Respublihasi

4.3 Diod-tranzixtorli mantiq (DTM)

Bunday qurilmaning sxemasi 4.17-rasmda keltirilgan. Bu qurilmada VD₁ va VD₂ (R₁ qarshilik bilan) diodlar mantiqiy

«VA» operaesiyasini bajaradi, tranzistor VT1 invertor sxe-

masida ishlaydi va «INKOR» — yo‘q operatsiyasini bajaradi, VD_sm1 va VD_smn diodlar kalitni ochish bo‘sag‘asini oshiradi; bu VT₁ tranzistorida yig‘ilgan sxemaning afzalliklari:

• 
  sxema mantiqiy «0» va «1» larda yuqori stabillikni
  

tavsiflaydi;

• 
  sxema ichki R_ichki qarshilikka ham bog‘liq;
  
• 
  ushbu «VA-INKOR» (va-yo‘q) chiqish qarshiligi
  

mantiqiy «0» da VT tranzistorning r_to‘y kichik, mantiqiy „1“ da chiqish qarshiligi R_k.

Ko‘rib chiqilgan „VA-INKOR“ elementlari integral yo‘li

bilan ham bajarilishi mumkin.

4. 
   l7-rasm. DTM elementining prinsipial sxemasi.
   

^U man

 5 V ^;

P_man  20  50 mW ; t_ishl  10 ns ; U _n  1  1, 5 V .