Разрешение по емкости, пФ



Download 184,32 Kb.
bet1/4
Sana21.02.2022
Hajmi184,32 Kb.
#76790
  1   2   3   4
Bog'liq
metodiki


МЕТОДИКИ

  1. Определение распределения концентрации мелкой легирующей примеси в ОПЗ.

  2. Определение параметров глубоких центров методом термостимулированной емкости.

  3. Определение параметров глубоких центров методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней.

  4. Определение механизмов переноса тока в p-n-переходах по анализу вольтамперных характеристик.

  5. Дифференциальные методы исследования генерационно-рекомбинационных процессов с помощью анализа вольт-амперных характеристик.

  6. Определение параметров глубоких центров методом разделения приведенной скорости рекомбинации на составляющие.

  7. Определение параметров глубоких центров по производной приведенной скорости рекомбинации.

Определение распределения концентрации мелкой легирующей примеси в ОПЗ
В основе получения распределения концентрации мелкой легирующей примеси в ОПЗ p-n-перехода лежит измерение барьерной емкости диода при обратном и небольшом прямом напряжениях смещения. Экспериментально измеряются вольт-фарадная характеристика (ВФХ), площадь p-n-перехода, затем рассчитывается концентрация мелкой легирующей примеси [1].
Технические данные установки измерения емкости

Диапазон смещения на образце, В

-60 +60

Минимальный шаг напряжения, мВ

1

Диапазон измерения емкости, пФ

0 – 300

Разрешение по емкости, пФ

0,0001

Погрешность измерения емкости, %

±0,1

Погрешность измерения напряжения, %

±0,05








Рис. 1. Профили распределения концентрации мелкой легирующей примеси светодиодов с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN: слева – светодиод зеленого свечения, справа – светодиоды синего свечения. На рисунке слева расстояние между максимумами составляет 10–18 нм (в среднем около 14 нм).
[1] Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. 104с.
Определение параметров глубоких центров методом термостимулированной емкости
Метод термостимулированной емкости (ТСЕ) применяется для определения параметров глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Он позволяет определить такие параметры, как энергия термической активации, коэффициенты и сечения захвата носителей на глубокий центр. В основе метода лежит измерение емкости диода от температуры [1]. В дальнейшем строится производная емкости по температуре и с ее помощью рассчитываются параметры глубоких центров [2].

Download 184,32 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish