С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

Ln
= 200 мкм; в) Шоттки диоди ф о ­
тотокининг тескари сигимига богла­
ниши.
- 
мкм
п°;рС/ см3
251

---

^ ° сД ^атнинг тах.лили шуни курсатадики, (4.195а) ва 
с 
1
П
4
Тенгсизликлар сирт рекомбинациясининг 
iq^ийматларида уринли булар экан. Бундан 
(4.1У5в) шартни 5<104 см/с билан алмаштириш мумкин- 
лиги курсатилган. Тажрибадан 
Ln
ни аниклашда
р-п
утиш­
нинг юзаси 5 ■
1СИсм2, юклама каршилик 1 Ом булган ёруг- 
лик манбаи сифатида гелий-неон лазери кулланилган. 
Ln 
ни аниклашда к,иска туташув фотогок улчашдан ташка- 
ри, еруглик интенсивлигини, ёрурликни намунадан к,ай- 
тиш 
коэффицИентини 
билиш лозим. Эпитаксиал катлам 
К&линлиги шар ёки кия (нишаб) шлиф усули билан ёки 
турридан-турри растрЛИ электрон микроскоп билан аник- 
ланиши мумкин.
Диффузион узунлик 
р-п
утиш киск.а туташув фотото- 
кининг эпитаксиал катлам калинлигига боглик'шгидаи хдм 
ан и клан и щи Мумкин
aw>l
ва 
aL
>1 да 
р-п
утиш киска туташув фототоки
(4.197) дан
j K~[e"/L-Ke-vlL-}-'
(4.198)
булади. БунДа коэффициент:
(S,D" l/Ln)
<1 
(4.199)
(S/Dn
+ 1 
/L„)
Кдлинлиги диффузион узунликдан катта 
w>Ln
эпитакси­
ал катламлар учун (4 198) нинг биринчи хдци устунлик 
К'ИЛ^ 11И ^ ^ Нинг Учун 
j
нинг 
W
га чизикди богланиш 
графигидан 
1_п
ни \исоблаш мумкин. 
Агар 
намуна калин- 
лиги 
ДиффузИон 
у3уНЛИК тартибида ёки ундан кичик 
w< Ln 
оулса, киска туташув фототоки 
S/Dn
ва 1 / Z ларга боглик 
булади. Бу ходда тажрибадан аникланган \амда назарий 
^исобланган 
j
(w) богланишларининг бир-бирига мос 
тушиш шартидан коэффициент к-ни ва у оркали 
S/Dn 
аникданади. 
Нинг кийматини /?-тип материалларда 
электрон \аракатчанлиги оркали богланиши мумкин. Бу- 
нинг учун р-гипдаги электрон \аракатчанлиги, шундай 
концентрациядаги заряд ташувчиларга эга булган л-тип- 
даги электр0н \аракатчанлигига тенг деб каралади. Энди
252

---

р-п
утишда ва шоттки тусикида х,ажмий заряд со\асининг 
кенглиги диффузион узунлиги 
Ln
тартибида булган ярим- 
утказгичлар учун 
Ln
ни аникдашни курайлик. Юк,ори Омли 
намуналарда олинган 
р+-п
, ёки 
п+-р
утишлар ёки шот­
тки тусикдаридир. Бу структураларнинг фотоэффект на- 
зариясига кура кдо^а туташув фототоки
a(w + L
„ ) 
, .
. .
J KT 
~ 
-
---- Г 7
^
}
( a , W , 4
) 
(4.200)
(1 + 
aLn)
булади. Бу ифодани куллаб, 
Ln
ни тажрибадан аникдаш 
асосида киска туташув фототокининг хажмий заряд с о ­
хаси кенглигига богликдиги ётади. Маълумки, потенциал 
тусикди сгруктураларда хажмий заряд сохасининг кенг­
лиги унга куйилган кучланишга бортик,. 
Р-п
утишни хаж­
мий заряд со^а кенглигининг кучланиш билан узгариши 
уз навбатида потенциал тусик, сигимининг узгаришига 
олиб келади. Бундан
р-п
утиш ва Шоттки тусикдари к,иск,а 
туташув фототокларининг \ажмий заряд сохаси калин - 
лигига караб узгаришини потенциал тусик.нинг chfhm узга­
риши оркали ифодалаш мумкинлиги куринади. Тусик,си- 
р и м и н и н г
хажмий заряд со х аси кенглиги