Практикум с использованием миниатюрной электротехнической лаборатории мэл, компьютерного моделирования

часть свободных электронов, инжектированных из эмиттера в базу, образует ток I_Б
В схеме рис.13.1а база является общим электродом входной и выходной це- пи. Такая схема включения биполярного транзистора называется схемой с общей базой (ОБ). Для усиления сигналов применяют также схемы включения биполяр- ных транзисторов с общим коллектором (ОК) и общим эмиттером (ОЭ).
Схема с общим эмиттером наиболее распространена, исследуется в лабора- торной работе и показана на рис. 13.2. В этой схеме дополнительное сопротивление R_Д = 100 Ом служит для защиты транзистора от пробоя перехода база-эмиттер, R₉ = 1 кОм, R₁₀=100 Ом, U_БПЭ – напряжение между гнездом базы на панели стенда и гнездом эмиттера, U_БЭ - напряжение база-эмиттер. Причем U_БЭ  U_БПЭ  I_Б  R_Д .
В схеме ОЭ ток коллектора, ток базы и ток эмиттера связаны соотношения-

ми:
I _Э  I_К  I_Б ,
I_К  β  I_Б , где β - статический коэффициент передачи тока

в схеме с общим эмиттером. Работу транзистора, включенного по схеме с ОЭ, определяют по статическим входным (рис.13.3.а) и выходным (рис.13.3.б) вольтам- перным характеристикам.

Рис.13.2. Схема включения транзистора с общим эмиттером

Входная ВАХ является зависимостью тока базы от напряжения база-эмиттер при фиксированном напряжении коллектор-эмиттер. Выходные ВАХ являются зависимо- стями токаколлектора от напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора показывают, что в ли- нейной области ток коллектора почти не зависит от напряжения коллектор-эмиттер и приращение тока пропорционально изменению тока базы. Ток базы и напряжение база- эмиттер почти не зависят от напряжения коллектор-эмиттер (на рис.13.3.а все входные ВАХ заменены одной). При напряжении отсечки U_БЭ0 ток базы считают равным нулю.

Рис.13.3. Входная (а) и выходные (б) характеристики биполярного транзистора
В линейном режиме усиления малого сигнала биполярный транзистор описыва- ют системой уравнений четырехполюсника в H- параметрах:
u_БЭ  h₁₁  i_Б  h₁₂  u_КЭ

i_К  h₂₁  i_Б  h₂₂  u_КЭ
(13.1),

где h₁₁

h

_ Δu_БЭ
Δi_Б
 Δi_К
^| u_КЭ const ^,


| ,
h₁₂ 


h 
Δu_БЭ Δu_КЭ
Δi_К
^| i_Б const ^,

|

- (13.2)

21 _ΔiБ