Radioelektronika asoslari



Download 1,11 Mb.
bet5/7
Sana26.03.2022
Hajmi1,11 Mb.
#511929
1   2   3   4   5   6   7
Bog'liq
Radioelektronika2

Umumiy emitter sxema. Umumiy emitter ulangan sxemada kirish toki bo’lib baza toki IB, chiqish kuchlanishi bo’lib kollektor-emitter kuchlanishi UKE xizmat qiladi. Shuning uchun kirish xarakteristikalar oilasi bo’lib, kollektor-emitter kuchlanishi UKE ning belgilangan qiymatlarida IB=f(UBE) bog’lanish xizmat qiladi. UKE=UKB+UBE bo’lgani uchun UKE ning o’zgarmas qiymatlarida kirish kuchlanishi UBE ning o’zgarishlari kollektor o’tishdagi UKB kuchlanishning o’zgarishlariga olib keladi. Bu esa, o’z navbatda, IE toki qiymatlariga va kollektor o’tishning xususiy toki IKO qiymatlariga ta’sir ko’rsatadi.

Aktiv rejimda, UKE>UBE bo’lganda, transistor kirish xarakteristikalarini ko’rib chiqamiz. Bu holda emitter toki ifoda bilan aniqlanadi, kirish xarakteristikasiga muvofiq

Umumiy baza va umumiy emitter ulangan sxemalarda kirish xarakteristikalar ko’rinishi eksponensial ekanini va tikligi bo’yicha bir-biridan farq qilinishini ko’ramiz. Umumiy emitter ulangan sxemada kirish xarakteristikasi tikligi umumiy baza sxemada ulangan kirish xarakteristikasi tikligidan marta kichik. bo’lganda va baza toki amalda ga teng bo’lib qoladi, ya’ni o’z yo’nalishini o’zgartiradi. Teskari kuchlanish qiymati ortishi tok ham ortishi ma’lum. Shuning uchun kuchlanish ortishi bilan kirish xarakteristikalari pastga va o’ngga siljiydi.
Agar UBE >0 va bunda UKE=O bo’lsa (kollektor va emitter potensiallari bir xil), ikkala p-o’tish to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’ladi. Kirish xarakteristikasi to’yinish rejimiga mos keladi, baza toki esa emitterdan va kollektordan bir vaqtning o’zida elektronlar injeksiyalangani uchun baza toklari yig’indisiga teng bo’ladi. UBE kuchlanishi ortishi bilan ikkala p-n o’tishdagi injeksiya ortadi, bazada noasosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi ortadi, bu esa o’z navbatida bazada rekombinasiyaning ortishiga, baza tokining keskin ortishiga olib keladi.

Umumiy kollektor sxema. Umumiy kollektor ulangan sxemada kirish toki - baza toki IB, chiqish kuchlanishi esa UEK kuchlanishdir. Demak, kirish xarakteristikalar oilasi UBK kuchlanishning belgilangan qiymatlarida IK=f(UEK) bog’liqlik orqali ifodalanadi. UBK =UEK-UEB bo’lgani uchun UEK ning o’zgarmas qiymatlarida UBK o’zgarishlari baza toki IB ni eksponensial kamaytiradi. Tranzistorning dinamik kirish qarshiligi UE ulangan sxemadagidek bo’ladi [12].
Bipolyar tranzistorning umumiy kollektor ulanishdagi kirish xarakteristikalari. Bipolar tranzistorning statik chiqish xarakteristikalari. Chiqish xarakteristikasi deb kirish tokining berilgan, o’zgarmas qiymatlarida chiqish toki bilan chiqish kuchlanishi orasidagi bog’liqlikka aytiladi.
Umumiy baza sxema. Umumiy baza ulangan sxemada chiqish toki bo’lib Ix, chiqish kuchlanishi bo’lib Uks, kirish toki bo’lib esa emitter toki Ig xizmat qiladi. Shuning uchun umumiy baza ulangan sxemaning chiqish xarakteristikalar oilasi emitter toki I ning belgilangan qiymatlarida Ix-Uka) bog’lanishdan iborat bo’ladi. Aktiv rejimda xarakteristikalar bilan tanishamiz. n-p -n tuzilmali bipolyar tranzistorlar uchun aktiv rejim faqat UEB>0 va UKB>0 bo’lgandagina amalga oshadi. IE=0 bo’lganda Kollektor o’tishning kollektor- baza zanjiri bo’ylab oquvchi IKO teskari toki chiqish xarakteristikani tashkil etadi. I qiymati ortishi bilan chiqish xarakteristikalar yuqoriga siljiydi. Yerli effekti e’tiborga olinmaganda tok uzatish koeffitsyienti ni o’zgarmas, UKB ga bog’liq emas va chiqish xarakteristikalarni gorizontal deb hisoblash mumkin. Umumiy baza ulangan sxemada rekombinatsiya hisobiga yo’qotishlar kamaygani uchun aslida asta-sekin ortib boradi. Odatda, chiqish xarakteristikalarning gorizontal chiziqlardan farqi deyarli sezilmaydi. Aktiv rejimning boshlang’ich sohasidagi keskin, lekin qiymati bo’yicha katta bo’lmagan ortishi UKB=0 bo’lganda kollektor o’tish teskari tokining noldan maksimal IKO qiymatgacha o’zgarishi bilan bog’liq. Agar UKB kuchlanish ishorasi teskarisiga o’zgartirilsa, kollektor o’tish to’g’ri siljitilgan bo’lib qoladi va tranzistor to’yinish rejimga o’tadi. Bunda (4.4) tenglama to’yinish rejimi uchun quyidagi ko’rinishda yoziladi:

To’yinish rejimida UKB ortishi bilan emitter toki o’zgarishsiz qolgan holda kollektor toki kollektordan injeksiya sodir bo’lishi hisobiga kamayadi. UKB=0,4 0,6 V bo’lganda amalda kollektor o’tish ochiladi. Shu sababdan UKB bo’lganda IK tokning sezilarli kamayishi boshlanadi.
Umumiy emitter sxema. Umumiy emitter ulangan sxemada chiqish toki bo’lib kollektor toki IK, kirish toki bo’lib baza toki IB, chiqish kuchlanishi bo’lib esa UKE kuchlanishi xizmat qiladi. Shu sababdan umumiy emitter ulangan sxemaning chiqish xarakteristikalari baza toki IB ning berilgan qiymatlarida IK=f(UKE) bog’lanishdan iborat.

Ko’rganimizdek, ß va IKO parametrlar qiymatlari kollektor o’tishda qanday ulanganiga bog’liq. Kollektor sohasining hajmiy qarshiligi rK hisobga olingan holda kollektor o’tishdagi kuchlanish UKB=UKE UBE rKIK ga teng. Natijada, UBE>0 va UKE>O bo’lganda ham aktiv rejim amalga oshishi mumkin. Rejimlar almashishi kollektor o’tishdagi kuchlanish UKB=0 bo’lganda sodir bo’ladi. Bundan UBE ning izlanayotgan bo’sag’aviy qiymati UKB=UBE-rKIO. UBE ning qiymati berilgan baza tokiga muvofiq kirish xarakteristikalardan, IK ning qiymati tenglamada IK=0 deb qabul qilinib topiladi, chunki kollektor o’tishdagi kuchlanish nolga teng deb berilgan.

Natijada bu yerda, 0-kuchlanish UKB=0 bo’lgandagi ß ning qiymati, IK-tok esa, baza tokining berilgan qiymatidagi kollektor toki qiymati.


Shunday qilib, ushbu tenglamalar yordamida berilgan baza toki nuqtalari ordinata o’qida bo’sag’aviy kuchlanish UKE ni va abssissa o’qida kollektor toki IK qiymatlarini beruvchi chiziqni chizish mumkin. Baza tokining har bir qiymati uchun UKE UKE soha aktiv rejim sohasiga, UKEKE soha esa to’yinish rejimi sohasiga mos keladi [13].
Aktiv rejim uchun chiqish xarakteristikalarni ko’rib chiqamiz. IB=0 bo’lganda barcha UKE 0 qiymatlarda aktiv rejim o’rinli bo’ladi, bunda kollektor toki ifoda bilan aniqlanadi.
UKE ortishi bilan, Yerli effekti ta’siri natijasida ning qiymati ortadi. Shuning uchun umumiy emitter sxemada chiqish xarakteristikalar tikligi umumiy baza ulangan sxemaga nisbatan marta ortib, sezilarli bo’lib qoladi. To’yinish rejimida ß va IKO lar kollektor o’tishdagi to’g’ri kuchlanishga kuchli bog’liq funksiyalarga aylanadi. UKB ortishi bilan IKO tok yo’nalishini o’zgartiradi va eksponensial o’sadi, ß qiymati esa injeksiya koeffitsyientining kamayishi hisobiga nolgacha keskin kamayadi. Ushbu omillarning birgalikdagi ta’siri hisobiga kollektor toki UKE kamayishi bilan keskin kamayadi va UKE=(kT/q)Ln(1/ ) da nolga teng bo’lib qoladi. Chiqish xarakteristikalar oilasi aktiv rejimda baza toki IB yoki kollektor baza kuchlanishi UKE ni ortishi bilan UERLI kuchlanishidan chiquvchi to’g’ri chiziqlar bilan ifodalanadi.

Umumiy kollektor sxema. Umumiy kollektor ulangan sxemada chiqish toki bo’lib emitter toki IE, kirish toki bo’lib baza toki IB, chiqish kuchlanishi bo’lib esa UEK xizmat qiladi. Shuning uchun umumiy kollektor ulangan sxemaning chiqish xarakteristikalar oilasi UBK kuchlanishning belgilangan qiymatlarida IE=f(UEK) bog’lanishdan iborat. Chiqish xarakteristikasi UBK kuchlanish qiymatiga siljigan diod VAX iga o’xshaydi. Umumiy kollektor ulangan tranzistorning o’ziga xos xususiyati uning dinamik qarshiligining kichikligidir.
Umumiy kollektor ulangan sxema kuchlanish stabilizatorlari va quvvat kuchaytirgichlarda keng qo’llaniladi.



Bipolyar tranzistor p-n o’tishlari toklari va bazasida noasosiy zaryad tashuvchilarning harakatlanish jarayoni temperaturaga bog’liq. Bu bog’liqlik tranzistor parametr va xarakteristikalarini temperaturaga mos o’zgarishiga olib keladi.
Umumiy baza ulangan bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikalariga temperatura ta’sirini ko’rib chiqamiz. Aktiv rejimda emitter o’tish tokini quyidagicha ifodalash mumkin.

Temperatura ortishi bilan to’yinish toki IO, eksponenta kamayishiga nisbatan tezroq kattalashadi. Ikkita omilning qarama-qarshi ta’siri natijasida umumiy baza ulangan sxemaning kirish xarakteristikalari tanlangan emitter toki IE da ∆U -(1 2) mV/C qiymatga chapga siljiydi.
Umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistorning turli temperaturalardagi kirish xarakteristikalari. UBE=0 bo’lganda baza toki qiymati amalda teskari siljitilgan kollektor o’tish toki IKO ga teng bo’ladi. Bu tok temperaturaga bog’liq bo’lgani sababli, temperatura ortishi bilan xarakteristikaning boshlanish qismi pastga tushadi.

UB(a) va UE (b) ulangan bipolyar transistorning kirish xarakteristikalariga temperaturaning ta’siri.
UBE>O qiymatlarda temperatura ortishi bilan bazaning to’g’ri va teskari toklari ortadi. Bu tranzistor toklarining temperaturaga eksponensial bog’liqligi bilan asoslanadi. Tranzistorning turli temperaturalarda olingan xarakteristikalari o’zaro kesishishini qayd qilish zarur, bu ifodadagi tashkil etuvchilarning temperaturaga turlicha bog’liqligi bilan tushuntiriladi.
Temperaturaning umumiy baza va umumiy emitter ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalariga ta’sirini ko’rib chiqamiz. Ulanish sxemalariga mos ravishda chiqish toklari
IK= va = IB+( +1)IKO
Turli temperaturalarda chiqish xarakteristikalami o’lchash umumiy baza ulangan sxema uchun IB=const va umumiy emitter sxema uchun esa IB=const hollarda bajarilishi kerak. Shuning uchun temperatura ortganda umumiy baza ulangan sxemada =const bo'lib IK ning ortishi faqat IKO qiymatining ortishiga bog’liq. Ammo IKO odatda ga nisbatan ancha kichik bo’lgani uchun, IKO ning o'zgarishlarini e’tiborga olmasa ham bo’ladi. Umumiy baza ulangan sxemaning muhim afzalligi chiqish xarakteristikalari temperatura barqarorligining yuqoriligidan iborat.
Umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistor chiqish xarakteristikalari temperaturaga ko’proq umumiy emitter ulangan bipolyar tranzistor chiqish xarakteristikalari temperaturaga ko’proq bog’liqligi sababli, temperatura o’zgarganda baza toki IB qiymatini o’zgarmas saqlab turish zarur. Agar temperaturaga bog’liq emas deb qaralsa, kollektor toki IK ning temperaturaga bog’liqligi ( +1)IKO had bilan aniqlanadi. IKO tok temperatura har 10 °C ga ortganda taxminan ikki marta ortadi va misol uchun bo’lganda tranzistor chiqish xarakteristikalarining nisbiy dreyfi tenglamaning faqat ikkinchi hadi hisobiga 300% ni tashkil etadi. Umumiy emitter ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalarining temperatura o’zgarishlarga sezgirligi 4.15b-rasmdan ko’rinib turibdi. Shu sababdan, ishchi rejimni barqarorlash uchun tranzistori boshqarishda baza toki bilan boshqarish rejimidan EO kuchlanishi bilan boshqarish rejimiga o’tish taklif etiladi.



va koeffitsyientlar ham tranzistor ishchi rejimiga, ya’ni kollektor o’tishdagi tok va kuchlanishga bog’liq.

Baza tokini uzatish koeffitsiyenti ning kichik toklar sohasida kamayishi emitter o’tishdagi va sirt bo’ylab rekombinatsiya hisobiga tushuntiriladi [14].





Download 1,11 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish