Разрешение по емкости, пФ

Технические данные установки измерения DLTS

Диапазон изменения температуры, К	77 – 400
Погрешность измерения температуры, %	±0,05
Диапазон смещения на образце, В	-60 +60
Минимальный шаг напряжения, мВ	1
Диапазон измерения емкости, пФ	0 – 300
Разрешение по емкости, пФ	0,0001
Погрешность измерения емкости, %	±0,1
Энергия термической активации глубоких центров, эВ	0,1 – 1,0
Погрешность определения энергии, %	2-5%

[3] Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Applications ZnO and O centre in GaP p-n-junction // J.Appl.Phys. 1974. V.45. P.3014–3022.

Рис. 3. Спектры DLTS кремниевого диода, легированного золотом (Si:Au). Для всех зависимостей отношение t1/t2 =1/8. Энергия активации глубокого центра золота в кремнии 0,56 эВ

Рис. 4. Спектры DLTS кремниевого диода Шоттки, подвергнутого отжигу. Для всех зависимостей отношение t1/t2 =1/8. Энергии активации глубоких центров 0,16 и 0,45 эВ
Определение механизмов переноса тока в p-n-переходах по анализу вольт-амперных характеристик
Измерение вольт-амперных характеристик (ВАХ) используется для определения механизмов токопереноса p-n-переходов [4]. Наибольшую информацию можно получить, измеряя ВАХ при различных температурах.