Сигааплфни кучаттириш

Ишчи режимни аналитик ҳисоблаш

1.4. расм

Схемадан кўринадики, транзистор актив режимда ишлаяпти. R_Э резисторнинг қаршилиги эммитер ўтиш қаршилигига нисбатан анча юқори ва коллектор ўтиш қаршилиги r_k >>R_ю , кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти K_U ни топинг.


Е ч и ш : Чиқиш кучланиши U_чиқ=-I_KR_Ю Эммитер ўтишдаги кучланишни тушишини ҳисобга олмаган ҳолда
I_Э=U_кир/R_Э
деб ёзиш мумкин.
Тескари ток I_КБо ни ҳисобга олмай коллектор токини топамиз:
I_K=- I_Э
Табиийки, кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти
1 .7.
1.5-асм

Схемада R_Э=5 кОм, R_Ю=10 кОм, Е_Э=10 В, Е_К=30 В. Коллектор – база U_КБ кучланишини топинг. (1.4-расм)

Е ч и ш : Агар, транзистор ишлаётган температура юқори бўлмаса I_КБо 0 деб хисоблаш мумкин. Эммитер токини узатиш коэффициентини деб оламиз. У ҳолда эммитер ўтишдаги кучланиш тушишини ҳисобга олмаган ҳолда

1.6-расм

8. 
   

Схемада Е_Э=2 В, R_Э=2 кОм, R_б=15 кОм, Е_б=3 B, R_ю=4 кОм, Е_К=16 B.
Транзистор қуйидаги параметрларга эга: Коллектор токини топинг.
Е ч и ш : Кирхгофнинг иккинчи қонунидан фойдаланиб,қуйидагича ёзамиз:

База токи

Яъни, бундан

1.9. Схеманинг берилганлари Е_К=-28 В, R_Э=1 кОм, R_б=15 кОм, R_ю=4 кОм. Транзистор кириш кучланишининг қандай минимал қийматида тўйиниш режимида ишлашини аниқланг. Тўйиниш режими чегарасида деб олинг. (1,7-расм)

1.7-расм
Е ч и ш : Тўйиниш режимида 1.7-расм.

1.10. УЭ схемадаги кучайтиргич қуйидаги параметирларга эга: h_11Э=1,4 кОм,
H_21Э=45 кОм, h_12Э=4,3 10^-4 кОм, h_22Э=18 мкОм. Сигнал манбаининг ички қаршилиги R_Г =300 Ом. Кириш қаршилиги R_кир, чиқиш қаршилиги R_чиқ, ток бўйича К_U ва қувват бўйича К_Р кучайтириш коэффициентларини аниқланг.(1.8-расм). К_I кучланиш бўйича.


Е ч и ш : Кичик сигналлар учун транзисторли кучайтиргичнинг алмаштириш схемаси қуйидаги а)- расмда кўрсатилган.

1.8- расм.
I_б=I₁, I_K=I₂ деб оламиз. Схемадан кўринадики, кириш ва чиқиш занжири учун қуйидаги тенгламалар ўринли бўлади:

(1) тенгламани чап ва ўнг томонини h_21Э га, (2) тенгламани h_11Э га кўпайтириб, қуйидагиларни ҳосил қиламиз:

(5) дан (4) ни айириб қуйидагини хосил қиламиз:

Бу ерда
(3) дан маълумки I₂=-U₂/R_Ю
(7) ни (6) га қўйсак:

Ток бўйича кучайтириш коэффициентини топиш учун (3) ни (2) га қўямиз

Бундан

Чиқиш қаршилигини 1.8. б)- расмдаги схемадан аниқлаймиз. Бу схемада R_Г сигнал манбанинг ички қаршилиги. Схемани анализидан маълум бўладики,

(11) ни h_21Э га ва (12) ни (R_Г+h_11Э) га кўпайтириб, қуйидагини ҳосил қиламиз:

(14) дан (13) ни айрамиз

Бундан

Юклама резистор қаршилигини ҳисобга олган холда эффектив чиқиш қаршилиги қуйидагича

R_кир қаршилигини аниқлаймиз. (3) ни (1) га қўйиб, қуйидагини ҳосил қиламиз:

(9) дан қуйидагини топамиз

Бу тенгламани (15) га қўямиз.

Қувват бўйича кучайтириш коэффициенти.

1.11. УЭ схемадаги кучайтириш каскадида h- параметрларига эга бўлган транзистор қўлланилган; h_11Э=800 Ом, h_21Э=47, h_12Э=5 10^-4, h_22Э=80 мкОм.
Агар, кириш кучланиш манбаи ЭЮК си Е_кир=10 мВ, кириш кучланиш манбаининг ички қаршилиги R_Г=500 Ом ва коллектор занжиридаги юклама резистор қаршилиги R_Ю=5 кОм бўлса, чиқиш кучланиши ва чиқиш қаршилигини топинг.
Ж а в о б : U_чиқ=1,38 В; R_чиқ=16,2 || R_Ю=3,8 кОм.

1.13. УЭ схемали кучайтириш каскадида қўлланилган транзистор қуйидаги h параметрларга эга: h_11Э=800 Ом; h_12Э=5 10^-4 ; h_21Э=48, h_22Э=80 мкСм.

Сигнал манбаи –Е_кир=100 мВ, сигнал манбаи ички қаршилиги Rг=500 Ом Коллектор занжиридаги юклама резистор қаршилиги R_Ю=8 кОм. Чиқиш қувватини топинг.
Ж а в о б : 2,1 мВт.

1.14. УБ схемадаги транзистор қуйидаги h-параметрларга эга: h_11б=18 Ом, h_12б=8 10^-4 Ом, h_21б=-0,98 Ом, h_22б=1,6 10^-6 См. Юклама қаршилиги R_Ю=15 кОм. Каскаднинг қувват бўйича кучайтириш кеэффициентини топинг.

Ж а в о б : 216

1.15. Транзистор қуйидаги h параметрларга эга: h_11б=20 Ом, h_12б=1,65 10^-4, h_21б=-99 Ом, h_22б=0,85 мкСм. Агар, R_Г=30 кОм, R_Ю=1 кОм бўлса, УК схемадаги транзисторнинг R_кир, R_чиқ, K_I, K_U ва K_P параметрларини топинг.

Ж а во б : R_кир=102 кОм; R_чиқ=0,32 кОм; К_I=-100; К_U=0,98; К_Р=98

1.16. УК схемадаги транзистор қуйидаги h – параметрларга эга: h_11К=22 кОм, h_12К=1, h_21К= - 31, Эмиттер занжиридаги резистор қаршилиги R_Ю=1 кОм, сигнал манбаи ички қаршилиги R_Г=10 кОм. Ток бўйича К_I, кучланиш бўйича К_U ва қувват бўйича К_Р кучайтириш коэффициентини, кириш қаршилиги R_кир , чиқиш қаршилиги R_чиқ ни топинг.

Ж а в о б : К_I=-31; К_U=0,6; К_Р=18,6; R_кир=53 кОм; R_чиқ=1 кОм.

1.17. УЭ схемадаги транзистор қуйидаги h – параметрларга эга: h_11Э =2 кОм, h_21Э=60, h_22Э=40 мкСм. Юклама қаршилиги R_Ю=30 кОм, сигнал манбаи ички қаршилиги R_Г=2 кОм. Кириш қаршилиги R_кир, чиқиш қаршилиги R_чиқ, кучайтириш коэффициентлари К_I, K_U ва K_P ни топинг.

Ж а в о б : R_кир=1,52 кОм; R_чиқ=32 кОм;

1.18. УБ схемадаги транзистор ишчи нуқтада қуйидаги h – параметрларга эга: h_11б=20 Ом, h_21б=-0,99, h_22б=1 мкСм.

Агар R_Ю= 1 кОм, R_Г= 1,5 кОм бўлса, шу транзисторда қурилган УЭ схемадаги кучайтириш каскадини кириш қаршилиги R_кир, чиқиш қаршилиги R_чиқ, ток бўйича К_I, кучланиш бўйича К_U, ва қувват бўйича К_Р кучайтириш коэффициентларини аниқланг.
Ж а в о б : R_кир=1,84 кОм; R_чиқ=1 кОм; K_I=90; K_U=-90; K_P=4400:

1.19. УЭ схемадаги транзистор ишчи нуқтада қуйидаги h – параметрларга эга: h_11Э=1,6 кОм, h_12Э= h_21Э=115, h_11Э=160 мкОм. Агар R_Г=500 Ом ва RЮ=10 кОм бўлса, УБ схемадаги уланган шу транзистордаги кучайтириш каскадининг кириш қаршилиги Rкир, чиқиш қаршилиги Rчиқ ток бўйича, кучланиш бўйича ва қувват бўйича кучайтириш коэффициентларини КI, КU, КР аниқланг.

Ж а в о б : R_кир=30,4 Ом; R_чиқ=9,9 кОм; К_I=0,982; К_U=323; K_P=318.