Республикаси олий ва

5.14- расм. Фоторезисторнинг тузилиши ва уланиш схемаси 
Фоторезисторнинг асосий катталиклари унинг сезгирлиги, қоронғилик 
қаршилиги ва ишчи кучланиши хисобланади. 
Фоторезисторнинг сезгирлиги қуйидаги ифода орқали аниқланади ва у
20 А/лм га тенг бўлиши мумкин: 
ф
I
S
ф
i

( 5.5) 
Қоронғилик қаршилиги – ёритилмаган фоторезисторларнинг қаршилиги қийма-
тига тенг диапазонга эга: R
к
=10
2

10
9
Ом; 
Ишчи кучланиши фоторезистор ўлчамларига боғлиқ, яъни электронлар 
орасидаги масофага боғлиқ равищда 1-1000 В гача танланади.
Шуни таъкидлаш керакки, фоторезисторларнинг катталиклари, ташқи 
муҳит таъсирида ўзгаради. Фоторезисторлар афзаллиги: юқори сезгирлиги, нур-
ланишнинг инфрақизил қисмида қўллаш мумкинлиги, ўлчамлари кичиклиги ва 
доимий ток ва ўзгарувчан ток занжирларида қўллаш мумкинлиги. 

---

- 50 - 
Фотодиод 
ярим ўтказгичли фотоэлемент асбоб бўлиб, битта электрон-ковакли 
ўтишга ва иккита чиқишга эгадир. Фотодиодлар икки хил режимда ишлаши 
мумкин: 1) ташқи электр энергия манбаисиз (фотогенератор режимида); 2) 
ташқи электр энергия манбаи ёрдамида (фотоўзгартгич режимида)
5.15- расм. Фотодиоднинг тузилиши 
Бўлим бўйича саволлар 
1.Ярим ўтказгичли элементлар қандай элементлар ҳисобланади?
2.Ярим ўтказгичли асбоблар қандай турларга ажратилади?
3.Ярим ўтказгичли қаршиликлар қандай элементлар ҳисобланади?
4.Варисторлар қандай вазифани бажаради?
5.Тензорезисторнинг вазифаси нима ,унинг иш тартиби қандай?
6.Фоторезистор қандай асбоб, унинг таркиби , иш тартиби ҳакида ту-
шунча беринг? 
6-боб
. 
 Интеграл микросхемалар 
Электрон ускуналарни мураккаб техник топшириқларни ечишда қўллаш 
уларнинг электр схемаларини мураккаблашиб боришига олиб келади. Электрон 
техникасининг ривожланиши тахлили кўрсатадики, 10 йилда электрон ускуна-
ларининг мураккаблиги 10 баробар ортади. Ҳозирги пайтга келиб ЭҲМ лар 1 
секундда 5 млрд.дан ортиқ операцияни бажариши мумкин / 7 /. 
Ярим ўтказгичли асбоблари сезиларли даражада кичрайди. 
Жуда кўп оддий элементларни (диод, транзистор, резистор) битта мураккаб, 
кичкина элементга йиғиш мумкинлиги пайдо бўлди. Бундай йиғиш элемент ин-
теграцияси дейилади.
Бундай йиғиш натижасида олинган мураккаб микроэлементни интеграл 
микросхема (ИМС) деб аталади.

---

- 51 - 
ИМС – 5 тадан кам бўлмаган актив элементлардан (транзистор, диодлар) ва 
пассив элементлар (резистор, конденсатор, дросселлар) дан ташкил топган мик-
роэлектроника элементи бўлиб, у ягона технология жараёнида тайёрланади, бир 
бири билан электр боғланган, умумий корпусга жойлашган ва бир бутун эле-
мент кўринишида бўлади. 
Интеграция нуқтаи назаридан ИМСларни асосий катталиги бўлиб жойла-
шиш зичлиги ва интеграция даражаси ҳисобланади.
Жойлашиш зичлиги – бирор ҳажмдаги элементлар сони билан характерла-
нади.Интеграция даражаси – ИМС таркибига кирган элементлар сони билан ха-
рактерланади.Бунга қараб ИМСлар биринчи даражали – 10 та элементгача, ик-
кинчи даражали – 100дан 1000та элементгача ва ҳ.к. ларга ажратилади. 
Тайёрлаш технологиясига кўра ярим ўтказгичли ва гибрид ИМСга бўли-
нади. Ярим ўтказгичли ИМС ларида барча элемент ва элементлар орасидаги 
боғланишлар ярим ўтказгичлар юзасида ва ҳажмида ишлангандир. Замонавий 
ярим ўтказгич ИМС ларининг жойлашиш зичлиги 10
5
эл/см
3
га ва интеграция 
даражасига етади. Алоҳида элементлар ва улар орасидаги масофа 1 мм гача ка-
майтирилиши мумкин. 
Гибридли ИМС – ИМС бўлиб, диэлектрик пассив элементлар ҳар хил плён-
ка каби бажарилади, актив элементлар – корпуссиз ярим ўтказгич асбоблардир.