Сигааплфни кучаттириш

2.Транзистор ишига температуранинг таъсири.Таъминлаш занжирлари.Ишчи нуқтани стабиллаш.


2.1. ГТ 108 а транзистори Т= 20 ⁰С темпаратурада ишласа муҳит- ўтиш иссиқлик қаршилиги R_мў = 0,8 К / мВт бўлса ва максимал рухсат этилган ўтиш температураси Т_ў.мах=80­ ⁰С бўлса унинг максимал рухсат этилган қувватини топинг.
Ечиш: Ўтиш температураси Т_ў = ўтиш температураси ; Т_м- муҳит температураси, ⁰С; R_мў-муҳит- ўтиш иссиқлик қаршиликни К/ мВт; Р_кэ- эмиттер ва коллектор ўтишларидаги тарқалаётган қувват.
Т_ў катталигини Т_ў.мах деб хисоблаб ,қуйидагини аниқлаймиз.Р_кэ = (Т_ў-Т_м)/ R_мў=(80-20)/0,8=75 мВт


2.2. Транзисторнинг коллектор ўтишида Р_кэ=25 мВт.қувват ажралади. Муҳитни ўтиш исси қлиги R _мў = 0,5 К/мВт. Агар мухит температураси Т_м = 40⁰С бўлса,коллектор ўтиши қандай температурага эга бўлади.?
Жавоб: 52.5⁰С .


2.3. Юқоридаги2.2 масалада кўрилган транзисторда радиатордан фойдаланилган ҳолда муҳитни ўтиш қаршилиги R _мў = 0,3 К/мВт гача камайтирилса, коллектор ўтиши қандай температурага эга бўлади?.
Жавоб: 47.5⁰С.


2.4.Юқоридаги 2.2 ва 2.3-масалаларда кўрилган транзисторнинг коллектор ўтиш темперасини максимал рухсат этилган қуввати радиотор қўлланилганда ва қўлланилмаганда нимага тенг? Муҳит температураси Т_м= 40⁰С.


2.5. Юқори қувватли транзисторнинг ўтиш ва корпуси орасидаги иссиқлик қаршилиги R_ўн= 0,8К/Вт га тенг.Мухит температураси Т_с= 320⁰С да Р_кэ = 10 Вт қувват ажратиш керак.Ишончлиликни ошириш мақсадида ўтиш температурасини 70⁰С дан оширмаслик шарт.Йиғиш конструкциясида шайба ва изоляцияловчи силикон суртмадан фойдаланилган. Шайбанинг иссиқлик қаршилиги 1.5 К/Вт силикон суртма эса уни тақрибан 40% га камайтиради.Агар радиатор зарур бўлса, унинг юзаси қандай бўлиши керак?. 1см² радиторнинг метал юзаси 800 К/Вт иссиқлик қаршилигига эга.
Ечиш: Радиатор ва корпус орасидаги иссиқлик қаршилигини силикон суртмани ҳисобга олган ҳолда аниқланади:
R_kp = 1.5-1.5 К / Вт.
Ўтиш ва муҳит орасидаги умумий иссиқлик қаршилиги қуйидагига аниқланади.
R_ўмR_ўк+R_кр +R_рм
Бу ерда R_ўм – ўтиш- муҳит иссиқлик қаршилиги:
R_кр- корпус - радиатор иссиқлик қаршилиги; R_рм- радиатор- муҳит иссиқлиги. Юқоридаги (1) тенгламада ўтиш муҳити R_ўм , иссиқлик қиршилиги ва R_рм-радиатор-муҳит иссиқлик қаршилиги номаълум.
Шундай ёзиш мумкин Т_ў = Т_м+ R_ўм Р_кэ
Бундан берилганларни қўйиб, қуйидагини топамиз.
R_ўм = (Т_ў-Т_м) / Р_кэ = (70-32)/10 = 3,8 К/Вт.
R_ўмни қийматини (1) га қўйиб ва тенгламани = R_рм га нисбатан ечиб, қуйидагини топамиз:
R_рм= R_ўм-R_ўк - R_кр= 3,8-0,9=2,1 К/Вт.
Радиаторнинг 1см² металл юзаси 800 К/Вт иссиқлик қаршилигига эгалигини ва R_рм радиатор юзасига тескари пропорционал ўзгаради деб ҳисоблаб радиатор юзасини аниқлаймиз: П= 800 2.1= 381 см²


2.6 2.1- расмда берилган схемадаги транзистор ß=49 база токини узатиш койффициентига эга. Агар коллектор ўтишнинг тескари токи I_кБо= 10 мкА бўлса ва температураси I _кБо = I _кБо е^{0,08(Т-То)} қонуни бўйича боғлиқ бўлса, Т= 50⁰ С да U_кэ кучланишини топинг. Бу ерда
Т- Т_о=50-25= 25⁰С . таъминлаш манба кучланиши Е_к= +20В.
Ечиш:Бу ерда I _кБо = е ^{0,08(Т-То)}=10 е ^0.08 = 74 мкА
= 74-10 =64 мкА
У ҳхолда кучланишни ўзгариши:
- = - 64 (49+1) = -6,4В
Т=25⁰С да коллектор – эмиттер кучланиш U_кэ =Е _к-I_к R_ю,

Аммо: I_k = I_Б+ I_кБо( +1)= 49

Шундай қилиб, U_кэ=20-5.4 =50⁰ С да коллектор- эмиттер кучланиши.

U¹_кэ= U _кэ+


2.7. Транзистор 2.1-расмдаги схемада Т= 25⁰ С температурада ва I_кБо =10 мкА параметрларга эга.
Е_к =+ 20 В ва U_Бэ= 100 мВ.Т=25 ва 50⁰ С температуралардаги
U_Бэ кучланишнинг топинг. Кучланишнинг температура коэффициентини
U _Бэ / Т = - 2,5 МВ/К деб олинг.
Ечиш: Т= 25⁰С да I _Б =(Е_к- U_Бэ)/R_б=(20-0,1)/(200 ) = 99.5 мкА:
I _к== _б+ I_кБо =50(99,5 )+10
U_кэ= Е_к -I_к R_ю=20-5.49 =9
T= 50⁰С да эмиттер ўтишидаги кучланиш куйидаги қийматга камаяди.
U_Бэ=U_Бэ+
Табийки,
I_Б=(2037,5 )/ (200 )
Бундан кўринадики, температура ўзгариши натижасида U_Бэ кучланиш ўзгариши R_б қаршиликларини катта қиймати ҳисобига деярли хеч қандай натижада база токининг ўзгаришига таъсир этмайди- Uбэ кучланиш ўзгариши

Худди шу сабаб билан коллектор токининг ўзгариши 50 (0.5 )=25 мкА ни ташкил қилади.
I_кБо токининг янги қийматини қуйидаги формула билан аниқлаймиз:
I_кБо = I_кБое^0,08 =10 .
Коллектор токининг янги қиймати:
I_к = _Б+ I_кБо ва шунингдек:
U_кэ= 20—8,7
2.8.

2.1-расм
База токининг узатиш койффиценти = 50 ва коллектор тескари токи I_кБо = 10 мкА бўлган транзистор

2.1- расмдаги схемада қўлланилган.Манба кучланиши Е_к =-15 В. I_к=1 мА ва U_кэ=-6 В да R _б ва R_ю қаршиликларни аниқланг.

Ечиш:Маълумки, коллектор токи I_к= I_б+ I_{к Бо} ( +1) бунда: I_б=
Резистор R_б қаршилигини қуйидаги формула билан аниқлаймиз. R_б= (- Е_к+U _Бэ)/ I_б.
U_Бэ <kбўлгани учун, R_б мом

Юклама резисторининг қаршилигини топамиз:

R_б=(-Е_к+ U_кэ)/I_k= (15-6)/ (1 )= 9 кОм.
2.9 2.2 а,б-расм



2.2-расм.

2.2-расмда берилган схемадаги транзисторнинг база токини узатиш коэффециенти

=50 . коллектор ўтишининг тескари токи I_кБо =0 ва Е_э = - 30 В ,Е_к = 40 В бўлса, коллектор токини топинг.
Ечиш: Эквивалент генератор усулидан фойдаланиб, база ташқи занжирини ҳосил қиламиз.эквиватор генератор Э.Ю.К. си
U_си = Е_э
эквивалент генераторнинг ички қаршилиги .
Z _эг =
Эквивалент схемадаги база оёғи билан ерланган оёғи орасидаги кириш қаршилиги, м (расм.2,35,б).
Бу схемадан U_Б= Uc.u.
U_Бэ=О бўлгани учун U_э= - 16.7 В.Эммитер токини топамиз: I_э= - I_э /R_э=16,7 /(2 ³)= 8,35 мА.
Шунингдек I_Бэ dI _э=

9. 
   

2.3-расм.

Кучайтиргичнинг ишчи нуқтаси қуйидаги координаталарда жойлашган бўлса, I_к = 1мА.. U_kэ=-6 B унинг аралаштирувчи занжирини хисобланг. (2.36-расм) каскаднинг кучайтириш коэффициенти К_и =-8 га тенг.
Ечиш: бу ер да U_яю=I _kR_ю= 10^-3
U_кэ=-6 В. бўлгани учун эмиттер занжирида резисторлардаги кучланишлар йиғиндиси
U_э= 30-6-8ҳ16В. I _кБо –токини ҳисобга олмаган ҳолда. I _Б= I _к/
ни ҳосил қиламиз. Табийки, I _э= I _к+ I _Б = 1+0.02=1.02A /Ku/ бўлганда
К_и -R _ю/ R _э деб олиш мумкин.
Бу ерда К_и- кучланиш бўйича кучайтириш кооэффиценти. R _э= R _ю/ /К_и/ = 8 схемадан кўриниб турибдики R_э қаршилиги бўлиб, R₃ ҳисобланади . Бу резистордаги кучланиш U_R3=I_эR_э = 1
R_и резистордаги кучланиш тушиши эса U_R4=16-1=15 В. Шундай қилиб, R₄= 15/(1 )=15 кОМ.
База занжирдаги кучланиш бўлгични ҳхисоблаймиз.
Схеманинг стабиллаши учун R₂ резистори орқали оқиб ўтаётган ток база токидан камида 5-10 марта катта бўлиши керак.I_Б= 20 мкА бўлгани учун I_Б= 200 мкА .Эмиттер ўтишидаги кучланиши тушишини ҳисобга олмасдан, U_Б U_э -16 В бунда R₂ = 16 /(200 )= 80 кОМ. R₁ ни топамиз R_1.
R₁= (-Е_к+Uэ)/ (I_Б+I_{куч.бўл.}= (30-16)/(220 )= 63.5 kOM.