Respublihasi

4.k. Diodli mantiq. Mantiq „VA“

4.15-rasmda oddiy „VA“ mantiqiy elementining prinsipial sxemasi va chinlik jadvali tasvirlangan; agarda aqalli kirish qismida musbat past darajali kuchlanish bo‘lsa, shartli nol deb olingan, bunda diod katodi ushbu kirish bilan bog‘liq darajaning anodidagi kuchlanish ochiq. Natijada qurilmaning chiqish qismida nol. Agar sxemaning hamma kirishida yuqori darajali (birlik) kuchlanish bo‘lsa, bunda chiqish signali birga teng.

4.16-rasmda elektr kuchlanishi ko‘rinishidagi x₁ va x₂

mantiqiy o‘zgaruvchili dizyunksiya operatsiyasi (4.15-rasm)

„VA“ turdagi DM chinlik jadvali bilan bajarilishi tasvirlangan.
75
4.l - jadval

kir1	kir2	chiq
1	1	1
1	0	0
0	1	0
0	0	0

4.l6-rasm. «YOKI» mantiq.

Birlik darajasi deganda musbat yuqori potensial tushuniladi. Agar biror-bir kirish qismida birlik daraja bo‘lsa, VD1 (VD2) ochiq diod orqali ushbu kuchlanish chiqish qismida bir birlik kuchlanishni hosil qiladi.

EYK (R_ichki), manbayining ichki qarshiligiga sezgir bo‘l- ganligidan mantiqiy «0» va «1» darajalar nostabil bo‘ladi.

^{Ushlanish vaqti t}_ichki  ^{10 ns;}
4.2-jadval

kir1	kir2	chiq
1	1	1
1	0	1
1	1	1
0	0	0

Chinlik jadvali

4.l6- rasm. «YOKI» turidagi diodli mantiq.

Aytib o‘tilgan kamchiliklarni bartaraf etish uchun DTM (diodli-tranzistori mantiq) sxemasi ishlab chiqilgan.
76