Reja: a Mikrosxema elementlari

Mikrosxema elementlari.

Biz yarim o‘tkazgichli IMSlarning elementlari bilan tanishamiz. Sababi paradasimon IMSlarda faqat passiv elementlar qarshilik, sig‘im va induktivlik hosil qilinishi mumkinligi gapirilgan edi. Ular taglik sirtiga o‘tkazuvchan va himoyalovchi moddalarni purkash yoki pardalar qatlami sifatida joylashtirish yo‘li bilan hosil qilinadi. Bunda taglik dielektrik materialdan yasalgani uchun elementlarni bir-biridan himoyalashga hojat qolmaydi. Quydagi birinchi rasmda purkash yo‘li bilan hosil qilingan to‘g‘ri to‘rt burchak shaklida yasalgan induktivlik g‘altagi ko‘rsatilgan.

1-расм.

Yarim o‘tkazgichli IMSlarning elementlarini yasash murakkab texnologik jarayon bo‘lib, ularning turlari xilma–xildir. Barcha jarayonlarning negizini tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya‘ni barcha passiv va aktiv elementlar tranzistor asosida hosil qilinadi. Asos tranzistor vazifasini bipolchr yoki unipolyar tranzistorlar bajaradi.

Bipolyar tranzistorlarni yasashda uning ikki formulasi р-n-p va n-p-n dan foydalaniladi. Ulardan n-p-n turi eng ko‘p tarqalgan.