С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

a > b » w
да бир 
улчамли
А, 
~ — + go*'™
= о
dx
узлуксизлик тенгламанинг
d&rt
А
" 
dt
А
х= 0
dAn
n~fa
SAn(0) 
=
О
x=d
249

---

чегаравий шартларини каноатлантирувчи ечими орк,али 
топилади. Бу долда K,ncK,a туташув фототоки фак,ат 
р-
тип 
эпитаксиал кдтламда генерацияланган асосий булмаган 
заряд ташувчилар булмиш электроннинг диффузион ток 
зичлиги
Д .1 = 
eDn
d\n
(4.193)
билан аникдашини курамиз. Хисоблашларнинг курсати- 
шича, укт нинг ифодаси
: 
= eSoK
■
>
К-т 
2 
,2
,
a L -
1
(S
+ 
aDn) sech(w/Ln) 
L„
+ 
sth
—
aZ,
S + Ln(xn) th (w/L„)
n (Ln/ r n
+ 
Sth w/Ln)
(4.194)
куринишни олади. Агар эпитаксиал к,атлам калинлиги 
етарлича катта, ёруглик кучли ютилсин, сирт рекомбина- 
цияси тезлиги кичик булсин деб фараз кдлсак, яъни
aw> 3 
(4.195а)
a Z
>3 
(4.1956)
S=0 
.(4.195в)
да шартлар уринли булади. (4.194) ифоданинг иккинчи 
Хадини ташлаб юбориш мумкин. У вактда (4.194) содда- 
лашади ва 
j
нинг ифодаси
^ z A l sech
кт 
hv
/
W
(4.196)
куринишга келади. (4.195 а, б, в) шартларни арсенид-гал- 
лий эпитаксиал катлам мисолида бадолаб курайлик. Эпи­
таксиал к,атлам гелий-неон лазер нури 
ha
7= 1,96эВ (Я=0,6328 
мкм) билан ёритилган булсин. Еругликнинг бу тулкин узун- 
лигидаги хусусий ютилиш коэффициенти 
а —
4,4- 104 см-1 
булади. (4.194а) шартни к,аноатлантирувчи эпитаксиал
250

---

к^атлам к,ал и ил и ги 1ч-10 мкм, (4.1956) шартни каноатлан- 
тирувчи заряд ташувчилар диффузион узунлиги 
L >
1 мкм 
булиши керак. Агар (4.1956) шарт бузилиб, 
L <
1 мкм, 
a L <
3 булганда уцт киска туташув фототоки (4.194) дан
e/0v(!~ 
К)
2 j2 
a L„
> к,.т
hv
2 
Л
a L„
sech
(4.197)
ифода билан аникданишини курамиз. Сую клик эпитак­
сия технологияси билан устирилган, калинлиги 1ч-10 мкм 
ораликда булган 
GaAs
эпитаксиал катламда 
Ьп
ни улчаш 
натижалари, унинг заряд ташувчилар концентрациясига 
богликлИгини курсатди. Асосий заряд ташувчилар кон- 
центрациясининг Ро=(1016: 1019) см 3 оралищда 
Zn
0,1 дан 
то 1 мкм гача узгарган (4.20а-расм). Сирт рекомбинация­
си тезлигини камайтириш максадида одатда эпитаксиал 
катлам устига шу типидаги 
GaAlAs
катлам устирилади. 
Тажрибадан аникланган 
Ьп
кийматлари учун (4.194) му-
0
Л 
8
12 
16 W , M K M
4.20-расм.
a) GaAs эпитаксиал к,ат- 
ламида электрон-ковак диффузион 
узунликларининг асосий заряд та­
шувчилар концентрациясига богла­
ниши. 1 — германий билан легир- 
ланган р — GaAs учун, 2 — к,алай би­
лан легирланган 
п
— GaAs учун. 
б) GaAs ли 
р-п
утиш киск^а туташув 
фототокининг />-к,атлам калинлиги- 
га богланиши. 1-/>=1,1 ■
1019см\ 
£ л=5,5мкм:2-/>=6,0 • 1016 см-3,