Respublihasi

Tranzixtor-tranzixtorli mantiq (TTM)

4.18-rasmda TTM elementining bir qator yarim o‘tkazgichli raqamli qurilmalar uchun integral mittisxemaning asosi bo‘lgan sxemasi keltirilgan. Bu sxemada VT₁ ko‘p emitterli tranzistor qo‘llanilgan. Agarda hech bo‘lmaganda emitter-baza o‘tishidan

77

kir₁ kir₂ kir_n

+E


^Uchiq

—E

4.l8-rasm.

birontasi to‘g‘ri ulangan holda bo‘lsa, VT₁ ko‘p emitterli tranzistorning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljiydi. Kirish o‘tkazuvchanligi bo‘lmaganligida baza-kollektor o‘tkazuvchanligi to‘g‘ri yo‘nalishda ulanadi. 4.18-rasmda kir₁, kir₂ va kir₃ kirishlarda

„1“ darajali mantiq (3,5 voltga qarshi signali) mavjud deylik. Bu kirish darajasida baza-kollektor o‘tkazuvchanligi R₁ qarshilik orqali to‘g‘ri yo‘llangan va VT₁ tranzistorning kollektori o‘tkazuvchanligida

tok quyidagi zanjirlar orqali oqadi: tok manbayi +E, qarshilik R₁

orqali tranzistor VT₁ baza-kollektor o‘tkazuvchanligi, VT₂ baza- emitter o‘tkazuvchanligi va VT₄ baza-emitter o‘tkazuv-chanligi. Bu zanjirga tegishli to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan. VT₁ tranzistorning emitter-baza o‘tkazuvchanligi teskari yo‘nalishda siljigan, VT₁ tranzistori rejimi invers rejimida, VT₂ va VT₄ to‘yingan rejimda, VT₂ potensiali bo‘lganidan VT₃ yopilishini ta'minlaydi. Demak, VT₃ yopiq (qirqish rejimi), VT₄ ochiq to‘yingan, demak, sxema chiqishida past potensial ta'minlanadi („0“ daraja).

Kirish signallarining boshqacha qiymatlarida, masalan, birortasi past darajali kuchlanish bo‘lsa, mantiq „0“ daraja (taxminan 0,3 V), bunda emitter-baza o‘tkazuvchanligi kirishiga mos holda to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi, ushbu o‘tkazuvchanligidagi tok tok manbayi +E, qarshilik R₁,

emitter-baza o‘tkazuvchanligi kirish signali manbayi orqali

oqadi. O‘tkazuvchanlikda kuchlanish to‘g‘ri yo‘nalishda siljib,

78

0,6 V ga yaqin bo‘ladi. VT₁ tranzistor bazasidagi kuchlanish ^{korpusga nisbatan 0,9 V (}U _b^  U _kir  U _be ^{=0,3+0,6=0,9 V).}

Ko‘p emitterli tranzistorning kollektoridagi kuchlanish

U _b^{ dan kichik, ya'ni kollektor o‘tkazuvchanligi U}_kb ^kuch- lanishi 0,4 V ga va u 0,5 V bo‘ladi. Mazkur qirqish kuchlanishi e_tes2 va e_tes4 kuchlanishlar yig‘indisidan kichik. O‘chirilgan VT₂

tranzistorning kirish qarshiligi VT₁ ko‘p emitterli tranzistor- ning kollektor yuklamasidan juda katta. VT₂ yopiq tranzis- torning kirish toki I_ko2 kichik tok bo‘ladi. Ushbu tok VT₁ tranzistorning kollektor toki bo‘ladi. Demak, VT₁ tranzistor sezilarli baza tokiga ega bo‘lib baza-emitter ochiq o‘tkazuv-

chanlikdan oqib, kichik kollektor toki baza va kollektor toklari

bunday VT₁ tranzistorlar tokida to‘yingan bo‘ladi. Uning kol- lektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljigan. Ochiq kirish

o‘tishidan oqayotgan emitter-bazali tok baza toki

I _b^  (E U _b^ ) R₁ va kollektor I_ko2 toklaridan tashkil topadi.

Emitter tok qiymati kirish qismida mantiqiy „0“ kuchlanish

darajasi bo‘lganiga mos keladi, VT₁ tranzistorning qolgan emitterlari invers rejimida ishlaydi va toki kichik bo‘ladi.

hunday qilib, mantiqiy „0“ darajali kuchlanishga mos

keladigan hech bo‘lmaganda VT₂ kirish qismi yopiq. VT₂ kollektor potensiali +E ga yaqin bo‘lib VT₃ ni ochadi va to‘yintiradi. Bunda VT₄ yopiq, chunki baza potensiali nolga yaqin. xema chiqishidagi kuchlanish 3,5 V atrofida (manti-

qiy „1“ daraja), chunki +E VT₃ to‘yingan tranzistor orqali va VD₁ diod to‘g‘ri ulangan. Diodlar VD₂—VD₄ mikrosxe- mada balki kirish impulslaridan himoyalash funksiyasini

bajaradi. ignalni o‘zgartirish „VA—INKOR“ mantiqiy opera- tsiyasiga mos kelib, VT₁ ko‘p emitterli tranzistor kaskadida bajarilgan „VA“ operatsiyasi esa invertor bo‘lib, VT₂, VT₃

va VT₄ („INKOR“ operatsiyasi) tranzistorlarda yig‘ilgan.

„VA-INKOR“ sxemalari parametrlari K155 seriya uchun:

U ⁰  0, 2  0, 3 V ^;

U ¹  3, 5  4 V ^;

0

I
chiq

 0,3 mA ;

I
1

chiq

 mA ;

^Pyo‘qot

^{ 70 MW} ;

^tyoqish

^{ 20 ns} .

4.