Республикаси олий ва

5.4. Тиристорлар 
Тиристор деб, ВАТси манфий дифференциал қаршиликли қисмига эга 
бўлган ва қайта қўшишда қўлланувчи учта (ёки ундан кўп) p-n ўтишли ярим 
ўтказгичли асбобга айтилади. Уни тайёрлашда асосан кремний элементи 
қўлланилади. Тиристорлар классификацияси ва шартли белгилари қуйидаги 5.9-
расмда келтирилган. 
Иккита чиқишга эга бўлган оддий тиристор диодли тиристордир 
(динистор), триодли тиристор (тринистор) қўшимча учинчи (бошқарувчи) 
электродга эга. 

---

- 48 - 
 
5.9- расм. Тиристорларнинг туркумланиши ва шартли белгиланиши. 
Ҳозирги пайтда 2000 А гача токларни ва қўшиш кучланиши U
куш
4000 В 
бўлган тиристорлар ишлаб чиқарилмоқда. 
Тўғрилагич хусусиятига эга бўлган, бошқариладиган қайта улаш каби 
тиристорлар 
бошқаришли 
тўғрилагичларда, 
инвенторда, 
коммутацион 
асбобларда кенг кулланилади. 
5.5. Фотоэлектрон асбоблар 
Фотоэлектрон асбоб деб –оптик нурланиш энергиясини электр 
энергиясига ўзгартирувчи асбобларга айтилади. Оптик нурларга ультрабинафша 
нурлар, кўзга кўринадаган нурлар ва 10 нм дан 0,1 нм гача тўлқин узунлигига 
эга бўлган инфракизил нурлар киради.Фотоэлектрон асбобларни ишлаши 
фотоэффект ҳодисасига асосланган. Икки хил фотоэффект ҳодисаси мавжуд: 
ички ва ташқи. 
Ички фотоэффект – нурланиш натижасида элементлардаги электронларни 
уйғотиш яъни уларнинг юқори сатҳларига кўтарилиши. Бунинг натижасида за-
ряд ташувчилар концентрацияси ва элементнинг электр хусусияти ўзгаради. 
Металларда ички фотоэффект кузатилмайди. У фақат ярим ўтказгичгагина таал-
луқли. Ички фотоэффект бир жинсли ярим ўтказгичларда электр ўтказувчанлик 
ўзгариши ва бир жинсли бўлмаган ярим ўтказгичларда электр юритувчи куч 
ҳосил бўлиши билан кўрилади. Бу фоторезисторларда, фотодиодларда, фото-
транзисторларда ва бошқа фотоэлектрик асбобларда қўлланилади.

---

- 49 - 
Ташқи фоттоэффект – фотоэлектрон эммисия бўлиб, яъни нурланиш таъси-
рида электронларнинг элемент ташқарисига чиқишидир. Фотоэлектрон эммисия 
катта ёки кичик миқдорда барча элементларда содир бўлиши мумкин. Ташқи 
фотоэффект вакуум ва газ зарядли фотоэлектронларда, ҳамда фотоэлектрон 
кўпайтиргичларда қўлланилади.
Фоторезистор
– ярим ўтказгич фотоэлектрик асбоб бўлиб, бунда фото- 
ўтказувчанлик ҳодисаси қўлланилади, яъни оптик нурланиш таъсирида ярим 
ўтказгични электр ўтказувчанлиги ўзгаради. Фоторезисторнинг тузилиши 5.14- 
расмда кўрсатилган бўлиб, 1-плёнка ёки пластик ва 2-диэлектрик материалдан 
ясалган. 
.