Разрешение по емкости, пФ

Технические данные установки измерения термостимулированной емкости

Диапазон изменения температуры, К	77 – 400
Погрешность измерения температуры, %	±0,05
Диапазон смещения на образце, В	-60 +60
Минимальный шаг напряжения, мВ	1
Диапазон измерения емкости, пФ	0 – 300
Разрешение по емкости, пФ	0,0001
Погрешность измерения емкости, %	±0,1
Энергия термической активации глубоких центров, эВ	0,1 – 1,0
Погрешность определения энергии, %	2-5%

На рис. 2 приведены температурные зависимости ТСЕ и производной ТСЕ, полученные при исследовании светодиода зеленого свечения из фосфида галлия (GaP). На производной хорошо видны пики, связанные с термической активацией глубоких центров. Параметры центров приведены в подписи к рисунку.

Рис.2. Температурные зависимости ТСЕ и производной ТСЕ светодиода зеленого свечения на основе GaP: слева – ТСЕ, справа – производная ТСЕ и ее разделение на составляющие. Энергии активации глубоких уровней (слева на право):0.40эВ, 0.45эВ, 0.57эВ, 0.65эВ, 0.73эВ, 0.83эВ; точность ±0.04эВ
[1] Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. 399с.
[2] Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.176с.
Определение параметров глубоких центров методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней
Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, известный как DLTS, схож с методом термостимулированной емкости и позволяет определять те же параметры глубоких уровней: энергию термической активации, коэффициенты и сечения захвата носителей [3].
Отличие состоит в том, что в процессе нагрева глубокий уровень периодически заполняется носителями, после чего наблюдается релаксация емкости, связанная с перезарядкой уровня.