Разрешение по емкости, пФ

МЕТОДИКИ

1. 
   Определение распределения концентрации мелкой легирующей примеси в ОПЗ.
   
2. 
   Определение параметров глубоких центров методом термостимулированной емкости.
   
3. 
   Определение параметров глубоких центров методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней.
   
4. 
   Определение механизмов переноса тока в p-n-переходах по анализу вольтамперных характеристик.
   
5. 
   Дифференциальные методы исследования генерационно-рекомбинационных процессов с помощью анализа вольт-амперных характеристик.
   
6. 
   Определение параметров глубоких центров методом разделения приведенной скорости рекомбинации на составляющие.
   
7. 
   Определение параметров глубоких центров по производной приведенной скорости рекомбинации.
   

Определение распределения концентрации мелкой легирующей примеси в ОПЗ
В основе получения распределения концентрации мелкой легирующей примеси в ОПЗ p-n-перехода лежит измерение барьерной емкости диода при обратном и небольшом прямом напряжениях смещения. Экспериментально измеряются вольт-фарадная характеристика (ВФХ), площадь p-n-перехода, затем рассчитывается концентрация мелкой легирующей примеси [1].
Технические данные установки измерения емкости

Диапазон смещения на образце, В	-60 +60
Минимальный шаг напряжения, мВ	1
Диапазон измерения емкости, пФ	0 – 300
Разрешение по емкости, пФ	0,0001
Погрешность измерения емкости, %	±0,1
Погрешность измерения напряжения, %	±0,05

Рис. 1. Профили распределения концентрации мелкой легирующей примеси светодиодов с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN: слева – светодиод зеленого свечения, справа – светодиоды синего свечения. На рисунке слева расстояние между максимумами составляет 10–18 нм (в среднем около 14 нм).
[1] Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. 104с.
Определение параметров глубоких центров методом термостимулированной емкости
Метод термостимулированной емкости (ТСЕ) применяется для определения параметров глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Он позволяет определить такие параметры, как энергия термической активации, коэффициенты и сечения захвата носителей на глубокий центр. В основе метода лежит измерение емкости диода от температуры [1]. В дальнейшем строится производная емкости по температуре и с ее помощью рассчитываются параметры глубоких центров [2].