С горизонтальными изоэлектронными аналогами IV группы

Твердые растворы на основе соединений А³В⁵. Сходные по структуре, т. е. имеющие одинаковые кристаллические решетки с близкими по значению периодами, и свойствам полупроводниковые соединения могут образовывать между собой твердые растворы. Наиболее полно изучены тройные твердые растворы, в которых замещение происходит по узлам одной из подрешеток двойного соединения.
Состав твердых растворов характеризуют символами A_VB,__VC и AQD,^,, где А и В обозначают элементы III группы; С и D — элементы V группы; х определяет мольную долю соединения АВ в твердом растворе и может изменяться от 0 до 1.
При создании материалов на основе твердых растворов, меняя концентрацию компонентов, можно плавно управлять их параметрами: шириной запрещенной зоны, подвижностью носителей заряда и т. д. Изменение E_g сопровождается изменением фоточувствительности, смещением спектров поглощения и люминесценции.
Наряду с этим изменение состава твердых растворов приводит к смещению примесных уровней. Могут значительно меняться и другие свойства: теплопроводность, диэлектрическая проницаемость, коэффициент преломления и т. д. В ряде случаев благодаря этому получают качественно новое сочетание свойств при определенном соотношении компонентов.
Твердые растворы позволяют получать гетеропереходы (контакт двух полупроводников с разным значением E_g) и оптоэлектронные приборы на их основе. Для изготовления гетеропар применяют твердые растворы арсенидов и фосфидов галлия и индия. Их используют при создании ин- жекционных лазеров для волоконно-оптических линий связи.