Respublihasi

9.k. Statik va dinamik xotira qurilmalari

9.2-rasmda statik MOM xotiraning soddalashtirilgan sxema yacheykalari keltirilgan.

Belgilash „1“

_VT1 VT2

^Emanba

Tashlash

„1“

VT5

VT6 („0“ga belgilash)

Yacheykani tanlash

&
VT3
VT4

9.2-rasm. 3tatik MOM xotirasining soddalashtirilgan yacheyka sxemasi.

Yacheykani tanlash signali deshifratorlar chizig‘i va ustunlari chiqishlaridan "VA" sxemasida shakllanadigan kirishga mantiqiy "1" signali keladi.

Dinamik xotira sxemasi 9.3-rasmda keltirilgan.

Tashlash

VT3 („0“ga belgilash)

9.S-rasm. Dinamik MOM xotirasining soddalashtirilgan yacheyka sxemasi.

Dinamik xotira yacheykasi MOM tranzistorlarining ikki marta kam va kristallda ikki marta kam maydonni egallaydi. Xotira

elementi VT1 tranzistorning G_kir kirish sig‘imi MOM tranzis- torlarining katta kirish R_kir qarshiligi (R_kir10M, C_kir510pF)

132

bo‘lganidan razryad doimiysi  10ms, shuning uchun ma'lumot- larni regeneratsiyalash (qayta yozish) vaqti 25 ms. Maxsus qo‘shimcha sxema shu maqsadga xizmat qiladi. U avtomatik tarzda navbatma-navbat ustunlarga murojaat etadi, hamma yacheykalarda regeneratsiyani ta'minlaydi. VT2, VT3 tranzistorlardagi ochish kuchlanishining mavjudligi sababli „yacheyka tanlash“ signali bilan yacheykaga murojaat etilishi mumkin.

9.4-rasmda statik xotirani 4 variantda tashkil etishning struk- turasi integral sxemada keltirilgan

Kristallni tanlash

A0 A1 A2

Ma'lumotlarni kiritish

3tatik
Kristallni tanlash

A0 A1 A2

Ma'lumotlarni kiritish

3tatik

A3

A4 A5 A6 A7 A8 A9

O‘qish/

yozish

TXQ (OЗY)
1024×1

1k

A3

A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11

O‘qish/ yozish

TXQ (OЗY)
4096×1

4k

Kristallni tanlash	Ma'lumotlarni kiritmsh	Kristallni tanlash	Ma'lumotlarni kiritmsh (qabul qilish)
A0		A0
A1		A1
A2	3tatik	A2	3tatik
A3 A4	TXQ (OЗY)	A3 A4	TXQ (OЗY)
A5 A6	1024×4	A5 A6	512×8
A7		A7
A8		A8
A9 O‘qish/		A9 O‘qish/
yozish		yozish
	Ma'lumotlarni		Ma'lumot-
	chiqishi		larni kiritsh
			(qabul qilish)

9.4-rasm. 3tatik xotirani tashkil etish strukturalari integral sxemasi.

133

10 adresli A0-A9 chiziqlarda 2¹⁰=1024 bo‘lakni adreslash imkoniyatiga ega bo‘lamiz. „Kristallni tanlash“ signali xotirasi ikki qatoridan birini vazifa qilib qo‘llash uchun IM3lardan tuzilgan.

1 kBayt xotirani tashkil etish uchun bunday IM3lardan 8 tasi (8×1024) talab etiladi. „Kristall tanlash“ kirishidan foydalanib, 2 xotira chizig‘ini (2048x8 razryadli so‘z) tashkil etish mumkin.

IM3da kirish va chiqish imkoniyatlari signallari mavjud. O‘qish

/ yozish chizig‘i mantiqiy „1“ berilganida belgilarni o‘qishni ta'minlaydi, mantiqiy „0“ da esa yozishni ta'minlaydi.

9.5-rasmda dinamik TXQ (OZU) 4 kB, 16 kB, 64kB hajmga ega bo‘lgan DIP korpusida 16 ta chiziqli keltirilgan.

+5 V

Ber. kirishi Yoqish/yozish Qator adr. strob

A0 A1 A2

+12 V

Dinamik TXQ 16384 × 1
Ground Ustun adr. strob

Ber. chiqish

A6 A3 A4 A5

+5 V

9.5-rasm. Dinamik TXQ (OЗY) 4 kB, 16 kB, 64 kB hajmli.

Tashqi chiqishlarni kamaytirish uchun strob chiziq signali va strob ustun adreslari qo‘llaniladi. Bunday uslub multipleksorlashli adreslash deyiladi.

9.6-rasmda multipleksorlashli adreslash uslubi sxemasi ko‘r- satilgan. 4 kilobaytli xotira, uchun ustun va chiziq deshifratorlari qo‘llaniladiki, ularning har biri 6 ta kirish va 64 ta chiqishga ega bo‘ladi. Har bir deshifratorning kirish qismida 6 razryadli registr- fiksatordan iborat. Bunday XQda yacheykalarni adreslash uchun 2 ta vaqtli sikl sarflanadi.

6 ta adres kirishiga 6 ta liniyadan signal keladi: adresning kichik qismi (A0—A5), so‘ngra strob signal chiziqli adresdan keladi; ushbu 6 razryad deshifratorlarning fiksator registriga chiziq adresli yoziladi, so‘ngra esa 6 ta katta razryadli (A6-A11) adreslar

134

Registr-fiksator

Deshifrator 6×64
deshifratorning fiksator registriga ustun adresi sifatida yoziladi. 3hu sikldan so‘ng fiksator-registrlardagi 12 razryadli adres saqlanadi va 4096 yacheyka xotirasining bittasini tanlash imkoniyati paydo bo‘ladi.


Registr-fiksator

Deshifrator 6×64
9.6-rasm. Multi pleksorlash adreslash sxemasi.

3.