Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

6.20-расм. Мультивибратор коллектор ва база кучланишларнинг оний қийматлари.
Ундаги «аб» қисм Т₃ тран­зисторнинг очпк, Т₂ транзисторнинг ёпнк ҳолатини ифодаласа, «cd» қисмда Т₂ очик, Т₁ ёпиқ бўлади. «δс» ва «dе» қисмлар нисбатан секиилик билан борадиган конденсаторларнинг зарядланиш ва зарядсизланиш жараёнларини ифодалай­ди. Агар «δс» кнсмда С_б1 конденсатор зарядланиб, С_б2 кон­денсатор зарядсизланса, «dе» қисмда — С_б1 зарядснзланиб, С_б2 — зарядланади.
Конденсаторларнинг зарядланиш вақти уларнинг заряд­сизланиш вақтидан ҳамма вақт қисқа бўлади. Чунки схема учун R_б >> R_к тенгсизлик ўринли. Шунга кўра, зарядсизла­ниш жараёни импульсларнинг давом этиш вақтини ифодаловчи асосий катталик ҳисобланади. Зарядсизланаётган конден­сатор (С_б1 ва С_б2) ўз потенциалини Е_к — I_ко·R_к қийматдан Е_б + R_б·I_ко қийматгача экспоненциал қонун бўйича ўзгартади. Шунинг учун С_б2 конденсатор кучланишини қуйидаги- ча ёзиш мумкин:
(6.31)
Агар зарядсизланиш t = 0 вақтда бошланиб, t=T₁ вақтгача давом этса ва бунда U_c2 = U_б2=0 га эришилса, (6.31) ифодадан T₁ вактни аниқлаш мумкин:
(6.32а)
Худди шу йўл билан С_б1 конденсаторнинг зарядсизланиш ифодасини билган ҳолда
(6.32б)
эканинп аниқлаш мумкин.
(6.32а) ва (6.32б) ифодаларга асосан мультизибратордаги тебранишларнинг такрорланиш даври
Т = T_t + Т₂ (6.33)
бўлади.
Одатда базага силжитиш кучланнши берадигап Е_б манбадан қутулиш учун транзисторларнинг базалари коллектор манбаи занжирига уланади (6.21-расм), яъни Е_б = Е_к килиб олинади.