С горизонтальными изоэлектронными аналогами IV группы



Download 68,79 Kb.
bet1/6
Sana23.02.2022
Hajmi68,79 Kb.
#177725
  1   2   3   4   5   6
Bog'liq
лекция 1 (1), 51315, 12345i, 12345i, 2, 1, Analysis of novel, 22-ma'ruza. Milliy hisobchilik va makroiqtisodiy ko‘rsatkichlar tizimi

0.8.1. Полупроводниковые соединения типа А3В5
Интерес к соединениям III и V групп Периодической системы возник в 1950-е гг., когда были впервые выявлены их полупроводниковые свойства. Такие соединения обеспечивают более широкий выбор основных полупроводниковых параметров, ширины запрещенной зоны, подвижности носителей заряда, чем элементарные полупроводники IV группы. В таблице 10.3 в качестве примера приведено сравнение некоторых свойств соединений А3В5 с горизонтальными изоэлектронными аналогами IV группы. Изоэлектронными аналогами называются вещества с близкой кристаллической структурой и одинаковым средним атомным номером Zcp.
Таблица 10.3
Сравнение свойств соединений А3Вс изоэлектронными аналогами IV группы

Материал

Zcp

Температура плавления, С

Ширина запрещенной зоны, эВ

Кремний

14

1417

1,12

Фосфид алюминия А1Р

14

2550

2,45

Германий

32

937

0,66

Арсенид галлия GaAs

32

1238

1,428

Серое олово a-Sn*

50



0,08

Антимонид индия InSb

50

525

0,18

' a-Sn при 13,2 °С испытывает полиморфное a -> p-превращение; p-Sn имеет 1т = 231 °С и не является полупроводником.
Появление ионной компоненты связи в соединениях А3В5 по сравнению с ковалентной связью в полупроводниках IV группы приводит к большим значениям температуры плавления и ширины запрещенной зоны.
Особый интерес к соединениям А3В5 в настоящее время обусловлен потребностями оптоэлектроники в быстродействующих малогабаритных источниках и приемниках излучения. На базе А3В5 создаются полупроводниковые лазеры, светодиоды, фотоприемники и фотокатоды, фотоэлектронные умножители, туннельные диоды, полевые транзисторы, генераторы СВЧ-колебаний и т. д. Важным свойством многих материалов этого типа является высокая эффективность излучательной рекомбинации неравновесных носителей.
К полупроводниковым материалам А3В5 относятся соединения бора, алюминия, галлия и индия с азотом (нитриды), фосфором (фосфиды), мышьяком (арсениды) и сурьмой (антимониды). Они кристаллизуются, за исключением нитридов, в решетке типа сфалерита, т. е. относятся к алмазоподобным. Нитриды кристаллизуются в решетке гексагонального типа (типа вюрцита).
Поскольку каждый элемент III группы находится в тетраэдрическом окружении элементов V группы, соединения А3В5 являются ближайшими электронными аналогами кремния и германия. Внутри каждой группы соединений-аналогов с увеличением среднего атомного номера Zcp и атомных масс компонентов наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны Eg, температуры плавления, твердости, а также увеличение пластичности вследствие уменьшения ковалентной и увеличения ионной составляющей связи.

Рис. 10.14. Фазовая диаграмма системы «индий—мышьяк»
Акцепторными примесями для соединений А3В5 являются элементы II группы (Be, Mg, Zn, Cd). Они замешают металлический компонент.
В качестве донорной примеси выступают элементы VI группы (S, Se, Те), которые при легировании замещают неметаллический компонент соединения А3В5.
Фазовые диаграммы систем А3Вимеют однотипный эвтектический характер. В качестве примера на рис. 10.14 приведена диаграмма системы «индий—мышьяк».
Основными соединениями А3В5, наиболее широко используемыми в полупроводниковой промышленности, являются арсенид и фосфид галлия, а также антимонид индия.

Download 68,79 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2023
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
axborot texnologiyalari
zbekiston respublikasi
maxsus ta’lim
guruh talabasi
nomidagi toshkent
O’zbekiston respublikasi
o’rta maxsus
toshkent axborot
texnologiyalari universiteti
xorazmiy nomidagi
davlat pedagogika
rivojlantirish vazirligi
pedagogika instituti
Ўзбекистон республикаси
tashkil etish
vazirligi muhammad
haqida tushuncha
таълим вазирлиги
toshkent davlat
respublikasi axborot
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
O'zbekiston respublikasi
махсус таълим
vazirligi toshkent
fanidan tayyorlagan
saqlash vazirligi
bilan ishlash
Toshkent davlat
Ishdan maqsad
fanidan mustaqil
sog'liqni saqlash
uzbekistan coronavirus
respublikasi sog'liqni
coronavirus covid
koronavirus covid
vazirligi koronavirus
covid vaccination
risida sertifikat
qarshi emlanganlik
sertifikat ministry
vaccination certificate
haqida umumiy
matematika fakulteti
o’rta ta’lim
fanlar fakulteti
pedagogika universiteti
ishlab chiqarish
moliya instituti
fanining predmeti