoriga kam bo‘lib qoladi, ya’ni

U_eu=U_ub- I_bU_b.

Agar KO‘ga teskari kuchlanish berilsa, bunda u kengayadi, buning ustiga asosan baza tomoniga (chunki bazada aralashmalar konsentratsiyasi kam) va baza eni W kamayadi. Wni kamayishi baza qalinligida asosiy bo‘lmagan tashuvchilarni rekombinatsiya jarayonini kamaytirishga olib keladi, ya’ni baza tokining rekombinatsiyali tashkil etuvchisining kamayishi oshadi.

Shunday qilib, kollektorli o‘tishni teskari kuchlanishini o‘zgarishi U_eu o‘zgarishiga olib keladi, demak emitter tokini o‘zgartirishgan. Natijada, U_kb=0 bo‘lmaganida chizmadan olingan tavsiflar, chap tomonga yuradi va EO‘ orqali tokning diffuziyali tashkil etuvchisi U_kb=0 ham bo‘lganda oqadi. I_e=0 bo‘ladi, agar EO‘ga teskari kuchlanish U_eu=0 bo‘lsa. Shuni ta’kidlash kerakki, teskari kolletorli kuchlanishni oshirish ta’siri faqat U_kb katta miqdorlari bo‘lmaganida kirish tavsiflarni sezilarli siljishga olib keladi.
IU_kb I>5В bo‘lganida tavsiflar amaliy birlashadi, chunki kollektorli o‘titshni kengayoishi faqat baza tokini kamaytirmasdan, balki qarshiligini oshirishga ham olib keladi. UB sxemasi bo‘yicha ulangan (13-rasm) tranzistorning chiqish tavsiflarini statik yurishini ko‘rib chiqamiz:
I_k=F(U_kb)| I_e=const
Kichik guruhda ishlash qoidasi: