Tadqiqotning zamonaviy fizik-kimyoviy usullari fanidan yakuniy nazorat savollari

2. Электронография (от электрон и ...графия), метод изучения структуры вещества, основанный на рассеянии ускоренных электронов исследуемым образцом. Применяется для изучения атомной структуры кристаллов, аморфных тел и жидкостей, молекул в газах и парах. Физическая основа Э. — дифракция электронов (см. Дифракция частиц); при прохождении через вещество электроны, обладающие волновыми свойствами (см. Корпускулярно-волновой дуализм), взаимодействуют с атомами, в результате чего образуются отдельные дифрагированные пучки. Интенсивности и пространственное распределение этих пучков находятся в строгом соответствии с атомной структурой образца, размерами и ориентацией отдельных кристалликов и другими структурными параметрами. Рассеяние электронов в веществе определяется электростатическим потенциалом атомов, максимумы которого в кристалле отвечают положениям атомных ядер.
пишу, также нейтронная спектроскопия) — дифракционный метод изучения атомной и/или магнитной структуры кристаллов, аморфных материалов и жидкостей с помощью рассеивания нейтронов.
3. При этом необходимо отметить, что при использовании методов-диэлектрометрии, как уже указывалось в предыдущем разделе, необходимо устранить влияние на результаты измерения даже небольших количеств воды, которая имеет высокую диэлектрическую проницаемость. Поэтому точные измерения при определении чистоты веществ методом диэлектрометрии возможны только после хорошей предварительной осушки исследуемого образца. Методом диэлектрометрии, например, можно определить содержание толуола в бензоле (после осушки

. Определение степени чистоты вещества методом противоточного распределения.[c.414]

Рефрактометрия применяется для установления подлинности и чистоты вещества. Метод применяют также для определения концентрации вещества в растворе, которую находят по графику зависимости показателя преломления от концентрации. На графике выбирают интервал концентраций, в котором соблюдается линейная зависимость между коэффициентом преломления и концентрацией. В этом интервале концентрацию можно вычислить по формуле [c.29]

Химические методы концентрирования, как выше указывалось, используются довольно часто при определении мышьяка в полупроводниковых материалах и веществах высокой чистоты. Спектральные методы определения, включающие предварительное концентрирование химическими методами, для краткости называют химико-спектральными методами. Выбор того или иного метода химического концентрирования мышьяка, в основном, зависит от химической природы анализируемого объекта и примесей, подлежащих определению одновременно с мышьяком.[c.96]
4. K. ning fizik xossalari (elektr, magnit, optik, akustik, mexaniq va boshqalar) oʻzaro bir-biriga bogʻliq boʻlib, ular kristall strukturasidan, yaʼni atomlarning joylashishi va ular orasidagi bogʻlanish kuchlariga va elektronlarning energetik taqsimoti (elektr, magnit va optik xususiyatlari)ga bogʻliq. Mac, metallarning oʻta elektr oʻtkazuvchanligi yoki dielektrik va yarimoʻtkazgichlarda elektr oʻtkazuvchanlik xossasining nisbatan pastligi elektronlarning yuqori yoki past konsentratsiyalanishi (toʻplanishi) bilan bogʻliq (qarang [[Qattiq jism). K. ning mustahkamlik, egiluvchanlik, tovlanish, lyuminessent xususiyatlari kristall panjaralardagi nuqsonlar miqdori va turiga qarab aniqlanadi. Undan tashqari, K.da simmetriya, tomonlari orasidagi burchakning katta-kichikligi, fizik va kimyoviy xossalarining har xil boʻlishi ulardagi anizotropiya va izotropiya hodisasi bilan bogʻlikdir. K. tuzilishida har xil nuqsonlar — vakansiya (teshiklar), chekka dislokatsiyalar va boshqa uchraydi. Kristall panjaraning parallel strukturaga ega boʻlmasligi tufayli bu nuqsonlar ferromagnetik va segnetoelektritik kuzatiladi. K.dagi nuqsonlar tufayli ulardan akustik, rentgen va elektromexanik toʻlqinlar sochiladi. K.dagi aralashmalar adsorbsiya hodisasi tufayli uning strukturasi (yoqlari)ni buzadi.