С горизонтальными изоэлектронными аналогами IV группы

Арсенид галлия GaAs. Хрупкий материал, не реагирует с концентрированными кислотами, растворяется в разбавленной азотной кислоте HN0₃ и пероксиде водорода Н₂0₂, которые входят в состав травителей. Монокристаллические пластины арсенида галлия используют для получения дискретных полупроводниковых приборов и ИМС. Особенностью арсенида галлия является большая ширина запрещенной зоны и высокая подвижность электронов и дырок, что определяет его применение в области высоких температур (300—400 °С) и частот для изготовления светодиодов, туннельных диодов, диодов Ганна, лазеров и т. д. Арсенид галлия, имеющий E_g < 1,7 эВ, способен эффективно излучать в ИК-области. Излучающие структуры изготавливают на основе эпитаксиальных пленок.
Нелегированный арсенид галлия обычно имеет электропроводность я-типа. При легировании цинком образуется арсенид галлия с электропроводностью р-типа.
Промышленностью выпускается арсенид галлия общего применения и арсенид галлия для эпитаксиальных структур различных марок. В маркировке арсенид галлия обозначают буквами АГ.
Существует четыре группы монокристаллического арсенида галлия общего применения с плотностью дислокаций (2—3) • 10⁴ см^-2: АГЭ — арсенид галлия с электронной проводимостью, нелегированный (подвижность носителей (4—6) • 10³ см²/(В • с)); АГЭТ — арсенид галлия с электронной проводимостью, легированный теллуром (подвижность носителей (1,5—3,8) • 10³ см²/(В • с)); АГДЦ — арсенид галлия с дырочной проводимостью, легированный цинком (подвижность носителей 30—90 см²/(В • с)); АГП — арсенид галлия полуизолирующий.
Промышленность выпускает две группы арсенида галлия для эпитаксиальных структур'. ЭАГЭТ и ЭАГЭО. Первая буква Э в маркировке указывает на область применения арсенида галлия для эпитаксиального наращивания; вторая буква Э — на электронный тип электропроводности; буквы Т и О обозначают легирующий элемент (теллур и олово соответственно). Первая цифра, следующая за буквенной кодировкой, обозначает номинальную концентрацию основных носителей заряда, вторая является показателем десятичного порядка концентрации основных носителей заряда. Например, марка АГЭТ-4-18 означает: арсенид галлия с электронным типом электропроводности, легированный теллуром, с концентрацией носителей 4 • 10¹⁸ см^-3.